STW18NK80Z
N沟道800V - 0.34Ω - 19A - TO- 247
齐纳保护的超网功率MOSFET
一般特点
TYPE
STW18NK80Z
■
■
■
■
■
V
DSS
800V
R
DS （ ON）
<0.38
I
D
19A
p
W
350W
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
TO-247
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STW18NK80Z
记号
W18NK80Z
包
TO-247
包装
管
2006年10月
转4
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www.st.com
14
目录
STW18NK80Z
目录
1
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
的栅极 - 源极的齐纳二极管的保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................. 7
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
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STW18NK80Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
800
± 30
19
12
76
350
2.4
6000
4.5
-55到150
马克斯。工作结温
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(2)
T
英镑
T
j
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.
I
SD
≤
19A,
的di / dt
≤
300A/s,
V
DD
≤
V
DD
< 800V ，
T
j
≤
T
JMAX
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.36
50
300
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
19
700
单位
A
mJ
表4 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
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电气额定值
STW18NK80Z
1.1
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
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STW18NK80Z
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
3
3.75
0.34
分钟。
800
1
50
±10
4.5
0.38
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 10A
分钟。
典型值。
19
6100
500
100
240
46
32
140
32
192
34
102
250
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V
以640V
V
DD
= 400V ，我
D
= 9A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图13）
V
DD
= 640V ，我
D
= 18A,
V
GS
= 10V
（见
图14）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.科斯EQ 。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
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