STF13N95K3 ， STFI13N95K3 ，
STP13N95K3 ， STW13N95K3
N沟道950 V， 0.68
（典型值） ， 10齐纳保护SuperMESH3
采用TO- 220FP功率MOSFET ，我
2
PAKFP ，TO- 220和TO- 247
数据表
生产数据
特点
订购代码
STF13N95K3
STFI13N95K3
STP13N95K3
STW13N95K3
■
■
■
■
■
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
I
D
P
合计
40 W
950 V
＆ LT ; 0.85
10 A
190 W
TAB
TO-220FP
I
2
PAKFP
1
2
3
栅极电荷最小化
非常大的雪崩性能
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
齐纳保护
图1 。
内部原理图
D（ 2或TAB ）
TO-220
TO-247
应用
■
切换应用程序
描述
这些SuperMESH3 功率MOSFET的
的施加到改善的结果
意法半导体的超网技术，
结合了新的优化的垂直结构。
这些器件具有极低的导通
性，卓越的动态性能和
高雪崩能力，使它们适合
为要求最苛刻的应用程序。
G(1)
S(3)
AM01476v1
表1中。
设备简介
记号
包
TO-220FP
I
2
PAKFP
13N95K3
管
TO-220
TO-247
包装
订购代码
STF13N95K3
STFI13N95K3
STP13N95K3
STW13N95K3
2012年6月
这是在满负荷生产一个产品信息。
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目录
STF13N95K3 ， STFI13N95K3 ， STP13N95K3 ， STW13N95K3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/19
文档ID15685版本3
STF13N95K3 ， STFI13N95K3 ， STP13N95K3 ， STW13N95K3
电气额定值
1
电气额定值
.
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220
TO-247
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
漏源电压
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
在重复或单最大电流
雪崩脉冲（脉冲宽度有限的
T
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
= 50 V)
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒; TC = 25 ° C）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
9
- 55 150
10
6
40
190
13
950
± 30
10
(1)
6
(1)
40
(1)
40
TO-220FP
I
2
PAKFP
V
V
A
A
A
W
A
单位
E
AS
400
mJ
V
ISO
dv / dt的
(3)
T
j
T
英镑
2500
V
V / ns的
°C
1.最高结温限制。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
PEAK
≤
V
（ BR ） DSS 。
表3中。
热数据
价值
符号
参数
TO-220
TO-247
TO-220FP
I
2
PAKFP
3.13
单位
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
62.5
0.66
50
° C / W
° C / W
62.5
文档ID15685版本3
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电气特性
STF13N95K3 ， STFI13N95K3 ， STP13N95K3 ， STW13N95K3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源导通
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
= 950V,
V
DS
= 950V ， TC = 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
3
4
0.68
分钟。
950
1
50
±10
5
0.85
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
o(tr)(1)
C
O（ ER ）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
(2)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效电容时
相关
等效电容
能源相关
内在的栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 0, V
DS
= 0 760 V
-
F = 1MHz的漏极开路
V
DD
= 760 V，I
D
= 10 A
V
GS
=10 V
（见
图20）
-
-
131
2.3
51
10
30
-
-
-
pF
nC
nC
nC
-
V
DS
= 100 V，F = 1兆赫，V
GS
=0
-
测试条件
分钟。
典型值。
1620
117
1.2
115
-
-
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
1.时间有关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当
V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
2.能源有关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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文档ID15685版本3
STF13N95K3 ， STFI13N95K3 ， STP13N95K3 ， STW13N95K3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 475 V，I
D
= 5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（见
图22）
分钟。
典型值。
18
16
50
21
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
=0
I
SD
= 10 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，
（见
图21）
I
SD
= 10 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，
TJ = 150 ° C（见
图21）
测试条件
分钟。
-
-
-
500
9
36
624
11
37
典型值。
马克斯。
10
40
1.6
单位
mA
A
V
ns
C
A
ns
C
A
-
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
测试条件
分钟。
30
典型值。
-
马克斯。
单位
V
栅源击穿电压的Ig ± 1mA时， （漏极开路）
内置的背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
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