【S T U404DS amHop微电子 ORP 。月， 2005年03双ê nhancement模式】,IC型号STU404D,STU404D PDF资料,STU404D经销商,ic,电子元器件-51电子网

S T U404D

S amHop微电子 ORP 。

月， 2005年03

双ê nhancement模式域E ffect晶体管（ N和P沟道）

P ODUC牛逼S UMMAR

（ N-C hannel ）

DS S

40V

P ODUC牛逼S UMMAR

（P - C hannel ）

DS S

-40V

16A

DS （ ON）（M

)

最大

-12A

DS （ ON）（M

)

最大

30 @ V

的s

= 10V

40 @ V

的s

= 4.5V

D1/D2

48 @ V

的s

= -10V

65 @ V

的s

= -4.5V

TO-252-4L

N沟道

P -CH

ABS OLUTE最大R ATINGS （T

= 25°C除非另有说明）

P ARAMETER

漏-S环境允许的电压

门-S环境允许的电压

漏光凭目前 -C ontinuous @锝

-P ulsed

S ymbol

25 C

70 C

TC = 25℃

TC = 70℃

, T

s TG

N-C hannel P-C hannel

13.8

7.7

-55至175

-40

-12

-10

-50

-6

单位

漏-S环境允许的二极管正向光凭目前

最大P奥尔耗散

工作结点和S torage

温度法兰

第r MAL HAR AC TE R是TIC S

热 esistance ，结到C的酶

热 esistance ，结到环境

13.6

120

C / W

S T U404D

N沟道电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

条件

= 0V时，我

= 250uA

= 32V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= 250uA

= 10V ，我

= 8A

= 4.5V ，我

= 6A

= 5V, V

= 4.5V

= 10V ，我

= 8A

最小值典型值

最大单位

100 nA的

1.8

885 1050

105

0.32

8.6

2.2

4.8

兆欧

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

栅极电阻

为s

OS s

RSS

=25V, V

= 0V

F = 1.0MH

=0V, V

= 0V ， F = 1.0MH

= 20V

= 1 A

= 10V

= 3.3欧姆

= 28V ，我

=8A,V

=10V

= 28V ，我

=8A,V

=4.5V

欧姆

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= 28V ，我

= 8 A

=10V

S T U404D

P沟道电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

S ymbol

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

条件

= 0V时，我

= -250uA

= -32V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= -250uA

= -10V ，我

= -6A

= -4.5V ，我

= -4A

= -5V, V

= -10V

= -10V ，我

= -6A

最小值典型值

最大单位

-40

-1

100 nA的

-1

-1.6

-20

980 1150

135

2.2

20.7

1.5

6.2

-3

兆欧

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老 esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

EVERSE传输电容

栅极电阻

为s

OS s

RSS

=-25V, V

= 0V

F = 1.0MH

=0V, V

= 0V ， F = 1.0MH

= -20V

= -1A

= -10V

= 3.3欧姆

= -28V ，我

=-6A,V

=-10V

= -28V ，我

=-6A,V

=-4.5V

欧姆

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= -28V ，我

= -6 A

=-10V

S T U404D

电气特性（T

= 25°C除非另有说明）

参数

二极管的正向电压

符号

条件

= 0V ，是= 8A

= 0V ，是= -6A

N沟道

P沟道

最小典型最大单位

0.98

-0.9

1.2

-1.2

漏源二极管的特性

笔记

a.Pulse测试：脉冲宽度

＜

300μS ，占空比

＜

2%.

设计b.Guaranteed ，不受生产测试。

N沟道

的s

=4V

的s

=4.5V

的s

=8V

，排水光凭目前（A ）

的s

=10V

T J = 125℃

25 C

-55 C

的s

=3V

0.5

1.5

2.5

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

4.8

，漏到-S环境允许的电压（V ）

的s

地下吃到-S环境允许的电压（V）

F igure 1输出C haracteris抽动

1.5

F igure 2.跨FER haracteris抽动

DS （ ON）

，在-R es是tance

归

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.0

的s

=10V

=8A

DS （ ON）

)

的s

=4.5V

的s

=10V

的s

=4.5V

=6A

100

125

150

T J （ C）

，排水光凭目前（A ）

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前

和G吃了V oltage

F igure 4.在-R es是tance与变化

排水光凭目前与温度

S T U404D

B V

DS S

归一化

漏-S环境允许B reakdown V oltage

V th时，归一化

摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

-50 -25

100 125 150

的s

=250uA

1.40

=250uA

1.30

1.20

1.10

1.00

0.90

0.80

-50 -25

100 125 150

T J ，J油膏牛逼emperature （ C）

F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation

以T emperature

120

F igure 6. B reakdown V oltage V ariation

以T emperature

20.0

125 C

=8A

是，S环境允许的漏电流（ A）

100

10.0

DS （ ON）

)

25 C

75 C

125 C

25 C

75 C

1.0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

的s

，G ate- S环境允许的电压（V ）

S.D。

，B ODY二极管F orward V oltage （ V）

F igure 7.在-R es是tance VS 。

摹吃-S环境允许的V oltage

F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage

V ariation带S环境允许光凭目前

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