STB5N52K3 ， STD5N52K3 ， STF5N52K3
STP5N52K3 ， STU5N52K3
N沟道525 V， 1.2
Ω
4.4 SuperMESH3 功率MOSFET
,
DPAK ， DPAK ，TO- 220FP ， TO-220， IPAK
特点
订购代码
STB5N52K3
STD5N52K3
STF5N52K3
STP5N52K3
STU5N52K3
■
■
■
■
■
■
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
I
D
P
w
70 W
70 W
25 W
70 W
70 W
3
1
2
1
3
1
3
2
525 V
< 1.5
Ω
4.4 A
TO-220
DPAK
TO-220FP
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
改进的二极管的反向恢复
特征
齐纳保护
IPAK
2
1
3
3
1
DPAK
图1 。
内部原理图
D(2)
应用
切换应用程序
描述
这些设备所使用的制作
SuperMESH3 功率MOSFET技术，
通过应用改进获得
意法半导体的超网技术
结合了新的优化的垂直结构。
所得到的产品具有非常低的上
性，卓越的动态性能和
高雪崩性能，使其特别
适用于最苛刻的应用。
表1中。
设备简介
记号
G(1)
S(3)
AM01476v1
订购代码
STB5N52K3
STD5N52K3
STF5N52K3
STP5N52K3
STU5N52K3
2010年12月
包
DPAK
包装
磁带和卷轴
DPAK
5N52K3
TO-220FP
TO-220
IPAK
文档ID 16952第2版
1/23
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23
管
目录
STB5N52K3 ， STD5N52K3 ， STF5N52K3 ， STP5N52K3 ， STU5N52K3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
2/23
文档ID 16952第2版
STB5N52K3 ， STD5N52K3 ， STF5N52K3 ， STP5N52K3 ， STU5N52K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
DPAK
DPAK
IPAK
525
单位
TO-220FP
V
V
4.4
(1)
2.77
(1)
17.6
(1)
25
2.2
100
12
2500
- 55 150
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
V
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
漏源电压
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐受电压（ AC）的
工作结温
储存温度
4.4
2.77
17.6
70
±
30
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
4.4 A， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DS
PEAK
≤
V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
.
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220 DPAK TO- 220FP IPAK DPAK
热阻结案件
马克斯。
热阻
结到环境最大
热阻结到PCB
马克斯。
铅的最大温度
焊接用途
300
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
J
1.79
62.5
30
5
100
1.79
° C / W
° C / W
50
° C / W
° C / W
300
文档ID 16952第2版
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电气特性
STB5N52K3 ， STD5N52K3 ， STF5N52K3 ， STP5N52K3 ， STU5N52K3
2
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
525
1
50
10
3
3.75
1.2
4.5
1.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
Ω
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V; V
DS
=0
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。 （1）
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
545
45
8
33
4.7
17
3
10
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
V
DS
= 100 V，F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 420 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 420 V，I
D
= 4.4 A,
V
GS
= 10 V
（参见图19）
-
-
-
-
-
-
1. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
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文档ID 16952第2版
STB5N52K3 ， STD5N52K3 ， STF5N52K3 ， STP5N52K3 ， STU5N52K3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 420 V，I
D
= 4.4 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
分钟。
典型值。
9
11
29
16
最大单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4.4 A，V
GS
= 0
I
SD
= 4.4 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V
（参见图20）
I
SD
= 4.4 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V T，
J
= 150 °C
（参见图20）
测试条件
分钟。典型值。最大
-
-
-
210
1.3
12
240
1.6
13
4.4
17.6
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ±1 MA（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
-
MAX 。 UNIT
V
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
文档ID 16952第2版
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