添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第428页 > STW12NA50
STW12NA50
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
TYPE
STW12NA50
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
< 0.6
I
D
11.6 A
典型
DS （ ON）
= 0.5
±
30V栅极至源极电压额定值
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
GATE GHARGE MINIMIZED
化阈值电压蔓延
TO-247
3
2
1
描述
该系列功率MOSFET的代表
最先进的高电压技术。了选购
再加上一个新的专有timized小区布局
边缘终端同意给该设备的低
R
DS （ ON）
和栅极电荷，无与伦比的耐用性
和出色的开关性能。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
500
500
±
30
11.6
7.3
46.4
170
1.36
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1995年12月
1/9
STW12NA50
热数据
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
thj- AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
0.73
30
0.1
300
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
D D
= 50 V)
重复性雪崩能量
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
雪崩电流，重复或不重复
(T
c
= 100
o
C，脉冲宽度为T的限制
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
最大值
11.6
670
26.5
7.3
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DS S
I
摹SS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 0
分钟。
500
25
250
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流（V
S
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
的s （次）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 6 A
12
分钟。
2.25
典型值。
3
0.5
马克斯。
3.75
0.6
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 6 A
V
的s
= 0
分钟。
6
典型值。
9
1750
250
80
2500
370
130
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STW12NA50
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 250 V I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400 V I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
（见测试电路，图5 ）
V
DD
= 400 V I
D
= 12 A
V
的s
= 10 V
分钟。
典型值。
20
32
190
马克斯。
28
45
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
80
12
37
110
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V I
D
= 12 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
16
12
30
马克斯。
22
18
42
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 12 A
V
的s
= 0
600
10.2
34
I
SD
= 12 的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
（见测试电路，图5 ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
11.6
46.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/9
STW12NA50
降额曲线
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
4/9
STW12NA50
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
导通电流斜率
关断漏源电压斜率
交叉时间
5/9
STW12NA50
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
TYPE
STW12NA50
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
< 0.6
I
D
11.6 A
典型
DS （ ON）
= 0.5
±
30V栅极至源极电压额定值
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
GATE GHARGE MINIMIZED
化阈值电压蔓延
TO-247
3
2
1
描述
该系列功率MOSFET的代表
最先进的高电压技术。了选购
再加上一个新的专有timized小区布局
边缘终端同意给该设备的低
R
DS （ ON）
和栅极电荷，无与伦比的耐用性
和出色的开关性能。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
500
500
±
30
11.6
7.3
46.4
170
1.36
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1995年12月
1/9
STW12NA50
热数据
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
thj- AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
典型值
0.73
30
0.1
300
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
D D
= 50 V)
重复性雪崩能量
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
雪崩电流，重复或不重复
(T
c
= 100
o
C，脉冲宽度为T的限制
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
最大值
11.6
670
26.5
7.3
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DS S
I
摹SS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 0
分钟。
500
25
250
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流（V
S
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
的s （次）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 6 A
12
分钟。
2.25
典型值。
3
0.5
马克斯。
3.75
0.6
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 6 A
V
的s
= 0
分钟。
6
典型值。
9
1750
250
80
2500
370
130
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STW12NA50
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 250 V I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400 V I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
（见测试电路，图5 ）
V
DD
= 400 V I
D
= 12 A
V
的s
= 10 V
分钟。
典型值。
20
32
190
马克斯。
28
45
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
80
12
37
110
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V I
D
= 12 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
16
12
30
马克斯。
22
18
42
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 12 A
V
的s
= 0
600
10.2
34
I
SD
= 12 的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
（见测试电路，图5 ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
11.6
46.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/9
STW12NA50
降额曲线
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
4/9
STW12NA50
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
导通电流斜率
关断漏源电压斜率
交叉时间
5/9
查看更多STW12NA50PDF信息
推荐型号
SN74HC193DR
SY89535LHCTR
S-8520B30MC-ARP-T2
SI-60024-F
SN74ALS569ADWE4
SMP600G-EN
SN74LVT573PWRE4
SGS10N60RUFD
SI1903DL
SC149B
S-1132B48-U5T1G
S-80844CLY-x
SRDA05-6.T
S29GL032M10FBCR12
S3PDB60N14
SMBZ5239
SDR1210JUFUBS
S29AL008D55TAIR12
SST34HF1641J-70-4E-LSE
S71WS256ND0BFWE22
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STW12NA50
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STW12NA50
ST
2443+
23000
3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881243225 复制

电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
STW12NA50
ST/正品
13+
25800
TO-247
全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
STW12NA50
ST
24+
9850
TO-3P
官方授权代理商入驻
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
STW12NA50
ST
24+
21000
TO-247
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
STW12NA50
ST/意法
22+
100190
TO-247
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
STW12NA50
ST/意法
2024
20000
TO247
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
STW12NA50
ST
2024
19600
TO-247
原装现货上海库存，欢迎查询
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
STW12NA50
ST
21+
8100
TO3P
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
STW12NA50
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8774
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市成源运利电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ：3003494136 复制

电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
STW12NA50
ST
23+
3980
TO-247
火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!
查询更多STW12NA50供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！