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STW15NB50
STH15NB50FI
N沟道500V - 0.33Ω - 14.6A -
T0-247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET
TYPE
ST W15NB50
ST H15NB50FI
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
R
DS （ ON）
< 0.36
＆ LT ;
0.36
I
D
14.6 A
10.5 A
典型
DS （ ON）
= 0.33
DV dt能力极高/
±
30V栅极至源极电压额定值
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
1
3
2
3
2
1
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中， SGS - Thomson还设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构，给出了
单位面积最低的RDS（on ） ，特殊的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
英镑
T
j
1998年6月
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
o
TO-247
ISOWATT218
内部原理图
价值
STW 15NB50
ST H15NB50FI
500
500
±
30
14.6
9.2
58.4
190
0.64
4
4000
-65到150
150
10.5
6.6
58.4
80
1.52
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
V
o
o
o
C
C
1/9
STW15NB50 - STH15NB50FI
热数据
T O服务- 247
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
R
thc- SI NK
T
l
热阻结案件
最大
0.66
30
0.1
300
ISOW ATT 218
1.56
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
SYMB OL
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大VALU ê
14.6
850
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
SYMB OL
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
500
1
50
±
100
典型值。
马克斯。
取消它
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零加速度吃的电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
o
C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125
I
GSS
开（ *）
SYMB OL
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值
电压
V
DS
= V
GS
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
I
D
= 7.5 A
14.6
分钟。
3
典型值。
4
0.33
马克斯。
5
0.36
取消它
V
A
静态漏源V
GS
= 10 V
阻力
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
V
GS
= 10 V
动态
SYMB OL
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
倒T转让（BOT）
电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 7.5 A
V
GS
= 0
分钟。
8
典型值。
12
2600
330
40
3400
430
55
马克斯。
取消它
S
pF
pF
pF
2/9
STW15NB50 - STH15NB50FI
电气特性
（续）
接通
SYMB OL
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 250 V I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
24
14
60
15
27
马克斯。
34
20
80
取消它
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
SYMB OL
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 400 V I
D
= 15 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
15
25
35
马克斯。
20
33
47
取消它
ns
ns
ns
源漏二极管
SYMB OL
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 15 A
V
GS
= 0
680
9
26
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
典型值。
马克斯。
14.6
58.4
1.6
取消它
A
A
V
ns
C
A
I
SD
= 15 A的di / dt = 100 A / μs的
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 100 V
（见测试电路，图5 ）
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区TO- 247
安全工作区ISOWATT218
3/9
STW15NB50 - STH15NB50FI
热阻抗对于TO- 247
热阻抗为ISOWATT218
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/9
STW15NB50 - STH15NB50FI
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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SD5200CHP
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SM6802
SELU2610C-S
SGM8053XS/TR
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ST62T10CL1
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