添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第531页 > STW30NM60D
STW30NM60D
N沟道600V - 0.125Ω - 30A TO- 247
快速二极管的MDmesh MOSFET
表1 :一般特点
TYPE
STW30NM60D
s
s
s
s
图1 :包装
R
DS ( ON)
< 0.145
I
D
30 A
V
DSS
600 V
s
s
典型
DS
(上) = 0.125
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100 %额定雪崩
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
内部快速恢复二极管
TO-247
描述
该FDmesh 联营重新的所有优点
duced导通电阻和快速开关与IN-
trinsic快速恢复的体二极管。因此,它是
强烈建议在桥拓扑结构,在
特定的ZVS移相器。
图2 :内部原理图
应用
s
ZVS移相全桥
转换器开关电源和焊接
设备
表2 :订购代码
销售类型
STW30NM60D
记号
W30NM60D
TO-247
包装
第3版
2004年6月
1/9
STW30NM60D
表3 :绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的( 1 )
T
j
T
英镑
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
价值
600
600
± 30
30
18.9
120
312
2.5
20
-55到150
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
°C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤30A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX 。
表4 :热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.4
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
表5:雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
15
740
单位
A
mJ
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表6 :开/关
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS (上
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A
3
4
0.125
分钟。
600
10
100
± 10
5
0.145
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
2/9
STW30NM60D
表7 :动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
(3)
.
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V,I
D
= 15 A
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
16
2520
800
75
390
32
33
75
35
82
24
42
115
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 300 V,I
D
= 15 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(参见图15)
V
DD
= 480 V,I
D
= 30 A,
V
GS
= 10 V
(参见图18)
表8 :源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A,V
GS
= 0
I
SD
= 30 A , di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50V
(参见图16)
I
SD
= 30 A , di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50V ,T
j
= 150°C
(参见图16)
165
1.1
14
312
3.3
21
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
( 1 )脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
( 2 )脉冲宽度有限的安全工作区。
(3) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 %的V
DSS
.
3/9
STW30NM60D
图3 :安全工作区
图6 :热阻抗
图4 :输出特性
图7 :传输特性
图5:跨导
图8 :静态漏源导通电阻
4/9
STW30NM60D
图9 :栅极电荷VS栅源电压
图12 :电容变化
图10 :归一门Thereshold电压
年龄与温度
图13 :归在电阻与温
perature
图11 : Dource漏二极管正向煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
5/9
STW30NM60D
N沟道600V - 0.125Ω - 30A TO- 247
快速二极管的MDmesh MOSFET
表1 :一般特点
TYPE
STW30NM60D
s
s
s
s
图1 :包装
R
DS ( ON)
< 0.145
I
D
30 A
V
DSS
600 V
s
s
典型
DS
(上) = 0.125
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100 %额定雪崩
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
内部快速恢复二极管
TO-247
描述
该FDmesh 联营重新的所有优点
duced导通电阻和快速开关与IN-
trinsic快速恢复的体二极管。因此,它是
强烈建议在桥拓扑结构,在
特定的ZVS移相器。
图2 :内部原理图
应用
s
ZVS移相全桥
转换器开关电源和焊接
设备
表2 :订购代码
销售类型
STW30NM60D
记号
W30NM60D
TO-247
包装
第3版
2004年6月
1/9
STW30NM60D
表3 :绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的( 1 )
T
j
T
英镑
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
价值
600
600
± 30
30
18.9
120
312
2.5
20
-55到150
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
°C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤30A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX 。
表4 :热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.4
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
表5:雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
15
740
单位
A
mJ
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表6 :开/关
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS (上
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A
3
4
0.125
分钟。
600
10
100
± 10
5
0.145
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
2/9
STW30NM60D
表7 :动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
(3)
.
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V,I
D
= 15 A
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
16
2520
800
75
390
32
33
75
35
82
24
42
115
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 300 V,I
D
= 15 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(参见图15)
V
DD
= 480 V,I
D
= 30 A,
V
GS
= 10 V
(参见图18)
表8 :源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A,V
GS
= 0
I
SD
= 30 A , di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50V
(参见图16)
I
SD
= 30 A , di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50V ,T
j
= 150°C
(参见图16)
165
1.1
14
312
3.3
21
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
120
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
( 1 )脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
( 2 )脉冲宽度有限的安全工作区。
(3) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 %的V
DSS
.
3/9
STW30NM60D
图3 :安全工作区
图6 :热阻抗
图4 :输出特性
图7 :传输特性
图5:跨导
图8 :静态漏源导通电阻
4/9
STW30NM60D
图9 :栅极电荷VS栅源电压
图12 :电容变化
图10 :归一门Thereshold电压
年龄与温度
图13 :归在电阻与温
perature
图11 : Dource漏二极管正向煤焦
Cucumis Sativus查阅全文
5/9
查看更多STW30NM60DPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STW30NM60D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885681663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885628592 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885665079 复制

电话:13008842056
联系人:张先生
地址:广东省深圳市福田区华强北上步工业区501栋406
STW30NM60D
ST
1820
8960
ROHS
公司现货!欢迎咨询。假一赔百支持发货。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
STW30NM60D
ST/意法
22+
100091
TO-247
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
STW30NM60D
ST
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
STW30NM60D
ST
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885134554 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885134398 复制

电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
STW30NM60D
ST
2116+
52000
TO 247
原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:12979146271572952678 复制 点击这里给我发消息 QQ:1693854995 复制

电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
STW30NM60D
ST
21+
2800
TO-247
集成电路
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
STW30NM60D
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9439
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
STW30NM60D
STMicroelectronics
㊣10/11+
8057
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
STW30NM60D
STMicroelectronics
24+
19000
TO-247-3
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
STW30NM60D
ST
1922+
9852
ROHS
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
查询更多STW30NM60D供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!