STU36NB20
N沟道增强模式
的PowerMESH MOSFET
初步数据
TYPE
STU36NB20
s
s
s
s
s
s
V
DSS
200 V
R
DS ( ON)
< 0.065
I
D
36 A
典型
DS ( ON)
= 0.052
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
±
30V栅极至源极电压额定值
1
2
3
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中, SGS - Thomson还设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构,给出了
低R
DS ( ON)
单位面积,出色的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
开关模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
Max220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
的dv / dt (
1
)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额F演员
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
价值
200
200
±
30
36
23
144
160
1.28
5.5
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤36A,
的di / dt
≤
200 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, TJ
≤
T
JMAX
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
o
o
o
C
C
1/6
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1998年1月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
STU36NB20
电气特性
(续)
接通
SYMB OL
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 100 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 160 V
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 36 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
35
40
70
22
35
马克斯。
47
55
95
取消它
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
SYMB OL
t
R( VOF F)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 160 V I
D
= 36 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
18
22
42
马克斯。
24
30
57
取消它
ns
ns
ns
源漏二极管
SYMB OL
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 36 A
V
GS
= 0
350
2.3
13
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
典型值。
马克斯。
36
144
1.5
取消它
A
A
V
ns
C
A
I
SD
=十六条的di / dt = 100 A / μs的
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 50 V
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
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