STW26NM60
N沟道600V - 0.125Ω - 30A TO- 247
的MDmesh MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STW26NM60
s
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.135
I
D
30 A
V
DSS
600 V
s
典型
DS
（上） = 0.125
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
改进的ESD能力
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
3
2
1
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH horizon-
TAL布局。所得到的产物具有
出色的低导通电阻，令人印象深刻的高
dv / dt和优异的雪崩特性。该
采用本公司专有的带技的
NIQUE收益率整体动力表现是
比同类竞争对手的显著好
化的产品。
TO-247
图2 ：内部原理图
应用
在的MDmesh 系列是非常适合increas-
高电压转换器荷兰国际集团的功率密度允许 -
荷兰国际集团系统的小型化和更高的效率。
表2 ：订购代码
销售类型
STW26NM60
记号
W26NM60
包
TO-247
包装
管
启5
2005年2月
1/9
STW26NM60
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
价值
600
600
± 30
30
18.9
120
313
2.5
6000
15
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤26A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表4 ：热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.4
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
13
740
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表6 ：门源齐纳二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGSS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/9
STW26NM60
表7 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 13 A
3
4
0.125
分钟。
600
10
100
± 10
5
0.135
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表8 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
(3)
.
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 13 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
2900
900
40
300
35
22
14
20
73
20
37
102
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0到400伏
V
DD
= 300 V，I
D
= 13 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图15）
V
DD
= 480 V，I
D
= 26 A,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 26 A，V
GS
= 0
I
SD
= 26 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100V
（参见图16）
I
SD
= 26 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（参见图16）
450
7
30.5
560
9
32.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
26
104
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
(3) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
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STW26NM60
N沟道600V - 0.125Ω - 26A TO- 247
齐纳保护的MDmesh 功率MOSFET
TYPE
STW26NM60
n
n
n
n
n
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
< 0.135
I
D
30 A
典型
DS
（上） = 0.125Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
改进的ESD能力
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
TO-247
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH 水平
布局。由此产生的产品具有出色的低
导通电阻，令人印象深刻的高dv / dt和优良
雪崩特性。采用的
公司的专有技术，带整体产生
动态性能比显著更好
即对同类竞争产品。
内部原理图
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高压变频器允许的功率密度
系统的小型化和更高的效率。
订购信息
销售类型
STW26NM60
记号
W26NM60
包
TO-247
包装
管
2002年9月
1/8
STW26NM60
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
价值
600
600
± 30
30
18.9
120
313
2.5
6000
15
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
(
l
）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤26A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.4
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
13
740
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGSS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/8
STW26NM60
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 13 A
3
4
0.125
分钟。
600
10
100
±10
5
0.135
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 13 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
2900
900
40
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 13 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 26 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
35
22
73
20
37
102
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480V ，我
D
= 26 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
14
20
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 26 A，V
GS
= 0
I
SD
= 26 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 26 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
450
7
30.5
560
9
32.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
26
104
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/8
QQ：2881677436 复制
