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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1485页 > STTH2002CR
STTH2002C
高效率超快二极管
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(典型值)
t
rr
(典型值)
特点和优点
截至2× 15A
200 V
175 °C
0.78 V
22纳秒
A1
K
A2
A2
K
A1
K
期适用于SMPS
低损耗
低正向和反向恢复时间
低漏电流
高结温
绝缘封装形式:TO - 220FPAB
A2
TO-220AB
STTH2002CT
我PAK
STTH2002CR
2
A1
K
描述
双中心抽头整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC
转换器。
封装采用TO - 220AB ,D
2
PAK , TO- 220FPAB
2
PAK ,该装置适用于使用低
电压,高频率逆变器,续流
和极性保护应用。
绝对额定值
(限制值)
符号
参数
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向
当前
δ
=0.5
TO- 220AB / I
2
PAK /
D
2
PAK
A2
K
A1
K
A1
A2
TO-220FPAB
STTH2002CFP
D
2
PAK
STTH2002CG
价值
200
30
TC = 150℃
TC = 140℃
TC = 130℃
TC = 115℃
每二极管
每个器件
每二极管
每个器件
每二极管
每个器件
10
20
15
30
10
20
90
- 65 + 175
175
单位
V
A
A
TO-220FPAB
I
FSM
T
英镑
Tj
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
最大工作结温
TC = 120℃
TC = 95℃
TP = 10 ms的正弦
A
°C
°C
2004年2月 - 埃德: 1
1/7
STTH2002C
热学参数
符号
R
日(J -C )
结到外壳
参数
TO- 220AB / I
2
PAK / D
2
PAK
TO-220FPAB
R
日(J -C )
耦合
TO- 220AB / I
2
PAK / D
2
PAK
TO-220FPAB
当二极管1和2同时使用:
TJ ( diode1 ) = P ( diode1 )个R
日(J -C )
(每二极管) + P( diode2 )个R
TH( C)
每二极管
每个器件
每二极管
每个器件
最大
2.5
1.6
5
3.8
0.7
2.5
° C / W
单位
° C / W
静态电气特性
(每二极管)
符号
I
R
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 150℃
TJ = 150℃
脉冲测试: * TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380μs ,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
马克斯。
10
单位
A
V
R
= V
RRM
6
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
0.78
100
1.1
1.25
0.89
1.05
V
V
F
**
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.73 ×1
F( AV )
+ 0.016 I
F2(RMS)
动态电气特性
符号
t
rr
I
RM
t
fr
V
FP
参数
反向
恢复时间
反向
恢复电流
前锋
恢复时间
前锋
恢复电压
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
测试条件
I
F
= 1 A V
R
= 30V
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
I
F
= 10 A V
R
= 160V
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
I
F
= 10二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
FR
= 1.1× V
F
最大
I
F
= 10二
F
/ DT = 100 A / μs的
2.4
分钟。
典型值。
22
7.0
马克斯。
27
9.0
200
单位
ns
A
ns
V
2/7
STTH2002C
图。 1 :
峰值电流对占空比(每二极管) 。
I
M
(A)
80
70
100
90
图。 2-1 :
正向压降与前进
电流(典型值,每二极管) 。
I
FM
(A)
I
M
60
50
T
80
T
j
=150°C
δ
= TP / T
P = 20W
70
tp
60
50
40
P = 10W
30
40
30
T
j
=25°C
20
10
P = 5W
20
10
δ
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
FM
(V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0
图。 2-2 :
正向压降与前进
电流(最大值,每个二极管) 。
I
FM
(A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
T
j
=25°C
T
j
=150°C
图。 3-1 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间( TO- 220AB ,
I
2
PAK ,D
2
PAK ) 。
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
单脉冲
V
FM
(V)
0.1
1.E-03
1.E-02
t
p
(s)
1.E-01
1.E+00
图。 3-2 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间
(TO-220FPAB).
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
图。 4 :
结电容与反向
施加电压(典型值,每二极管) 。
C( pF)的
100
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
单脉冲
0.1
t
p
(s)
0.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
10
0
50
V
R
(V)
100
150
200
3/7
STTH2002C
图。 5 :
反向恢复电荷对的dI
F
/ DT
(典型值,每二极管) 。
Q
rr
( NC )
300
I
F
=10A
V
R
=160V
图。 6 :
反向恢复时间对的dI
F
/ DT
(典型值,每二极管) 。
t
rr
(纳秒)
80
70
60
I
F
=10A
V
R
=160V
250
T
j
=125°C
200
T
j
=125°C
50
150
40
30
20
T
j
=25°C
T
j
=25°C
100
50
10
dI
F
/ DT ( A / μs)内
0
10
100
1000
0
10
dI
F
/ DT ( A / μs)内
100
1000
图。 7 :
峰值反向恢复电流对的dI
F
/ DT
(典型值,每二极管) 。
I
RM
(A)
16
14
12
10
8
T
j
=125°C
I
F
=10A
V
R
=160V
图。 8 :
动态参数与结
温度。
Q
rr
;I
RM
[T
j
]/Q
rr
;I
RM
[T
j
=125°C]
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I
RM
I
F
=10A
V
R
=160V
Q
rr
6
T
j
=25°C
4
2
0.4
0.2
dI
F
/ DT ( A / μs)内
0
10
100
1000
T
j
(°C)
0.0
25
50
75
100
125
150
图。 9 :
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,E
CU
:为35μm )程序D
2
PAK 。
R
号(j -a)的
( ° C / W)
80
70
60
50
40
30
20
10
S(铜)(平方厘米)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4/7
STTH2002C
订购代码
STTH2002CT
STTH2002CG
STTH2002CG-TR
STTH2002CR
STTH2002CFP
记号
STTH2002CT
STTH2002CG
STTH2002CG
STTH2002CR
STTH2002CFP
TO-220AB
D
2
PAK
D
2
PAK
我PAK
TO-220FPAB
2
重量
2.23 g
1.48 g
1.48 g
1.49 g
1.70g
基地数量
50
50
1000
50
50
配送方式
磁带&卷轴
包装机械数据
D
2
PAK
尺寸
REF 。
A
E
L2
C2
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.60
2.69
0.23
0.93
1.70
0.60
1.36
9.35
10.40
5.28
15.85
1.40
1.75
3.20
4.40
2.49
0.03
0.70
1.14
0.45
1.23
8.95
10.00
4.88
15.00
1.27
1.40
2.40
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.001
0.027
0.045
0.017
0.048
0.352
0.393
0.192
0.590
0.050
0.055
0.094
马克斯。
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
0.409
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
A
A1
D
A2
B
B2
L
L3
A1
B2
B
G
A2
C
R
C
C2
D
E
G
L
M
*
L2
V2
L3
M
R
V2
*平坦区NO小于2mm
0.40 (典型值) 。
0.016典型。
足迹尺寸
(单位:毫米)
16.90
10.30
1.30
5.08
3.70
8.90
5/7
STTH2002C
高效率超快二极管
主要产品特性
I
F( AV )
V
RRM
Tj max的
V
F
(典型值)
t
rr
(典型值)
特点和优点
截至2× 15A
200 V
175 °C
0.78 V
22纳秒
A1
K
A2
A2
K
A1
K
期适用于SMPS
低损耗
低正向和反向恢复时间
低漏电流
高结温
绝缘封装形式:TO - 220FPAB
A2
TO-220AB
STTH2002CT
我PAK
STTH2002CR
2
A1
K
描述
双中心抽头整流器适用于开关模式
电源和高频DC到DC
转换器。
封装采用TO - 220AB ,D
2
PAK , TO- 220FPAB
2
PAK ,该装置适用于使用低
电压,高频率逆变器,续流
和极性保护应用。
绝对额定值
(限制值)
符号
参数
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向
当前
δ
=0.5
TO- 220AB / I
2
PAK /
D
2
PAK
A2
K
A1
K
A1
A2
TO-220FPAB
STTH2002CFP
D
2
PAK
STTH2002CG
价值
200
30
TC = 150℃
TC = 140℃
TC = 130℃
TC = 115℃
每二极管
每个器件
每二极管
每个器件
每二极管
每个器件
10
20
15
30
10
20
90
- 65 + 175
175
单位
V
A
A
TO-220FPAB
I
FSM
T
英镑
Tj
浪涌不重复正向电流
存储温度范围
最大工作结温
TC = 120℃
TC = 95℃
TP = 10 ms的正弦
A
°C
°C
2004年2月 - 埃德: 1
1/7
STTH2002C
热学参数
符号
R
日(J -C )
结到外壳
参数
TO- 220AB / I
2
PAK / D
2
PAK
TO-220FPAB
R
日(J -C )
耦合
TO- 220AB / I
2
PAK / D
2
PAK
TO-220FPAB
当二极管1和2同时使用:
TJ ( diode1 ) = P ( diode1 )个R
日(J -C )
(每二极管) + P( diode2 )个R
TH( C)
每二极管
每个器件
每二极管
每个器件
最大
2.5
1.6
5
3.8
0.7
2.5
° C / W
单位
° C / W
静态电气特性
(每二极管)
符号
I
R
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 150℃
TJ = 150℃
脉冲测试: * TP = 5毫秒,
δ
& LT ; 2 %
** TP = 380μs ,
δ
& LT ; 2 %
分钟。
典型值。
马克斯。
10
单位
A
V
R
= V
RRM
6
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
0.78
100
1.1
1.25
0.89
1.05
V
V
F
**
为了评估损失使用下面的方程的最大导通:
P = 0.73 ×1
F( AV )
+ 0.016 I
F2(RMS)
动态电气特性
符号
t
rr
I
RM
t
fr
V
FP
参数
反向
恢复时间
反向
恢复电流
前锋
恢复时间
前锋
恢复电压
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
测试条件
I
F
= 1 A V
R
= 30V
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
I
F
= 10 A V
R
= 160V
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
I
F
= 10二
F
/ DT = 100 A / μs的
V
FR
= 1.1× V
F
最大
I
F
= 10二
F
/ DT = 100 A / μs的
2.4
分钟。
典型值。
22
7.0
马克斯。
27
9.0
200
单位
ns
A
ns
V
2/7
STTH2002C
图。 1 :
峰值电流对占空比(每二极管) 。
I
M
(A)
80
70
100
90
图。 2-1 :
正向压降与前进
电流(典型值,每二极管) 。
I
FM
(A)
I
M
60
50
T
80
T
j
=150°C
δ
= TP / T
P = 20W
70
tp
60
50
40
P = 10W
30
40
30
T
j
=25°C
20
10
P = 5W
20
10
δ
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
FM
(V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0
图。 2-2 :
正向压降与前进
电流(最大值,每个二极管) 。
I
FM
(A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
T
j
=25°C
T
j
=150°C
图。 3-1 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间( TO- 220AB ,
I
2
PAK ,D
2
PAK ) 。
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
单脉冲
V
FM
(V)
0.1
1.E-03
1.E-02
t
p
(s)
1.E-01
1.E+00
图。 3-2 :
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间
(TO-220FPAB).
Z
日(J -C )
/R
日(J -C )
1.0
图。 4 :
结电容与反向
施加电压(典型值,每二极管) 。
C( pF)的
100
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
单脉冲
0.1
t
p
(s)
0.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
10
0
50
V
R
(V)
100
150
200
3/7
STTH2002C
图。 5 :
反向恢复电荷对的dI
F
/ DT
(典型值,每二极管) 。
Q
rr
( NC )
300
I
F
=10A
V
R
=160V
图。 6 :
反向恢复时间对的dI
F
/ DT
(典型值,每二极管) 。
t
rr
(纳秒)
80
70
60
I
F
=10A
V
R
=160V
250
T
j
=125°C
200
T
j
=125°C
50
150
40
30
20
T
j
=25°C
T
j
=25°C
100
50
10
dI
F
/ DT ( A / μs)内
0
10
100
1000
0
10
dI
F
/ DT ( A / μs)内
100
1000
图。 7 :
峰值反向恢复电流对的dI
F
/ DT
(典型值,每二极管) 。
I
RM
(A)
16
14
12
10
8
T
j
=125°C
I
F
=10A
V
R
=160V
图。 8 :
动态参数与结
温度。
Q
rr
;I
RM
[T
j
]/Q
rr
;I
RM
[T
j
=125°C]
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I
RM
I
F
=10A
V
R
=160V
Q
rr
6
T
j
=25°C
4
2
0.4
0.2
dI
F
/ DT ( A / μs)内
0
10
100
1000
T
j
(°C)
0.0
25
50
75
100
125
150
图。 9 :
热阻结到环境
与选项卡下的铜表面(环氧树脂印刷
电路板FR4 ,E
CU
:为35μm )程序D
2
PAK 。
R
号(j -a)的
( ° C / W)
80
70
60
50
40
30
20
10
S(铜)(平方厘米)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4/7
STTH2002C
订购代码
STTH2002CT
STTH2002CG
STTH2002CG-TR
STTH2002CR
STTH2002CFP
记号
STTH2002CT
STTH2002CG
STTH2002CG
STTH2002CR
STTH2002CFP
TO-220AB
D
2
PAK
D
2
PAK
我PAK
TO-220FPAB
2
重量
2.23 g
1.48 g
1.48 g
1.49 g
1.70g
基地数量
50
50
1000
50
50
配送方式
磁带&卷轴
包装机械数据
D
2
PAK
尺寸
REF 。
A
E
L2
C2
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.60
2.69
0.23
0.93
1.70
0.60
1.36
9.35
10.40
5.28
15.85
1.40
1.75
3.20
4.40
2.49
0.03
0.70
1.14
0.45
1.23
8.95
10.00
4.88
15.00
1.27
1.40
2.40
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.001
0.027
0.045
0.017
0.048
0.352
0.393
0.192
0.590
0.050
0.055
0.094
马克斯。
0.181
0.106
0.009
0.037
0.067
0.024
0.054
0.368
0.409
0.208
0.624
0.055
0.069
0.126
A
A1
D
A2
B
B2
L
L3
A1
B2
B
G
A2
C
R
C
C2
D
E
G
L
M
*
L2
V2
L3
M
R
V2
*平坦区NO小于2mm
0.40 (典型值) 。
0.016典型。
足迹尺寸
(单位:毫米)
16.90
10.30
1.30
5.08
3.70
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    -
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    -
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