【S T U409DHS amHop微电子 ORP 。2007年5月29日双ê nhancement模】,IC型号STU409DH,STU409DH PDF资料,STU409DH经销商,ic,电子元器件-51电子网

S T U409DH

S amHop微电子 ORP 。

2007年5月29日

双ê nhancement模式域E ffect晶体管（ N和P沟道）

P ODUC牛逼S UMMAR

（ N-C hannel ）

DS S

40V

P ODUC牛逼S UMMAR

（P - C hannel ）

DS S

-40V

18A

DS （ ON）（M

)

最大

-14A

DS （ ON）（M

)

最大

24 @ V

的s

= 10V

30 @ V

的s

= 4.5V

35 @ V

的s

= -10V

50 @ V

的s

= -4.5V

D1/D2

TO-252-4L

N沟道

P -CH

ABS OLUTE最大R ATINGS （T

= 25°C除非另有说明）

P ARAMETER

漏-S环境允许的电压

门-S环境允许的电压

漏光凭目前 -C ontinuous @锝

-P ulsed

S ymbol

25 C

70 C

TC = 25℃

TC = 70℃

, T

s TG

N-C hannel P-C hannel

7.7

-55至175

-40

-14

-11

-50

-6

单位

漏-S环境允许的二极管正向光凭目前

最大P奥尔耗散

工作结点和S torage

温度法兰

第r MAL HAR AC TE R是TIC S

热 esistance ，结到C的酶

热 esistance ，结到环境

13.6

120

C / W

S T U409DH

N沟道电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

条件

= 0V时，我

= 250uA

= 32V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 10V ，我

= 8A

= 4.5V ，我

= 6A

= 5V, V

= 4.5V

= 10V ，我

= 8A

最小值典型值

最大单位

1.8

700

120

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

兆欧

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

为s

OS s

RSS

=20V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= 20V

= 3 A

= 10V

= 3欧姆

= 20V ，我

=8A,V

=10V

= 20V ，我

=8A,V

=4.5V

= 20V ，我

= 8 A

=10V

1.6

3.4

S T U409DH

P沟道电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

条件

= 0V时，我

= -250uA

= -32V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= -250uA

= -10V ，我

= -6A

= -4.5V ，我

= -4A

= -5V, V

= -10V

= -10V ，我

= -6A

最小值典型值

最大单位

-40

-1

-1.8

-20

1000

175

-3

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

兆欧

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

为s

OS s

RSS

=-20V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= -20V

= -3A

= -10V

= 3欧姆

= -20V ，我

=-6A,V

=-10V

= -20V ，我

=-6A,V

=-4.5V

= -20V ，我

= -6 A

=-10V

17.5

8.5

2.3

4.5

S T U409DH

电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

条件

= 0V ，是= 8A

= 0V ，是= -6A

N沟道

P沟道

最小典型最大单位

0.94

-0.87

1.3

-1.3

漏源二极管的特性

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度

＜

300μS ，占空比

＜

2%.

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

N沟道

的s

=5V

的s

=4.5V

的s

=10V

，排水光凭目前（A ）

的s

=3.5V

的s

=3V

的s

=2.5V

，排水光凭目前（A ）

的s

=4V

T J = 125℃

25 C

-55 C

0.5

1.5

2.5

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

4.8

，漏到-S环境允许的电压（V ）

的s

地下吃到-S环境允许的电压（V）

F igure 1输出C haracteris抽动

2.0

F igure 2.跨FER haracteris抽动

DS （ ON）

，在-R es是tance

归

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.0

的s

=4.5V

=6A

的s

=10V

=8A

DS （ ON）

)

的s

=10V

的s

=4.5V

100

125

150

T J （ C）

，排水光凭目前（A ）

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前

和G吃了V oltage

F igure 4.在-R es是tance与变化

排水光凭目前与温度

STU409DH

DSS

归一化

漏源击穿电压

Vth时，归一化

门源阈值电压

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

-50 -25

100 125 150

=250uA

1.40

=250uA

1.30

1.20

1.10

1.00

0.90

0.80

-50

-25

100 125 150

TJ ，结温（ C）

图5.门阈值变化

随温度

图6.击穿电压变化

随温度

20.0

=8A

DS （ ON）

)

125 C

75 C

25 C

是，源极 - 漏极电流（ A）

10.0

25 C

125 C

75 C

1.0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，栅极 - 源极电压（ V）

，体二极管正向电压（ V）

图7.导通电阻与

栅源电压

图8.体二极管正向电压

变化与源电流

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