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STV250N55F3
N沟道55 V , 1.5毫欧, 250 A, PowerSO - 10
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STV250N55F3
V
DSS
55 V
R
DS ( ON)
最大
< 2.2毫欧
I
D
250 A
10
传导损耗而有所降低
低调,非常低的寄生电感
1
PowerSO-10
应用
切换应用程序
图1 。
内部示意图和
连接图( TOP VIEW )
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征尺寸
条形基础的过程不那么重要调整
步骤,因此,显着的制造
重现。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
低栅极电荷。
表1中。
设备简介
订货编号
记号
250N55F3
PowerSO-10
包装
磁带和卷轴
STV250N55F3
2009年3月
转4
1/12
www.st.com
12
目录
STV250N55F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STV250N55F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
TOT (2)
E
的AS (3)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
工作结温
°C
价值
55
± 20
250
175
1000
300
2.0
1
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
J
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.该值是根据Rthj -C额定
3.
开始TJ = 25 ° C,I
D
= 60 A,V
DD
= 35 V
表3中。
符号
Rthj情况
RthJ -PCB
(1)
热数据
参数
热阻结案件最大。
热阻结-PCB最大。
价值
0.5
50
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在1英寸
2
FR - 4 2盎司铜
3/12
电气特性
STV250N55F3
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
分钟。
55
1
10
±100
2
1.5
4
2.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
V
DS
=最大额定值,
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值,T
c
= 125 °C
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
DS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V,I
D
= 75 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
6800
1450
15
100
30
26
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
V
DD
= 44 V,I
D
= 120 A,
V
GS
= 10 V
图14
4/12
STV250N55F3
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 27.5 V,I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V,
图13
V
DD
= 27.5 V,I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V,
图13
分钟。
典型值。
25
150
110
50
最大单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SD
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A,V
GS
= 0
I
SD
= 120 A, di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 35 V ,T
j
= 150 °C
图18
60
110
3.5
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
250
1000
1.5
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
2.
1.脉冲宽度有限的安全工作区
脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
5/12
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原装现货上海库存,欢迎查询
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