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STV160NF03LA
N沟道30V - 0.0021Ω - 160A PowerSO - 10
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STV160NF03LA
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
< 0.003
I
D
160 A
典型
DS
（上） = 0.0021
低阈值DRIVE
超低导通电阻
超快速开关
100％的雪崩测试
栅电荷极低
低调，非常低寄生
电感PowerSO -10封装
10
1
PowerSO-10
内部原理图
描述
该
STV160NF03LA
表示第二gen-
对特定应用意法半导体关合作
完善的基础上的STripFET 工艺
非常独特的带状布局的设计。由此产生的
MOSFET显示无与伦比的高堆积密度
超低导通电阻和出色的开关
charactestics 。流程简化也反式
鲈为提高生产重现性。
这种装置特别适用于大电流，
低电压开关应用中的效率
是至关重要的
应用
s
在BUCK变换器高
性能电信和VRM的DC-
DC转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(**)
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
连接图（ TOP VIEW ）
价值
30
30
± 15
160
113
640
210
1.4
330
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
注：标记将STV160NF03AL
2000年12月
(1) V
DD
= 35V ，我
D
= 45A ，R
G
= 22
,
L = 330μH ，起始物为
j
=25°C
（ ** ）有限公司唯一的最高结温允许
PowerSO-10
1/8
STV160NF03LA
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.71
50
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 15 V
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 45 A
V
GS
= 8 V，I
D
= 80 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 80 A ;吨
j
= 175 °C
V
GS
= 8 V，I
D
= 80 A;牛逼
j
= 175 °C
V
GS
= 5 V，I
D
= 40 A;牛逼
j
= 175 °C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
V
GS
= 10V
160
分钟。
1
2.1
2.05
2.2
4.2
3
3
4
7
6.6
8.8
15.4
典型值。
马克斯。
单位
V
m
m
m
m
m
m
m
A
I
D（上）
在国家漏极电流
动态
符号
g
fs
(1)
R
g
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
S
参数
正向跨导
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输
电容
输入电容
输出电容
反向传输
电容
内部源极电感
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 80 A
V
DS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
210
1.1
5350
1700
300
8200
12400
5200
3
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
pF
pF
nH
V
DS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
从引线端（6毫米的
包主体）的模
中心
L
D
内部排水电感
不可用表面安装
包
2/8
STV160NF03LA
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 80 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 24 V，I
D
= 160 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
30
380
123
21
40
160
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 80 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
VCLAMP = 24 V，I
D
= 40 A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
100
150
95
35
75
110
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
I
SD
= 160 A，V
GS
= 0
I
SD
= 160A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
80
ns
180
4.5
nC
A
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
160
640
1.5
单位
A
A
V
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
STV160NF03LA
输出特性
转院特点
Tranconductance
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STV160NF03LA
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
基本示意图主板VRM蒙山
同步整流
基本原理场效应管开关使用
二次侧的一个刚愎转换中
5/8
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