STP25NM50N - STF25NM50N
STB25NM50N / -1 - STW25NM50N
N沟道500V 0.11
- 22 A TO - 220 / FP / D / IPAK / TO- 247
第二代的MDmesh MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STB25NM50N-1
STF25NM50N
STP25NM50N
STW25NM50N
STB25NM50N
■
■
■
图1 ：包装
I
D
22 A
22 A(*)
22 A
22 A
22 A
R
DS （ ON）
0.140
0.140
0.140
0.140
0.140
V
DSS
（ @Tj
最大
)
550V
550V
550V
550V
550V
3
1
2
3
12
TO-220
3
1
IPAK
■
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
TO-247
DPAK
3
2
1
3
1
2
描述
该
STx25NM50N
实现与第二
新一代的MDmesh技术。这种革命
tionary MOSFET关联一个新的垂直struc-
TURE本公司带布局，以产生一
世界上最低的导通电阻和栅极电荷。
因此，适用于最苛刻的高
转换效率
TO-220FP
图2 ：内部原理图
应用
在的MDmesh II系列是非常适合IN-
高电压转换器压痕功率密度
使系统小型化和更高的艾菲
ciencies 。
表2 ：订购代码
销售类型
STP25NM50N
STF25NM50N
STB25NM50N-1
STW25NM50N
STB25NM50N
记号
P25NM50N
F25NM50N
B25NM50N
W25NM50N
B25NM50N
包
TO-220
TO-220FP
IPAK
TO-247
DPAK
包装
管
管
管
管
磁带&卷轴
9牧师
2005年10月
1/16
STP25NM50N - STF25NM50N - STB25NM50N / -1 - STW25NM50N
表3 ：绝对最大额定值
符号
参数
价值
TO-220/DPAK/IPAK/
TO-247
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv/dt(1)
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
22
14
88
160
1.28
15
-55到150
150
500
500
±25
22(*)
14 (*)
88 (*)
40
0.32
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
22 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
=80%
V
（ BR ） DSS
.
（*）限定仅由最大允许温度
表4 ：热数据
TO-220/DPAK/IPAK/
TO-247
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.78
62.5
300
TO-220FP
3.1
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AS
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
10
350
单位
A
mJ
2/16
STB25NM50N / -1 - STW25NM50N - STP25NM50N - STF25NM50N
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表6 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
dv/dt(2)
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
漏源电压
坡
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
分钟。
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
VDD = 400V ，ID = 25A ，
Vgs=10V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 11 A
2
3
0.110
500
44
价值
典型值。
马克斯。
V
V / ns的
单位
1
10
100
4
0.140
A
A
nA
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
（ 2 ）特征值在关闭感性负载
表7 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(*)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
离voltageRise时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
=15 V
,
I
D
=11 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
19
2565
511
77
315
23
23
75
22
84
11
35
1.6
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
V
DD
= 250 V，I
D
= 11A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图19）
V
DD
= 400V ，我
D
=22 A,
V
GS
= 10V,
（参见图23）
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
( )
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 22 A，V
GS
= 0
I
SD
= 22A ，的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（参见图21）
I
SD
= 22 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（参见图21）
460
6.9
30
532
8.25
31
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
22
88
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(*) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
3/16
STP25NM50N - STF25NM50N - STB25NM50N / -1 - STW25NM50N
图3 ：安全工作区的TO- 220 /
IPAK / DPAK
图6 ：热阻抗TO- 220 / IPAK /
DPAK
图4 ：安全工作区TO- 220FP
图7 ：热阻抗对于TO- 220FP
图5 ：安全工作区的TO- 247
图8： TO- 247热阻抗
4/16
STB25NM50N / -1 - STW25NM50N - STP25NM50N - STF25NM50N
图9 ：输出特性
图12 ：传输特性
图10：跨导
图13 ：静态漏源导通电阻
图11 ：栅极电荷VS栅源电压
图14 ：电容变化
5/16
目录
STx25NM50N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/18
电气特性
STx25NM50N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
漏源电压斜率
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 400 V，I
D
= 25 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 11 A
2
3
分钟。
500
44
1
10
100
4
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V / ns的
A
A
nA
V
0.110 0.140
1.特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。 （2）
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
=15 V
,
I
D
= 11 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
19
2565
511
77
315
84
11
35
1.6
MAX 。 UNIT
S
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0到400伏
V
DD
= 400 V，I
D
= 22 A,
V
GS
= 10 V,
（参见图19）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
4/18
STx25NM50N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 11 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图18）
分钟。
典型值。马克斯。单位
23
23
75
22
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 22 A，V
GS
= 0
I
SD
= 22 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
（参见图23）
I
SD
= 22 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150 °C
（参见图23）
460
6.9
30
532
8.25
31
测试条件
民
典型值。
最大
22
88
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/18
STB25NM50N / -1 - STF25NM50N
STP25NM50N - STW25NM50N
N沟道500V - 0.11Ω - 22A - TO- 220 / FP-我
2
/D
2
PAK - TO- 247
第二代的MDmesh 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB25NM50N
STB25NM50N-1
STF25NM50N
STP25NM50N
STW25NM50N
V
DSS
（ @Tjmax ）
550V
550V
550V
550V
550V
R
DS （ ON）
<0.140
<0.140
<0.140
<0.140
<0.140
I
D
3
3
22A
22A
22A
(1)
22A
22A
1
2
1
2
TO-220FP
3
1
TO-220
DPAK
3
12
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入resistancel
IPAK
TO-247
内部原理图
描述
这一系列的设备实现与所述第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的MOSFET关联一个新的垂直
结构，以本公司的带布局，以产生
世界上最低的导通电阻和栅极之一
费。因此，适合于最
要求高效率的转换器
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB25NM50N
STB25NM50N-1
STF25NM50N
STP25NM50N
STW25NM50N
记号
B25NM50N
B25NM50N-1
F25NM50N
P25NM50N
W25NM50N
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
管
管
2007年1月
转12
1/18
www.st.com
18
目录
STB25NM50N / -1 - STF25NM50N - STP25NM50N - STW25NM50N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/18
STB25NM50N / -1 - STF25NM50N - STP25NM50N - STW25NM50N
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 - IPAK
TO-220FP
DPAK - TO-247
500
500
±25
22
14
88
160
1.28
--
15
-55到150
150
22
(1)
14
(1)
88
(1)
40
0.32
2500
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
°C
V
ISO
dv / dt的
(3)
T
英镑
T
j
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
导致外部散热器（ T = 1秒;吨
C
=25°C)
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 22A ， di / dt的< 400 A / μs的，V
DD
=80% V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
热数据
价值
参数
的TO-220 - IPAK
TO-220FP
DPAK - TO-247
0.78
62.5
300
3.1
单位
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAS ， VDD = 50V ）
价值
10
350
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STB25NM50N / -1 - STF25NM50N - STP25NM50N - STW25NM50N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
漏源电压斜率
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
VDD = 400V ，ID = 25A ， VGS = 10V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
2
3
分钟。
500
44
1
10
100
4
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V / ns的
A
A
nA
V
0.110 0.140
1.特征值在关闭感性负载
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。 （2）
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
=15V
,
I
D
=11A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
19
2565
511
77
315
84
11
35
1.6
MAX 。 UNIT
S
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
V
DD
= 400V ，我
D
=22A,
V
GS
= 10V,
（参见图18）
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
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STB25NM50N / -1 - STF25NM50N - STP25NM50N - STW25NM50N
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250V ，我
D
= 11A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（参见图17）
分钟。
典型值。
23
23
75
22
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 22A ，V
GS
= 0
I
SD
= 22A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 100V ，T
j
= 25°C
（参见图22）
I
SD
= 22A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（参见图22）
460
6.9
30
532
8.25
31
测试条件
民
典型值。
最大
22
88
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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