【STTH16R04C超快恢复二极管主要产品特性IF（ AV ）VRRMTjVF（典型值）tRR （典】,IC型号STTH16R04CFP,STTH16R04CFP PDF资料,STTH16R04CFP经销商,ic,电子元器件-51电子网

STTH16R04C

超快恢复二极管

主要产品特性

F（ AV ）

RRM

F（典型值）

RR （典型值）

2X8A

400 V

175° C

0.9 V

25纳秒

特点和优点

■

TO-220AB

STTH16R04CT

TO-220FPAB

STTH16R04CFP

非常低开关损耗

高频率和/或高脉冲电流

手术

高结温

绝缘包装：

- TO- 220FPAB

电气绝缘= 1500 V

RMS

电容= 12 pF的

PAK

STTH16R04CG

描述

该STTH16R04C系列采用意法半导体的新的400 V

平面铂掺杂技术。该STTH16R04C是

特别适用于开关模式的基极驱动和

晶体管电路。

打包通的孔和表面贴装

包，该装置适用于在低使用

电压，高频率逆变器，续流

和极性保护。

订购代码

产品型号

STTH16R04CT

STTH16R04CG

STTH16R04CG-TR

STTH16R04CFP

记号

STTH16R04CT

STTH16R04CG

STTH16R04CFP

2007年3月

REV 1

1/10

www.st.com

特征

STTH16R04C

表1中。

符号

RRM

F（ RMS ）

特征

绝对额定值（在25℃下的限制值，除非另有规定）

参数

反向重复峰值电压

RMS正向电流

TO- 220AB / D

PAK

F（ AV ）

平均正向电流，

= 0.5

TO-220FPAB

FSM

英镑

每个二极管牛逼

= 150° C

每个设备T

= 145° C

每个二极管牛逼

= 125° C

每个设备T

= 90° C

浪涌不重复正向电流T

= 10 ms的正弦

存储温度范围

最大工作结温范围

价值

400

120

-65到+175

-40到+175

°C

单位

表2中。

符号

热学参数

参数

TO- 220AC / D

PAK

每二极管

每个器件

价值

1.15

° C / W

每二极管

TO-220FPAB

每个器件

TO- 220AC / D

PAK

每个器件

3.8

0.3

° C / W

TO-220FPAB

4.6

单位

日（J -C ）

结到外壳

TH（ C）

耦合

当二极管被同时使用：

ΔT

J（下二极管1 ）

= P

(diode1)

个R

日（J -C ）（每二极管）

+ P

（二极管2 ）

个R

TH（ C）

2/10

STTH16R04C

表3中。

符号

R(1)

特征

静态电气特性

参数

反向漏电流

测试条件

= 25° C

= 125° C

= 25° C

= 100° C

F(2)

正向电压降

= 150° C

= 25° C

= 100° C

= 150° C

= 16 A

1.25

1.12

= 8 A

1.05

0.9

= V

RRM

民

典型值

最大

100

1.5

1.3

1.1

1.75

1.55

1.37

单位

1.脉冲测试：吨

= 5毫秒，

＆ LT ; 2 ％

2.脉冲测试：吨

= 380 s,

＆ LT ; 2 ％

为了评估损失使用下面的方程的导通：

P = 0.83 ×1

F（ AV ）

+ 0.034 ×1

（ RMS）

表4 。

符号

动态特性

参数

测试条件

= 1 ，二

/ DT = -50 A / μs的，

= 30 V ，T

= 25° C

= 1 ，二

/ DT = -100 A / μs的，

= 30 V ，T

= 25° C

反向恢复电流

软化系数

正向恢复时间

正向恢复电压

= 8的，二

/ DT = -200 A / μs的，

= 320 V，T

= 125° C

= 8的，二

/ DT = -200 A / μs的，

= 320 V，T

= 125° C

= 8的，二

/ DT = 100 A / μs的

= 1.1× V

FMAX

, T

= 25° C

= 8的，二

/ DT = 100 A / μs的

= 25° C

2.9

民

典型值

5.5

0.4

150

最大

单位

反向恢复时间

3/10

特征

STTH16R04C

图1 。

P（ W）的

导通损耗与

平均电流

δ=0.05

δ=0.1

δ=0.2

δ=0.5

δ=1

图2中。

(A)

正向压降随

正向电流

200

180

160

140

120

100

=150°C

（最大值）

=150°C

（典型值）

F（ AV ）

(A)

=25°C

（最大值）

= TP / T

(V)

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

3.2

3.6

4.0

网络连接gure 3 。

热相对变化

阻抗结到外壳

与脉冲持续时间

图4中。

热相对变化

阻抗结到外壳

与脉冲持续时间TO- 220FPAB

ZTH

（J -C ）

/ Rth的

（J -C ）

1.0

单脉冲

TO-220AB/DPAK

ZTH

（J -C ）

/ Rth的

（J -C ）

1.0

单脉冲

TO-220FPAB

0.1

TP （多个）

0.1

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

TP （多个）

0.0

1.E-03

1.E-02

1.E-01

1.E+00

1.E+01

图5中。

(A)

= 8 A

=320 V

峰值反向恢复电流

与迪

/ DT （典型值）

图6 。

（纳秒）

反向恢复时间与

/ DT （典型值）

= 8 A

=320 V

140

120

100

=125 °C

=25 °C

=125 °C

=25 °C

/ DT （ A / μs）内

1000

100

1000

4/10

STTH16R04C

特征

图7 。

反向恢复电荷与

/ DT （典型值）

网络连接gure 8 。

热阻结到

环境与铜表面

根据标签（环氧树脂印制电路

FR4电路板，电子

= 35 m)

DPAK

200

180

160

（ NC ）

= 8 A

=320 V

RTH

第（j-一）

（ ° C / W）

140

120

100

1000

=25 °C

=125 °C

/ DT （ A / μs）内

（平方厘米）

图9 。

动态相对变化

参数与结

温度

图10.瞬态峰值正向电压

与迪

/ DT （典型值）

(V)

5.0

4.5

4.0

=8 A

=125 °C

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

]/Q

= 125 ° C] ，我

]/I

= 125° C]

= 8 A

=320 V

3.5

3.0

2.5

2.0

0.4

0.2

(°C)

0.0

100

125

150

1.5

1.0

0.5

0.0

100

150

200

250

300

350

400

450

500

/ DT （ A / μs）内

图11.正向恢复时间相对的dI

/ DT图12.结电容与

（典型值）

加反向电压（典型

值）

700

600

500

400

300

200

100

200

300

400

500

/ DT （ A / μs）内

(V)

100

1000

（纳秒）

=8 A

= 1.1× V

马克斯。

=125°C

C（ pF）的

100

F=1MHz

OSC

=30mV

RMS

=25°C

5/10

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