STB23NM50N ， STF23NM50N
STP23NM50N ， STW23NM50N
N沟道500 V ， 0.162
Ω
17 A TO - 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， DPAK
,
的MDmesh II 功率MOSFET
特点
订购代码
STB23NM50N
STF23NM50N
STP23NM50N
STW23NM50N
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
3
1
2
1
3
2
TO-220FP
550 V
< 0.19
Ω
17 A
TO-220
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-247
2
1
3
3
1
DPAK
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这些设备所使用的第二制成
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
需要高效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
包
DPAK
TO-220FP
23NM50N
TO-220
TO-247
管
包装
磁带和卷轴
订购代码
STB23NM50N
STF23NM50N
STP23NM50N
STW23NM50N
2011年5月
文档ID 16913牧师4
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目录
STB23NM50N ， STF23NM50N ， STP23NM50N ， STW23NM50N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
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STB23NM50N ， STF23NM50N ， STP23NM50N ， STW23NM50N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
V
ISO
dv / dt的
(3)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 ， DPAK TO-247 TO- 220FP
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
15
-55到150
150
17
11
68
125
500
± 25
17
(1)
11
(1)
68
(1)
30
2500
V
V
A
A
A
W
V
V / ns的
°C
°C
单位
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DS
PEAK
≤
V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK
TO-247
1
30
62.5
50
300
62.5
TO-220
TO-220FP
4.17
° C / W
° C / W
° C / W
°C
热阻结案件
最大
热阻结到PCB
最小的足迹
热电阻junction-
环境最大
铅的最大温度
焊接用途
单位
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
R
THJ - AMB
T
l
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
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价值
6
254
单位
A
mJ
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电气特性
STB23NM50N ， STF23NM50N ， STP23NM50N ， STW23NM50N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ± 25 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.5 A
2
3
0.162
分钟。
500
1
100
100
4
0.19
典型值。
MAX 。 UNIT
V
A
A
nA
V
Ω
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。 （1）
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
分钟。
典型值。
1330
84
4.8
210
45
7
24
4.6
MAX 。 UNIT
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
Ω
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0到400伏
V
DD
= 400 V，I
D
= 17 A,
V
GS
= 10 V,
（参见图18）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
-
-
-
-
-
-
1. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
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电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 17 A
R
G
= 4.7
Ω
V
GS
= 10 V
（参见图17）
分钟。
典型值。
6.6
19
71
29
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A，V
GS
= 0
I
SD
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V
（参见图22）
I
SD
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（参见图22）
测试条件
民
-
-
-
286
3700
26
350
4800
27
典型值。
最大
17
68
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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