STV250N55F3
N沟道55 V , 1.5毫欧, 250 A, PowerSO - 10
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STV250N55F3
■
■
V
DSS
55 V
R
DS ( ON)
最大
< 2.2毫欧
I
D
250 A
10
传导损耗而有所降低
低调,非常低的寄生电感
1
PowerSO-10
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部示意图和
连接图( TOP VIEW )
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征尺寸
条形基础的过程不那么重要调整
步骤,因此,显着的制造
重现。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
低栅极电荷。
表1中。
设备简介
订货编号
记号
250N55F3
包
PowerSO-10
包装
磁带和卷轴
STV250N55F3
2009年3月
转4
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www.st.com
12
目录
STV250N55F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
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STV250N55F3
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 27.5 V,I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V,
图13
V
DD
= 27.5 V,I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V,
图13
分钟。
典型值。
25
150
110
50
最大单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SD
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A,V
GS
= 0
I
SD
= 120 A, di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 35 V ,T
j
= 150 °C
图18
60
110
3.5
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
250
1000
1.5
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
2.
1.脉冲宽度有限的安全工作区
脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
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