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STU11NB60
N沟道600V - 0.5Ω - 11A - MAX220
的PowerMESH MOSFET
初步数据
TYPE
STU11NB60
s
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
R
DS ( ON)
< 0.6
I
D
11 A
典型
DS ( ON)
= 0.5
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
±
30V栅极至源极电压额定值
1
2
3
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中,意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构,给出了
低R
DS ( ON)
单位面积,出色的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
开关模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
Max220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt (
1
)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
600
600
±
30
11
7
44
160
1.28
4
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤11
A, di / dt的
200 A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, TJ
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/5
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1999年1月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
STU11NB60
热数据
R
THJ情况
Rthj - AMB
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
0.78
62.5
0.5
300
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
11
700
单位
A
mJ
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
600
1
50
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值
电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
=5.5 A
11
分钟。
3
典型值。
4
0.5
马克斯。
5
0.60
单位
V
A
论国有漏电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=5.5 A
V
GS
= 0
分钟。
6
典型值。
8.5
2200
300
30
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/5
STU11NB60
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 300 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 480 V
I
D
= 5.5 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
27
12
55
17
23
71
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480 V I
D
= 11 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
20
15
32
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 11 A
V
GS
= 0
600
6.5
20.5
I
SD
= 11 的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
(见测试电路,图5 )
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
11
44
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
3/5
STU11NB60
MAX220机械数据
DIM 。
分钟。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
D1
D2
D3
e
E
L
L1
4.3
2.2
2.9
0.7
1.25
1.2
0.45
15.9
9
0.8
2.8
2.44
10.05
13.2
3
mm
典型值。
马克斯。
4.6
2.4
3.1
0.93
1.4
1.38
0.6
16.3
9.35
1.2
3.2
2.64
10.35
13.6
3.4
0.354
0.031
0.110
0.096
0.396
0.520
0.118
分钟。
0.169
0.087
0.114
0.027
0.049
0.047
0.18
0.626
典型值。
马克斯。
0.181
0.094
0.122
0.036
0.055
0.054
0.023
0.641
0.368
0.047
0.126
0.104
0.407
0.535
0.133
D3
D2
D1
C
A
A2
D
b1
b2
b
e
E
L1
L
A1
P011R
4/5
STU11NB60
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使用这些信息,也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
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如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的,而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
1999意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
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    STU11NB60
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ST
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