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STD8NM50N ， STP8NM50N ， STU8NM50N
N沟道500 V ， 0.73
Ω
（典型值） ， 5 A的MDmesh II 功率MOSFET
在DPAK ， TO- 220和IPAK包
数据表 - 生产数据
特点
TAB
订购代码
STD8NM50N
STP8NM50N
STU8NM50N
■
■
■
V
DSS
@T
JMAX
R
DS （ ON）
马克斯。
550 V
< 0.79
Ω
I
D
1
3
5A
TAB
DPAK
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
1
2
3
1
TAB
3
2
应用
■
TO-220
IPAK
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用的第二代开发
的MDmesh 技术。这一革命性的力量
MOSFET相关联的垂直结构的
公司的带布局，产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此，适用于最苛刻的高
效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
套餐
DPAK
8NM50N
TO-220
管
IPAK
包装
磁带和卷轴
订购代码
STD8NM50N
STP8NM50N
STU8NM50N
2012年9月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 17413第6版
1/19
www.st.com
19
目录
STD8NM50N ， STP8NM50N ， STU8NM50N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/19
文档ID 17413第6版
STD8NM50N ， STP8NM50N ， STU8NM50N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
P
合计
dv / dt的
(1)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
500
± 25
5
3
45
15
- 55 150
150
单位
V
V
A
A
W
V / ns的
°C
°C
1. I
SD
≤
7 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, V
DS
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
热数据
价值
参数
DPAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结到PCB最大
最大无铅焊接温度的
用途
50
300
IPAK
2.78
100
62.5
TO-220
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
2
140
单位
A
mJ
文档ID 17413第6版
3/19
电气特性
STD8NM50N ， STP8NM50N ， STU8NM50N
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
(V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1毫安
分钟。
500
1
100
± 100
2
3
0.73
4
0.79
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
零栅极电压
V
DS
= 500 V
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 500 V ，T
C
= 125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
oss(eq)(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容时间
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
364
33
1.2
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0至50V ，V
GS
= 0
-
147.5
-
pF
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 400 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V
（见
图16）
-
5.4
14
3
7
-
Ω
nC
nC
nC
-
-
1.科斯EQ 。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/19
文档ID 17413第6版
STD8NM50N ， STP8NM50N ， STU8NM50N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 5 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图15）
分钟。
典型值。
7
4.4
25
8.8
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图20）
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图20）
测试条件
分钟。
-
-
-
187
1.3
14
224
1.5
13
典型值。
MAX 。 UNIT
5
20
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 17413第6版
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    STU8NM50N
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