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STTH302
高效率超快二极管
主要产品特性
I
F（ AV ）
V
RRM
Tj max的
V
F
（最大）
TRR （最大值）
3A
200 V
175 °C
0.75 V
35纳秒
特点和优点
非常低的导通损耗
开关损耗极小
低正向和反向恢复时间
高结温
s
s
s
s
描述
这是使用意法半导体的全新200V的STTH302
平面技术，是特别适合用于切换
模式的基极驱动&晶体管电路。
该装置也适用于使用作为游离
在电源和其它电源续流二极管
开关应用。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F（ AV）
I
FSM
T
英镑
Tj
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
最大工作结温
TI = 107℃
t
p
= 10ms的
DO-201AD
STTH302
价值
200
δ
= 0.5
正弦
3
130
- 65 + 175
175
单位
V
A
A
°C
°C
热学参数
符号
Rth的第（j-一）
结到环境*
参数
价值
25
单位
° C / W
*在无限的散热器为10mm引线长度。
2001年11月 - 埃德： 1A
1/5
STTH302
静态电气特性
符号
I
R
*
参数
反向漏电流
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
F
**
正向电压降
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
脉冲测试： * TP = 5毫秒，
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 380
s, δ
＆ LT ; 2 ％
分钟。
典型值。
马克斯。
3
单位
A
V
R
= V
RRM
4
I
F
= 3A
0.66
75
0.95
0.75
V
为了评估损失使用下面的方程的最大导通：
P = 0.60 ×1
F（ AV ）
+ 0.05 I
F2(RMS)
动态电气特性
符号
TRR
TFR
V
FP
参数
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
70
1.6
分钟。
典型值。
马克斯。
35
单位
ns
ns
V
反向恢复我
F
= 1A的dI
F
/ DT = - 50A / μs的
时间
V
R
= 30V
正向恢复我
F
= 3A的dI
F
/ DT = 50A / μs的
时间
V
FR
= 1.1× V
F
最大
正向恢复
电压
2/5
STTH302
图。 1 ：
正向平均功耗与
平均正向电流。
PF （AV） （W）的
3.0
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
图。 2 ：
平均正向电流与环境
温度（ δ = 0.5） 。
IF （ AV ） （A ）
3.5
Rth的第（j-一）= Rth的第（j-升）
2.5
δ
=1
3.0
2.5
2.0
2.0
1.5
1.5
1.0
T
Rth(j-a)=75°C/W
1.0
0.5
0.5
IF （ AV ） （A ）
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
δ
= TP / T
3.0
tp
TAMB （ ° C）
0.0
3.5
0
25
50
75
100
125
150
175
图。 3 ：
热电阻与导线长度。
图。 4 ：
热阻抗的相对变化
交界处的环境与脉冲持续时间（印
电路板环氧树脂FR4 ， LIeads = 10毫米） 。
第i个第（j-一） / Rth的第（j-一）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
δ
= 0.5
RTH （ ° C / W）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
第r （J -1）
Rth的第（j-一）
0.4
0.3
0.2
δ
= 0.2
δ
= 0.1
单脉冲
T
Lleads （毫米）
0.1
TP （多个）
1.E+00
1.E+01
0.0
1.E-01
δ
= TP / T
1.E+02
tp
1.E+03
图。 5 ：
正向压降与前进
电流。
IFM （ A）
100.0
图。 6 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
100
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
Tj=125°C
（最大值）
10.0
Tj=125°C
（典型值）
Tj=25°C
（最大值）
1.0
VFM （ V）
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
1
10
VR （ V）
100
1000
3/5
STTH302
图。 7 ：
反向恢复时间对的dI
F
/ DT （ 90 ％
信心） 。
TRR （ NS ）
100
90
80
70
60
50
40
Tj=25°C
Tj=125°C
IF=3A
VR=100V
Tj=125°C
图。 8 ：
峰值反向恢复电流对的dI
F
/ DT
（ 90 ％置信度） 。
IRM （ A）
6
IF=3A
VR=100V
Tj=125°C
5
4
Tj=125°C
3
Tj=25°C
30
20
10
0
1
10
100
1000
2
1
DIF / DT （ A / μs）内
0
1
10
DIF / DT （ A / μs）内
100
1000
图。 9 ：
动态参数的相对变化
随结温。
IRM ; TRR ; QRR [ TJ ] / IRM ; TRR ; QRR [ TJ = 25 ° C]
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
IRM
IF=3A
dIF/dt=200A/s
VR=100V
QRR
2.0
1.5
TRR
TJ （ ° C）
1.0
25
50
75
100
125
150
175
4/5
STTH302
包装机械数据
DO-201AD
B
A
B
C
注1
E
E
注1
D
D
注2
尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
25.40
5.30
1.30
1.25
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
9.50
英寸
分钟。
1.000
0.209
0.051
0.049
笔记
1 - 引线直径
D没有控制在区域E
2 - 的最小轴向长度内，装置可以是
放置其引线弯曲成直角是0.59" （15毫米）
马克斯。
0.374
订购代码
STTH302
STTH302RL
s
记号
STTH302
STTH302
包
DO-201AD
DO-201AD
重量
1.16 g
1.16 g
基地数量
600
1900
配送方式
Ammopack
磁带和卷轴
s
白带表示阴极
环氧符合UL94 ， V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2001意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚-Malta - 摩洛哥 - 新加坡
西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
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