S T U312D
S amHop微电子 ORP 。
2008年10月8日
双ê nhancement模式域E ffect晶体管（ N和P沟道）
P ODUC牛逼S UMMAR
（ N-C hannel ）
V
DS S
30V
P ODUC牛逼S UMMAR
（P - C hannel ）
V
DS S
-30V
I
D
18A
R
DS （ ON） （M
)
最大
I
D
-14A
R
DS （ ON） （M
)
最大
24 @ V
的s
= 10V
36 @ V
的s
= 4.5V
D
1
34 @ V
的s
= -10V
54 @ V
的s
= -4.5V
D
2
D1/D2
G
1
G
2
S1
G1
S2
G2
TO-252-4L
S
1
N沟道
S
2
P -CH
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @锝
-P ulsed
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
DM
I
S
TC = 25℃
P
D
TC = 70℃
I
D
N-C hannel P-C hannel
30
24
18
15
50
10
11
7.7
-30
24
-14
-12
-50
-6
单位
V
V
A
A
A
A
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
W
C
T
J
, T
s TG
-55至175
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
R
JC
R
JA
1
13.6
120
C / W
C / W
S T U312D
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 10A
V
GS
= 0V ，是= -6A
N沟道
P沟道
最小典型最大单位
0.9
-0.9
1.3
-1.3
C
漏源二极管的特性
b
V
笔记
a.Pulse测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
N沟道
48
V
的s
=4.5V
40
16
20
I
D
，排水光凭目前 （A ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V
的s
=8V
32
V
的s
=10V
-55 C
12
T J = 125℃
8
25 C
4
0
24
16
8
0
V
的s
=3.5V
V
的s
=3V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
4.8
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
30
1.5
F igure 2.跨FER haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
25
V
的s
=4.5V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.0
V
的s
=4.5V
I
D
=8A
V
的s
=10V
I
D
=10A
R
DS （ ON）
(m
)
20
15
V
的s
=10V
10
5
0
1
6
12
18
24
30
0
25
50
75
100
125
150
T J （ C）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前
和G吃了V oltage
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
4
S T U312D
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.20
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
6
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
60
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=10A
是，S环境允许的漏电流（ A）
50
10.0
125 C
R
DS （ ON）
(m
)
40
125 C
30
75 C
20
10
0
25 C
25 C
75 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
的s
，G ate- S环境允许的电压（V ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
5
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