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STB23NM60N-STF23NM60N
STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N
N沟道600 V - 0.150
- 19 A -
2
PAK - 我
2
PAK - TO- 220 / FP
TO- 247 ，第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB23NM60N
STI23NM60N
STF23NM60N
STP23NM60N
STW23NM60N
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
R
DS （ ON）
最大
I
D
1
3
3
12
19 A
19 A
650 V
0.180
19 A
(1)
DPAK
2
1
3
IPAK
19 A
19 A
3
1
2
TO-247
3
1
2
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
这一系列的设备使用的是设计
第二代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
需要高效率的转换器。
表1中。
设备简介
订购代码
记号
23NM60N
23NM60N
23NM60N
23NM60N
23NM60N
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
STB23NM60N
STI23NM60N
STF23NM60N
STP23NM60N
STW23NM60N
2008年3月
REV 3
1/19
www.st.com
19
目录
STB23NM60N-STF/I23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/19
STB23NM60N-STF/I23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK / IPAK
TO-220FP
TO-220/TO-247
600
± 25
19
11.7
76
150
15
--
-55到150
150
2500
19
(1)
11.7
(1)
76
(1)
35
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
19 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
=80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
RthJ -PCB
热数据
参数
热阻
结案件最大
热阻
结AMB最大
热阻
结PCB最大
最大的铅
温度
焊接用途
--
62.5
--
TO-220
IPAK
TO-247
DPAK
TO-220FP
3.6
50
--
--
30
62.5
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
0.83
T
l
300
°C
3/19
电气额定值
STB23NM60N-STF/I23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
9
700
单位
A
mJ
4/19
STB23NM60N-STF/I23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 480 V，I
D
= 19 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 9.5 A
2
3
分钟。
600
30
1
100
100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
0.150 0.180
特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 9.5 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
17
2050
140
8
260
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 19 A
V
GS
= 10 V
（参见图19）
Rg
4
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
60
10
30
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
5/19
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