【绿色产品STU411D版本1.0S A mHop微电子 ORP 。双增强模式场效应晶体管（ N和P沟】,IC型号STU411D,STU411D PDF资料,STU411D经销商,ic,电子元器件-51电子网

绿色

产品

STU411D

版本1.0

S A mHop微电子 ORP 。

双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道）

产品概要（ N沟道）

DSS

40V

产品概要（ P沟道）

DSS

-40V

15A

DS （ ON）

）最大

VGS=10V

-12A

DS （ ON）

）最大

VGS=-10V

VGS=-4.5V

VGS=4.5V

D1/D2

TO-252-4L

N沟道

P -CH

绝对最大额定值（

=25

C除非另有说明

)

符号

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流连续

-Pulsed

=25°C

=70°C

N沟道P沟道

-40

±20

-12

-10

-36

6.7

-55到150

单位

°C

事务所脉冲雪崩能量

最大功率耗散

=25°C

=70°C

工作结存储

温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

° C / W

详细信息如有变更，恕不另行通知。

Sep,04,2008

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STU411D

版本1.0

N沟道电气特性

(

=25

C除非另有说明

)

符号

参数

条件

= 0V时，我

=250uA

=32V , V

=0V

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

门体漏电流

GSS

基本特征

栅极阈值电压

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源导通电阻

正向跨导

= ±20V , V

=0V

±10

, I

=250uA

= 10V ，我

=15A

= 4.5V ，我

=13A

= 5V ，我

=15A

1.25

1.5

兆欧

动态特性

输入电容

国际空间站

输出电容

OSS

反向传输电容

RSS

开关特性

D（上）

导通延迟时间

上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

=20V,V

=0V

f=1.0MHz

623

2.2

=20V

=1A

=10V

根

= 3.3欧姆

=20V,I

=15A,V

=10V

=20V,I

=15A,V

=4.5V

=20V,I

=15A,

=10V

10.5

10.6

9.6

9.5

4.5

1.6

2.3

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

二极管的正向电压

=0V,I

=2.2A

0.78

1.2

Sep,04,2008

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STU411D

版本1.0

P沟道电气特性

(

=25

C除非另有说明

)

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

门体漏电流

GSS

基本特征

栅极阈值电压

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源导通电阻

正向跨导

= 0V时，我

=-250uA

=-32V , V

=0V

-40

-1

±10

= ±20V , V

=0V

, I

=-250uA

= -10V ，我

=-12A

= -4.5V ，我

=-10A

= -5V ，我

=-12A

-1.25

-1.6

-3

兆欧

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

=-20V,V

=0V

f=1.0MHz

895

138

开关特性

D（上）

导通延迟时间

上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

=-20V

=-1A

=-10V

根

= 3欧姆

=-20V,I

=-12A,V

=-10V

=-20V,I

=-12A,V

=-4.5V

=-20V,I

=-12A,

=-10V

14.5

2.1

3.4

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

二极管的正向电压

=0V,I

=-2.0A

-0.77

-2.0

-1.2

笔记

a.Surface安装在FR4板，T < 10秒。

b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％。

设计c.Guaranteed ，不受生产测试。

d.Starting牛逼

=25

C,L=0.5mH,V

= 20V,V

= 10V （见Figure13 ）

Sep,04,2008

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STU411D

版本1.0

N沟道

的s

=10V

的s

=4.5V

的s

=4V

，漏电流（ A）

的s

=3.5V

，漏电流（ A）

T J = 125℃

-55 C

的s

=3V

的s

=2.5V

0.5

1.5

2.5

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

4.8

，漏极至源极电压（ V）

，栅 - 源极电压（ V）

图1.输出特性

图2.传输特性

1.5

DS （ ON）

，导通电阻

归

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.0

的s

=4.5V

=13A

DS （ ON）

)

的s

=4.5V

的s

=10V

的s

=10V

=15A

100

125

，漏电流（ A）

TJ ，结温（ ° C）

150

T J （

°C )

图3.导通电阻与漏电流

与栅极电压

1.2

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度

BVDSS ，归

漏源击穿电压

1.15

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

-50

-25

的s

=250uA

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

-50

100 125 150

-25

100 125 150

TJ ，结温（ ° C）

图5.门阈值变化

随温度

图6.击穿电压变化

随温度

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版本1.0

20.0

是，源极 - 漏极电流（ A）

=15A

10.0

DS （ ON）

)

125 C

75 C

25 C

5.0

125 C

75 C

25 C

1.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

，栅 - 源极电压（ V）

，体二极管正向电压（ V）

图7.导通电阻与

栅源电压

1200

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

，门源电压（ V）

1000

C，电容（pF ）

=20V

=15A

800

西塞

600

400

科斯

200

CRSS

14 16

，漏极至源极电压（ V）

QG ，总栅极电荷（ NC）

图9.电容

图10.栅极电荷

1000

100

DC S

，漏电流（ A）

切换时间（纳秒）

100

TD （关闭）

(

TD （上）

VDS=20V,ID=1A

VGS=10V

60 100

0.1

的s

=10V

S英格尔P ulse

T C = 25°C

100

RG ，栅极电阻（

)

，漏源电压（V ）

图11.开关特性

图12.最大安全工作区

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