STW240NF55
N沟道55V - 0.0027
- 120A TO-247
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STW240NF55
■
■
■
V
DSS
55V
R
DS （ ON）
<0.0035
I
D
(1)
120A
典型
DS
（上） = 0.0027
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻，坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
1
TO-247
2
3
应用
■
大电流，高开关速度
■
OR- ing功能可
内部原理图
订购信息
销售类型
STW240NF55
记号
W240NF55
包
TO-247
包装
管
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(1
)
I
D
(1
)
I
DM
(
)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
AS(3)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k
)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
55
55
± 20
120
120
480
500
3.33
5
3.5
-55至175
(2) I
SD
≤
120A ， di / dt的
≤
600A / μs的，V
DD
≤
48V ，T
j
≤
T
JMAX 。
（ 3 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 60A ，V
DD
= 30V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ 1 ）按封装电流限制
2004年5月
1/8
STW240NF55
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 27.5 V
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 27.5V我
D
= 120A V
GS
=10V
分钟。
典型值。
52
235
350
75
140
480
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 27.5 V
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
,
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
225
115
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A
V
GS
= 0
115
435
7.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 120 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 20 V
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
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N沟道55V - 0.0027
- 120A TO-247
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STW240NF55
s
s
s
V
DSS
55V
R
DS （ ON）
<0.0035
I
D
(1)
120A
典型
DS
（上） = 0.0027Ω
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "带钢
基于过程。由此产生的晶体管显示了极高
高的堆积密度低的导通电阻，坚固
雪崩特性和不太重要的调整
步骤
因此
a
卓越
制造业
重现。
1
TO-247
2
3
应用
s
大电流，高开关速度
s
OR- ing功能可
内部原理图
订购信息
销售类型
STW240NF55
记号
W240NF55
包
TO-247
包装
管
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(1)
I
D
(1)
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(2)
E
AS(3)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
55
55
± 20
120
120
480
500
3.33
5
3.5
-55至175
(2) I
SD
≤
120A ， di / dt的
≤
600A / μs的，V
DD
≤
48V ，T
j
≤
T
JMAX 。
（ 3 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 60A ，V
DD
= 30V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ 1 ）按封装电流限制
2003年10月
1/8
STW240NF55
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 60 A
V
DD
= 27.5 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 27.5V我
D
= 120A V
GS
=10V
分钟。
典型值。
52
235
350
75
140
480
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 60 A
V
DD
= 27.5 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
225
115
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A
V
GS
= 0
115
435
7.6
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 120 A
V
DD
= 20 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
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