STU9NB80
N沟道800V - 0.85Ω - 9.3A - TO- 247
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STU9NB80
s
s
s
s
s
s
V
DSS
800 V
R
DS ( ON)
<1
I
D
9 A
典型
DS ( ON)
= 0.85
DV dt能力极高/
±
30V栅极至源极电压额定值
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
1
2
3
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中,意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构,给出了
单位面积最低的RDS(on ) ,特殊的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
大电流,高开关速度
s
开关模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
Max220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
合计
的dv / dt (
1
)
T
s TG
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
800
800
±
30
9
5.6
36
160
1.28
4
-65到150
150
(1) I
SD
≤
9.3A , di / dt的
≤
200A/
S,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, TJ
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
o
o
C
C
(
)脉冲宽度有限的安全工作区
1999年7月
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