STB14NM65N ， STF14NM65N
STI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65N
N沟道650 V， 0.33
,
12一个的MDmesh II 功率MOSFET
的TO-220 ，TO- 220FP ，D-
2
PAK ，我
2
PAK ， TO- 247
特点
TYPE
STI14NM65N
STB14NM65N
STF14NM65N
STP14NM65N
STW14NM65N
V
DSS
(@T
J
MAX ）
710 V
710 V
710 V
710 V
710 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.38
< 0.38
< 0.38
< 0.38
< 0.38
I
D
3
12 A
12 A
12 A
(1)
12 A
12 A
1
2
3
12
TO-220
3
1
IPAK
DPAK
3
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
2
3
1
2
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-247
1
TO-220FP
应用
■
图1 。
内部原理图
切换应用程序
描述
这一系列的设备使用的是设计
第二代的MDmesh 技术。
这一革命性的功率MOSFET关联一个
新的垂直结构给公司带
布局产生了世界上最低的导通之一
电阻和栅极电荷。因此，较为合适
为最苛刻的高效率
转换器。
表1中。
设备简介
记号
14NM65N
14NM65N
14NM65N
14NM65N
14NM65N
包
IPAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
管
磁带和卷轴
管
管
管
订购代码
STI14NM65N
STB14NM65N
STF14NM65N
STP14NM65N
STW14NM65N
2008年10月
REV 2
1/18
www.st.com
18
目录
STB/F/I/P/W14NM65N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/18
电气特性
STB/F/I/P/W14NM65N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
漏源电压斜率
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 520 V，I
D
=12 A,
V
GS
=10 V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
2
3
分钟。
650
30
1
100
±100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
0.330 0.380
1.特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=15 V
,
I
D
= 6A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
10
1300
90
8
150
45
7
25
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
GS
= 0, V
DS
= 0至520伏特
V
DD
= 520 V，I
D
= 12 A,
V
GS
= 10 V,
（参见图19）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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STB/F/I/P/W14NM65N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 325 V，I
D
= 6 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图18）
民
典型值
11
13
55
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12 A，V
GS
= 0
I
SD
= 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
（参见图20）
I
SD
= 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
J
= 150 °C
（参见图20）
390
5
25
530
7
25
测试条件
民
典型值
最大
12
48
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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