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STTH4R02
超快恢复二极管
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
T
J(下MAX)的
V
F
(典型值)
t
rr
(典型值)
4A
200 V
175° C
0.76 V
16纳秒
A
K
K
K
A
A
K
TO-220FPAC
STTH4R02FP
TO-220AC
STTH4R02D
特点和优点
非常低的导通损耗
开关损耗极小
低正向和反向恢复时间
高结温
K
A
NC
DPAK
STTH4R02B
A
K
SMB
STTH4R02U
描述
该STTH4R02采用ST新200 V平面铂
掺杂工艺,并且它是特别适合于
切换模式,基极驱动晶体管电路。
封装采用TO- 220AC , TO- 220FPAC , DPAK ,
SMB ,SMC和DO- 201AB ,这种装置是
旨在用于低电压,高频率
逆变器,续流和极性保护。
A
A
K
K
DO-201AB
STTH4R02
SMC
STTH4R02S
订购代码
产品型号
STTH4R02D
STTH4R02FP
STTH4R02B
STTH4R02B-TR
STTH4R02U
STTH4R02
STTH4R02RL
STTH4R02S
记号
STTH4R02
STTH4R02
STTH4R02
STTH4R02
4R2U
STTH4R02
STTH4R02
4R2S
2006年10月
REV 2
www.st.com
1/13
13
特征
STTH4R02
1
表1中。
符号
V
RRM
特征
绝对额定值(在T限值
j
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
反向重复峰值电压
TO-220AC
DPAK
I
F( RMS )
RMS正向电流
SMB / SMC
TO-220FPAC
DO-201AB
TO-220AC
DPAK
I
F( AV )
平均正向电流,
δ
= 0.5
SMB
SMC
TO-220FPAC
DO-201AB
I
FSM
T
英镑
T
j
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
最大工作结温
t
p
= 10 ms的正弦
T
c
= 160° C
T
c
= 160° C
T
c
= 95° C
T
c
= 95° C
T
c
= 150° C
T
领导
= 95° C
70
-65到+ 175
175
A
°C
°C
4
A
70
A
价值
200
单位
V
表2中。
符号
热学参数
参数
TO- 220AC / DPAK
SMB
价值
3.5
20
6.5
20
20
° C / W
单位
R
日(J -C )
结到外壳
TO-220FPAC
DO-201AB
SMC
2/13
STTH4R02
表3中。
符号
I
R(1)
特征
静态电气特性
参数
测试条件
T
j
= 25° C
T
j
= 125° C
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
I
F
= 12 A
I
F
= 4 A
分钟。
典型值
马克斯。
3
A
2
1.15
0.95
0.76
20
1.25
1.05
0.83
V
单位
反向漏电流
V
F(2)
正向电压降
T
j
= 25° C
T
j
= 150° C
1.脉冲测试:吨
p
= 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
2.脉冲测试:吨
p
= 380 s,
δ
& LT ; 2 %
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.67 ×1
F( AV )
+ 0.04 I
F2(RMS)
表4 。
符号
动态特性
参数
测试条件
I
F
= 1 ,二
F
/ DT = -50 A / μs的,
V
R
= 30 V ,T
j
= 25° C
I
F
= 1 ,二
F
/ DT = -100 A / μs的,
V
R
= 30 V ,T
j
= 25° C
反向恢复电流
正向恢复时间
正向恢复电压
I
F
= 4的,二
F
/ DT = -200 A / μs的,
V
R
= 160 V,T
j
= 125° C
I
F
= 4的,二
F
/ DT = 50 A / μs的
V
FR
= 1.1× V
FMAX
, T
j
= 25° C
I
F
= 4的,二
F
/ DT = 50 A / μs的,
T
j
= 25° C
分钟。
典型值
24
16
4.4
80
1.6
马克斯。
30
ns
20
5.5
A
ns
V
单位
t
rr
反向恢复时间
I
RM
t
fr
V
FP
图1 。
I
M
(A)
50
峰值电流对占空比
图2中。
I
FM
(A)
正向压降随
正向电流(典型值)
T
100
45
40
35
30
25
20
15
10
5
P=2W
P=5W
I
M
δ
d
= TP / T
tp
75
50
T
j
=150°C
T
j
=25°C
P=1W
25
δ
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
FM
(V)
3.0
3.5
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
3/13
特征
STTH4R02
网络连接gure 3 。
正向压降随
正向电流(最大值)
图4中。
热相对变化
阻抗,结到外壳,
与脉冲持续时间( T0-220AC ,
DPAK )
I
FM
(A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
FM
(V)
T
j
=25°C
T
j
=150°C
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
单脉冲
TO-220AC
DPAK
TP (多个)
0.1
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
图5中。
热相对变化
阻抗,结到外壳,
与脉冲持续时间
(TO-220FPAC)
图6 。
热相对变化
阻抗,结到环境,
与脉冲持续时间(SMB)
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
单脉冲
TO-220FPAC
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
SMB
S
Cu
=1cm
0.1
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
TP (多个)
0.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
0.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
t
p
(s)
1.E+03
图7 。
热相对变化
阻抗,结到环境,
与脉冲持续时间( DO- 201AB )
网络连接gure 8 。
热相对变化
阻抗,结到环境,
与脉冲持续时间(SMC)
Z
号(j -a)的
( ° C / W)
100
单脉冲
DO201AB
Z
号(j -a)的
/R
号(j -a)的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
SMC
S
Cu
=1cm
10
0.5
0.4
0.3
0.2
TP (多个)
1
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
0.1
0.0
1.E-01
1.E+00
t
p
(s)
1.E+01
1.E+02
1.E+03
4/13
STTH4R02
特征
图9 。
结电容与
反向施加电压(典型
值)
图10.反向恢复电荷与
dI
F
/ DT (典型值)
Q
RR
( NC )
120
C( pF)的
100
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
100
I
F
=4A
V
R
=160V
T
j
=125°C
80
60
40
T
j
=25°C
20
V
R
(V)
10
1
10
100
1000
dI
F
/ DT ( A / μs)内
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
图11.反向恢复时间相对的dI
F
/ DT图12.峰值反向恢复电流
(典型值)
与迪
F
/ DT (典型值)
t
RR
(纳秒)
80
70
60
50
40
T
j
=125°C
I
F
=4A
V
R
=160V
I
RM
(A)
10
I
F
=4A
V
R
=160V
8
6
T
j
=125°C
30
20
10
0
10
100
1000
T
j
=25°C
4
T
j
=25°C
2
dI
F
/ DT ( A / μs)内
0
0
50
100
150
200
250
300
350
dI
F
/ DT ( A / μs)内
400
450
500
图13.动态参数对比
结温
图14.热阻,结到
环境,对铜表面
在选项卡 - DPAK (环氧树脂印刷
电路板FR4 ,E
CU
= 35 m)
R
号(j -a)的
( ° C / W)
100
90
80
DPAK
Q
RR
; I
RM
[T
j
] / Q
RR
; I
RM
[T
j
=125°C]
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Q
RR
I
RM
I
F
=4A
V
R
=160V
70
60
50
40
30
20
0.4
0.2
T
j
(°C)
0.0
25
50
75
100
125
150
10
0
0
5
10
15
20
25
30
S
CU
(平方厘米)
35
40
5/13
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STTH4R02B-TR
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地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
STTH4R02B-TR
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N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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ST
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ST专家
NA
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ST
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