STB21N65M5 ， STF21N65M5
STI21N65M5 ， STP21N65M5 ， STW21N65M5
N沟道650 V， 0.150
17的的MDmesh V功率MOSFET
,
DPAK ，TO- 220FP ， TO-220， IPAK ，TO- 247
特点
订购代码
STB21N65M5
STF21N65M5
STI21N65M5
STP21N65M5
STW21N65M5
3
V
DSS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
最大
I
D
17 A
17 A
(1)
P
W
3
125 W
30 W
125 W
IPAK
3
12
1
2
TO-220
710 V
< 0.179
17 A
2
1
3
3
1
2
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
1
在全球最佳R
DS （ ON）
*区
较高的V
DSS
等级
DV dt能力高/
出色的开关性能
100％的雪崩测试
DPAK
TO-247
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
切换应用程序
描述
这些设备是N沟道的MDmesh V
基于创新的功率MOSFET
专有的垂直处理技术，该技术是
结合意法半导体的知名
的PowerMESH 水平布局结构。该
所得产品具有极低的导通
电阻，这是其中硅无与伦比
基于功率MOSFET ，使其特别
适合应用需要卓越
功率密度和效率出众。
表1中。
设备简介
订购代码
STB21N65M5
STF21N65M5
STI21N65M5
STP21N65M5
STW21N65M5
2011年5月
记号
包
DPAK
TO-220FP
IPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/22
www.st.com
22
21N65M5
文档ID 15427牧师4
目录
STB/F/I/P/W21N65M5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
.......................... 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/22
文档ID 15427牧师4
STB/F/I/P/W21N65M5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220， IPAK ，
DPAK ，TO- 247
± 25
17
10.7
68
125
5
400
15
2500
- 55 150
150
17
(1)
10.7
(1)
68
(1)
30
单位
TO-220FP
V
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
V
°C
°C
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
dv / dt的
(3)
峰值二极管恢复电压斜率
V
ISO
T
英镑
T
j
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高温度允许的。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
400 A / μs的; V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 400 V.
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK IPAK的TO-220 TO-247 TO- 220FP
热阻结案件
最大
热电阻junction-
环境最大
热阻结到PCB
最大
铅的最大温度
焊接用途
30
300
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
1
62.5
50
4.17
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
文档ID 15427牧师4
3/22
电气特性
STB/F/I/P/W21N65M5
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
650
1
100
100
3
4
0.150
5
0.179
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.5 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 0 520 V ，V
GS
= 0
-
44
-
pF
测试条件
分钟。
典型值。
1950
46
3
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 100 V，F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
C
O（ TR ）
-
133
-
pF
C
o(er)(2)
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 520 V，I
D
= 8.5 A,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
-
2.5
50
13
23
-
nC
nC
nC
-
-
1. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS 。
2. C
OSS EQ 。
能量相关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量作为
C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS 。
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文档ID 15427牧师4
STB/F/I/P/W21N65M5
电气特性
表6 。
符号
t
d
(v)
t
r
(v)
t
f
(i)
t
c
（关闭）
开关时间
参数
电压延迟时间
电压上升时间
电流下降时间
穿越时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 11 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图21）
（见
图24 ）
分钟。
典型值。
37
10
12
24
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A，V
GS
= 0
I
SD
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V（见
图21）
I
SD
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150 °C
（见
图21）
测试条件
分钟。
-
-
-
294
4
28
340
5
29
典型值。
MAX 。 UNIT
17
68
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 15427牧师4
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