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STU/D413S
S A mHop微电子 ORP 。
版本1.0
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
产品概述
V
DSS
-40V
特点
超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
坚固可靠。
Suface贴装封装。
ESD保护。
I
D
-19A
R
DS （ ON）
(m
）最大
48
@
VGS=10V
78
@
VGS=4.5V
G
S
G
D
S
STU系列
TO - 252AA （D - PAK ）
STD系列
TO - 251 （ I - PAK ）
绝对最大额定值（
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
a
极限
-40
±20
-19
-15
-58
16
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=70°C
d
-Pulsed
b
事务所脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
T
C
=25°C
T
C
=70°C
32
20
-55到150
工作结存储
温度范围
热特性
R
JC
热阻，结到外壳
a
R
JA
热阻，结到环境
4
a
° C / W
° C / W
50
详细信息如有变更，恕不另行通知。
Aug,08,2008
1
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STU/D413S
版本1.0
电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
4
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-32V , V
GS
=0V
民
典型值
最大
单位
V
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
-40
1
±10
uA
uA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-9.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-7.5A
V
DS
= -10V ，我
D
=-9.5A
-1
-1.8
38
58
10
-3
48
78
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
c
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
895
138
67
14
14
54
10
14.5
7
2.1
3.4
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=-20V
I
D
=-1.0A
V
GS
=-10V
R
根
= 3.3欧姆
V
DS
=-20V,I
D
=-9.5A,V
GS
=-10V
V
DS
=-20V,I
D
=-9.5A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-20V,I
D
=-9.5A,
V
GS
=-10V
漏源二极管的特性和最大额定值
Is
最大连续漏源正向电流
V
SD
二极管的正向电压
b
-2.0
-0.77
-1.3
A
V
V
GS
=0V,I
S
= -2.0A
笔记
_
a.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=0.5mH,V
DD
= 20V （见Figure13 ）
Aug,08,2008
2
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STU/D413S
版本1.0
20
V
的s
=-10V
V
的s
=-4.5V
V
的s
=-5V
15
I
D
，漏电流（ A）
V
的s
=-4V
12
V
的s
=-3.5V
8
4
I
D
，漏电流（ A）
16
12
9
6
25 C
3
125 C
V
的s
=-3V
-55 C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.输出特性
120
100
图2.传输特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0
V
的s
=-4.5V
I
D
=-7.5A
V
的s
=-10V
I
D
= -9.5A
R
DS （ ON）
(m
)
80
V
的s
=-4.5V
60
40
V
的s
=-10V
20
1
1
4
8
12
16
20
R
DS （ ON）
，导通电阻
归
0
25
50
75
100
125
150
T J （
°C )
I
D
，漏电流（ A）
TJ ，结温（ ° C）
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.2
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
BVDSS ，归
漏源击穿电压
1.15
I
D
=-250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
75 100 125 150
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.门阈值变化
随温度
图6.击穿电压变化
随温度
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3
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STU/D413S
版本1.0
120
100
20.0
是，源极 - 漏极电流（ A）
I
D
=-9.5A
10.0
5.0
75 C
125 C
125
R
DS （ ON）
(m
)
80
125 C
60
40
20
0
75 C
25 C
25 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0
0.24
0.48
0.72
0.96
1.20
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.导通电阻与
栅源电压
1500
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
V
GS
，门源电压（ V）
1250
C，电容（pF ）
8
6
4
2
0
0
C为S
1000
750
500
COS。S
250
0
0
5
10
15
20
25
30
RS s
V
DS
= -20V
I
D
=-9.5A
3
6
9
12
15
18
21 24
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图9.电容
图10.栅极电荷
600
100
I
D
，漏电流（ A）
it
1m
s
10
切换时间（纳秒）
100
60
10
TD （关闭）
Tr
TD （上）
Tf
10
R
DS
(O
L
N)
im
0u
s
10
DC
ms
1
1
6 10
V DS = -20V ，ID = -1A
V G S = -10V
1
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
1
10
40
100
60 100 300 600
0.1
RG ，栅极电阻（
)
V
DS
，漏源电压（V ）
图11.开关特性
图12.最大安全工作区
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4
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STU/D413S
版本1.0
15V
V
（ BR ）D S S小
tp
VDS
L
，D R IVE
RG
20V
.U .T
IA
S
tp
+
- VD
A
0.0 1
I
AS
非钳位感应测试电路
F igure 13A 。
非钳位感应波形
F igure 13B 。
2
1
D=0.5
归一化瞬时
热阻
0.2
0.1
0.1
P
DM
0.05
0.02
0.01
S荷兰国际集团乐P ULS ê
0.01
10
-5
-4
-3
-2
-1
t
1
t
2
1.
2.
3.
4.
10
10
10
R
J A
（吨） = R （t）的R *
J A
R
J A
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
J A
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
1
10
10
方波脉冲持续时间（秒）
图14.归瞬态热阻抗曲线
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5
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SST30VR023-500-C-WH
SDX15G2-A
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