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S T U409DH
S amHop微电子 ORP 。
2007年5月29日
双ê nhancement模式域E ffect晶体管（ N和P沟道）
P ODUC牛逼S UMMAR
（ N-C hannel ）
V
DS S
40V
P ODUC牛逼S UMMAR
（P - C hannel ）
V
DS S
-40V
I
D
18A
R
DS （ ON） （M
W
)
最大
I
D
-14A
R
DS （ ON） （M
W
)
最大
24 @ V
的s
= 10V
30 @ V
的s
= 4.5V
D
1
35 @ V
的s
= -10V
50 @ V
的s
= -4.5V
D
2
D1/D2
G
1
G
2
S1
G1
S2
G2
TO-252-4L
S
1
N沟道
S
2
P -CH
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @锝
-P ulsed
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
D
I
DM
I
S
TC = 25℃
TC = 70℃
P
D
T
J
, T
s TG
N-C hannel P-C hannel
40
20
18
15
50
8
11
7.7
-55至175
-40
20
-14
-11
-50
-6
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
1
R
JC
R
JA
13.6
120
C / W
C / W
S T U409DH
N沟道电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
b
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 8A
最小值典型值
C
最大单位
40
1
10
1
1.8
18
23
20
17
700
120
75
3
V
uA
uA
V
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
a
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
24
兆欧
30
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
b
V
DS
=20V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 20V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10V
R
GE
= 3欧姆
V
DS
= 20V ，我
D
=8A,V
GS
=10V
V
DS
= 20V ，我
D
=8A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 20V ，我
D
= 8 A
V
GS
=10V
2
11
12
45
11
14
7
1.6
3.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T U409DH
P沟道电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
b
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
GS
= -10V ，我
D
= -6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4A
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
DS
= -10V ，我
D
= -6A
最小值典型值
C
最大单位
-40
-1
10
-1
-1.8
28
42
-20
11
1000
175
95
-3
V
uA
uA
V
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
a
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
35
兆欧
50
兆欧
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
C
为s
C
OS s
C
RSS
b
V
DS
=-20V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= -20V
I
D
= -3A
V
GS
= -10V
R
GE
= 3欧姆
V
DS
= -20V ，我
D
=-6A,V
GS
=-10V
V
DS
= -20V ，我
D
=-6A,V
GS
=-4.5V
V
DS
= -20V ，我
D
= -6 A
V
GS
=-10V
3
11
15
72
30
17.5
8.5
2.3
4.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T U409DH
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 8A
V
GS
= 0V ，是= -6A
N沟道
P沟道
最小典型最大单位
0.94
-0.87
1.3
-1.3
C
漏源二极管的特性
b
V
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度
＜
300μS ，占空比
＜
2%.
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
N沟道
50
V
的s
=5V
20
V
的s
=4.5V
V
的s
=10V
40
16
I
D
，排水光凭目前 （A ）
30
V
的s
=3.5V
20
V
的s
=3V
V
的s
=2.5V
0
0
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V
的s
=4V
12
T J = 125℃
8
25 C
4
0
-55 C
10
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
60
2.0
F igure 2.跨FER haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
50
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.0
V
的s
=4.5V
I
D
=6A
V
的s
=10V
I
D
=8A
R
DS （ ON）
(m
W
)
40
30
20
V
的s
=10V
10
0
V
的s
=4.5V
1
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
T J （ C）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前
和G吃了V oltage
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
4
STU409DH
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
Vth时，归一化
门源阈值电压
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
1.40
I
D
=250uA
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
6
TJ ，结温（ C）
TJ ，结温（ C）
图5.门阈值变化
随温度
60
图6.击穿电压变化
随温度
20.0
I
D
=8A
50
R
DS （ ON）
(m
W
)
40
125 C
30
20
75 C
10
0
25 C
是，源极 - 漏极电流（ A）
10.0
25 C
125 C
75 C
0
2
4
6
8
10
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
，栅极 - 源极电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.导通电阻与
栅源电压
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
5
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