STB25NM60ND-STI25NM60ND
STF/P25NM60ND-STW25NM60ND
N沟道600 V - 0.13
- 21一FDmesh II功率MOSFET
D
2
PAK - 我
2
PAK - TO- 220FP - TO- 220 - TO- 247
特点
TYPE
STB25NM60ND
STI25NM60ND
STF25NM60ND
STP25NM60ND
STW25NM60ND
V
DSS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
最大
I
D
3
3
1
2
3
1
2
1
650 V
0.16
21 A
21 A
21 A
(1)
21 A
21 A
TO-220
D
2
PAK
TO-220FP
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
3
12
2
1
3
全球最佳R
DS （ ON）
*区域之间的
快恢复二极管器件
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
能力
图1 。
I
2
PAK
TO-247
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
该FDmesh II系列属于第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
和同事的所有优点降低导通
电阻和快速开关与一个内建为快
因此，恢复身体diode.It强烈
推荐桥拓扑结构，在ZVS
移相器。
表1中。
设备简介
记号
25NM60ND
25NM60ND
25NM60ND
25NM60ND
25NM60ND
REV 3
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/18
www.st.com
18
订购代码
STB25NM60ND
STI25NM60ND
STF25NM60ND
STP25NM60ND
STW25NM60ND
2008年4月
目录
STP / F25NM60ND - STB25NM60ND - STI25NM60ND - STW25NM60ND
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STP / F25NM60ND - STB25NM60ND - STI25NM60ND - STW25NM60ND
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220/D
2
PAK
I
2
PAK / TO-247
600
±25
21
13
84
160
40
--
-55到150
150
2500
21
(1)
13
(1)
84(1)
40
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
VISO
T
英镑
T
J
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
21 A， di / dt的
≤
600 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
热数据
参数
热阻
结案件最大
热阻
结到环境最大
热阻
结到环境最大
最大的铅
温度
焊接用途
--
62.5
--
TO-220
IPAK
0.78
50
--
--
30
TO-247
DPAK TO- 220FP
3.1
62.5
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
T
l
300
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
10
850
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STP / F25NM60ND - STB25NM60ND - STI25NM60ND - STW25NM60ND
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
开/关状态
价值
参数
漏源
击穿电压
漏源电压斜率
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
V
48
1
100
100
3
4
0.13
5
0.16
V / ns的
A
A
nA
V
单位
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 480 V，I
D
= 21 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10.5 A
600
1.特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 10.5 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
17
2400
150
15
320
60
30
50
40
80
40
15
1.6
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 10.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图23） ，
（参见图18）
V
DD
= 480 V，I
D
= 21 A,
V
GS
= 10 V,
（参见图19）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/18
STP / F25NM60ND - STB25NM60ND - STI25NM60ND - STW25NM60ND
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 21 A，V
GS
= 0
I
SD
= 21 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图20）
I
SD
= 21 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，
T
J
= 150 °C
（参见图20）
160
1
15
230
2
19
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
21
84
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
5/18
STx25NM60ND
N沟道600 V ， 0.13
,
21一FDmesh II功率MOSFET
D
2
PAK ，我
2
PAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247
特点
TYPE
STB25NM60ND
STI25NM60ND
STF25NM60ND
STP25NM60ND
STW25NM60ND
V
DSS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
最大
I
D
3
3
1
2
3
1
2
1
650 V
0.16
21 A
21 A
21 A
(1)
21 A
21 A
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
3
12
2
1
3
全球最佳R
DS （ ON）
*区域之间的
快恢复二极管器件
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
能力
图1 。
I
2
PAK
TO-247
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
该FDmesh II系列属于第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
和同事的所有优点降低导通
电阻和快速开关与一个内建为快
因此，恢复身体diode.It强烈
推荐桥拓扑结构，在ZVS
移相器。
表1中。
设备简介
记号
25NM60ND
25NM60ND
25NM60ND
25NM60ND
25NM60ND
转4
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/18
www.st.com
18
订购代码
STB25NM60ND
STI25NM60ND
STF25NM60ND
STP25NM60ND
STW25NM60ND
2009年3月
目录
STx25NM60ND
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
电气特性
STx25NM60ND
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
开/关状态
价值
参数
漏源
击穿电压
漏源电压斜率
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
V
48
1
100
100
3
4
0.13
5
0.16
V / ns的
A
A
nA
V
单位
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 480 V，I
D
= 21 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10.5 A
600
1.特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 10.5 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
17
2400
150
15
320
60
30
50
40
80
15
40
1.6
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 10.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图23） ，
（参见图18）
V
DD
= 480 V，I
D
= 21 A,
V
GS
= 10 V,
（参见图19）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/18
STx25NM60ND
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 21 A，V
GS
= 0
I
SD
= 21 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图20）
I
SD
= 21 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，
T
J
= 150 °C
（参见图20）
160
1
15
230
2
19
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
21
84
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
5/18
QQ：2881677436 复制
