S T U / D2040P L
S amHop微电子 ORP 。
Nov.18,2004
P - C hannel ê nhancement模式的MOS FE牛逼
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
-40V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
I
D
-20A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
45 @ V
的s
= -10V
60 @ V
的s
= -4.5V
- [R ugged可靠。
TO- 252和TO- 251 P ackage 。
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU性S E IE S
TO- 252AA （D -P AK ）
的TD性S E IE S
的TO- 251 （1- P AK）的
S
AB公司的OL UTE最大R ATINGS
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
(T
A
= 25℃ unles s otherwis 说明）
S ymbol
V
DS
V
GS
极限
-40
20
-20
-16.7
-84
-20
50
35
-55至175
W
C
单位
V
V
A
A
A
A
25 C
70 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
TA = 25℃
TA = 70℃
工作结点和S torage
温度法兰
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到C的酶
热 esistance ，结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
S T U / D2040P L
P沟道电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
= -16A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -10A
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
DS
= -10V ，我
D
= -15A
最小值典型值
C
最大单位
-40
1
V
uA
100 nA的
-0.8 -1.5
35
46
50
15
1115 1250
200
125
3
11.5
7.3
53.1
31.8
19.5
9.4
4.1
2.8
13
8.5
62
37
22
11
4.8
3.2
225
140
-2.0
45
60
V
兆欧
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
栅极电阻
V
DS
=-10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1.0MH
Z
V
DD
= -24V
I
D
= -16 A
V
GS
= -10V
R
GE
= 4.7欧姆
VDS = -24V ， ID = -16A ， VGS = -10V
VDS = -24V ， ID = -16A ， VGS = -4.5V
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= -24V ，我
D
= -16A
V
GS
=-10V
2
S T U / D2040P L
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= -20A
最小典型最大单位
-1.02
-1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计b.Guaranteed ，不受生产测试。
20
-V
的s
=10V
20
-55 C
25 C
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
16
-V
的s
=4V
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
-V
的s
=4.5V
12
-V
的s
=3V
15
T J = 125℃
10
8
4
0
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1.5
2.0
2.5
3
3.5
4
-V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
-V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
1800
1.6
F igure 2.跨FER haracteris抽动
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
1500
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-55
V
的s
=-10V
I
D
=-16A
C，C apacitance （PF ）
1200
900
600
300
0
RS s
0
5
10
15
20
25
C为S
OS s
30
-25
0
25
50
75
100 125
T J （ C）
-V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S T U / D2040P L
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125
I
D
=-250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
18
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
10
g
F小号
，T失败者电导（ S）
12
9
6
3
0
V
DS
=-10V
0
5
10
15
20
25
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
15
1
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=25 C
1.2
1.4
-I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
-V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
-V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
90
-I
D
，排水光凭目前 （A ）
10
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21 24
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
V
DS
=-24V
I
D
=-16A
50
R
D
S
(
ON
im
)L
it
10
0m
10
ms
1s
s
10
DC
1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
0.1
1
10
40 60
-V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
4
S T U / D2040P L
V
DD
t
on
V
IN
D
V
的s
R
GE
G
90%
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
6
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
10
F igure 12 S魔力波形
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
P
DM
t
1
on
0.1
0.05
0.02
0.01
t
2
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
1.
2.
3.
4.
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
5
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
5
QQ：2880707522 复制
