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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1082页 > STTH1506DPI
STTH1506DPI
串联600V超快的升压二极管
产品主要特点
I
F（ AV ）
V
RRM
Tj max的
V
F
（最大）
I
RM
（典型值）。
t
rr
（典型值）。
15 A
600 V
150 °C
2.4 V
4.8 A
16纳秒
1
2
1
2
特点和优点
尤其适合如boost二极管
连续模式功率因数
校正和硬开关
条件
专为高di / dt操作。
超快恢复电流TO
高下SiC器件。允许
瘦身MOSFET和散热器
内部的陶瓷绝缘设备，
以同等热性条件
BOTH 300V二极管
绝缘
(2500V
RMS
)
允许
放置在散热片SAME AS
MOSFET和灵活的散热ON
共同的或单独的散热片
静态和动态均衡
内部二极管是由担保条款
设计
封装电容： C = 16pF的
s
s
s
s
s
s
DOP3I
（绝缘）
描述
该TURBOSWITCH “H”是一种超高
在性能上的二极管由两个骰子300V
系列。 TURBOSWITCH “H ”家庭大幅削减
在运行时，在相关联的MOSFET损耗
高di
F
/ DT 。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
FSM
IPEAK
T
英镑
Tj
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
浪涌不重复正向电流
峰值电流波形
存储温度范围
最大工作结温
TP = 10 ms的正弦
δ
= 0.15 =锝120℃
价值
600
26
130
35
-65 +150
+ 150
单位
V
A
A
A
°C
°C
2003年10月 - 埃德： 2A
1/5
STTH1506DPI
热能与动力数据
符号
R
日（J -C ）
参数
结到外壳
测试条件
价值
1.6
单位
° C / W
静态电气特性
（对于这两个二极管）
符号
I
R
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
V
R
= V
RRM
TJ = 25°C
TJ = 125°C
I
F
= 15 A
TJ = 25°C
TJ = 150℃
脉冲测试： * TP = 100ms时，
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 380μs ，
δ
＆ LT ; 2 ％
分钟。
典型值。
马克斯。
20
单位
A
30
200
3.6
V
V
F
**
1.95
2.4
为了评估损失使用下面的方程的最大导通：
P = 1.7 ×1
F（ AV ）
+ 0.047 ×1
F2(RMS)
恢复特性
符号
t
rr
参数
反向恢复
时间
测试条件
I
F
= 0.5 A IRR = 0.25A
I
R
= 1 A
I
F
= 1二
F
/ DT = - 50A / μs的
V
R
= 30 V
I
RM
S
Q
rr
反向恢复
当前
反向恢复
软化系数
反向恢复
收费
V
R
= 400 V I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = -200 A / μs的
TJ = 125°C
4.8
0.4
80
TJ = 25°C
分钟。
典型值。
16
35
6.0
A
-
nC
马克斯。
单位
ns
开启开关特性
符号
t
fr
V
FP
参数
前锋
恢复时间
前锋
恢复电压
测试条件
I
F
= 15二
F
/ DT = 100A / μs的，
V
FR
= 1.1× V
F
最大
I
F
= 15二
F
/ DT = 100 A / μs的
TJ = 25°C
TJ = 25°C
分钟。
典型值。
马克斯。
200
6
单位
ns
V
2/5
STTH1506DPI
图。 1 ：
导通损耗与平均电流。
图。 2 ：
正向压降与前进
电流。
I
FM
(A)
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
130
P（ W）的
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
δ
= 0.5
120
110
100
90
80
70
60
50
40
T
j
=25°C
（最大值）
T
j
=125°C
（典型值）
T
j
=125°C
（最大值）
T
30
20
I
F（ AV ）
(A)
δ
= TP / T
tp
10
0
0
1
2
3
4
V
FM
(V)
5
6
7
8
图。 3 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间。
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
0.9
0.8
0.7
δ
= 0.5
图。 4 ：
峰值反向恢复电流对的dI
F
/ DT
（典型值）。
I
RM
(A)
20
18
16
14
12
10
I
F
= 0.5 ×1
F（ AV ）
V
R
=400V
T
j
=125°C
I
F
=I
F（ AV ）
I
F
= 2×我
F（ AV ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
单脉冲
δ
= 0.2
δ
= 0.1
I
F
= 0.25 ×1
F（ AV ）
8
6
T
4
2
0
0.1
0.0
1.E-03
t
p
(s)
1.E-02
1.E-01
δ
= TP / T
tp
1.E+00
dI
F
/ DT （ A / μs）内
0
200
400
600
800
1000
图。 5 ：
反向恢复时间对的dI
F
/ DT
（典型值）。
t
rr
（纳秒）
70
V
R
=400V
T
j
=125°C
图。 6 ：
反向恢复电荷对的dI
F/
dt
（典型值）。
Q
rr
（ NC ）
240
I
F
= 2×我
F（ AV ）
220
200
180
60
50
I
F
= 2×我
F（ AV ）
V
R
=400V
T
j
=125°C
I
F
=I
F（ AV ）
160
I
F
=I
F（ AV ）
I
F
= 0.5 ×1
F（ AV ）
40
30
20
10
140
120
100
80
60
40
I
F
= 0.5 ×1
F（ AV ）
dI
F
/ DT （ A / μs）内
0
0
200
400
600
800
1000
20
0
0
200
dI
F
/ DT （ A / μs）内
400
600
800
1000
3/5
STTH1506DPI
图。 7 ：
软化系数对的dI
F
/ DT （典型
值）。
S
0.80
I
F
=I
F（ AV ）
V
R
=400V
T
j
=125°C
图。 8 ：
动态参数的相对变化
随结温。
2.50
2.25
2.00
S
I
F
=I
F（ AV ）
V
R
=400V
参考文献：T已
j
=125°C
0.70
1.75
0.60
1.50
1.25
1.00
0.50
0.40
0.75
0.50
I
RM
0.30
0.25
dI
F
/ DT （ A / μs）内
0.20
0
200
400
600
800
1000
T
j
(°C)
25
50
75
100
125
0.00
图。 9 ：
瞬态峰值正向电压随
dI
F
/ DT （典型值） 。
V
FP
(V)
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
=I
F（ AV ）
T
j
=125°C
图。 10 ：
正向恢复时间相对的dI
F
/ DT
（典型值）。
t
fr
（纳秒）
350
300
250
200
150
100
50
I
F
=I
F（ AV ）
V
FR
= 1.1× V
F
马克斯。
T
j
=125°C
dI
F
/ DT （ A / μs）内
0
0
100
dI
F
/ DT （ A / μs）内
200
300
400
500
图。 11 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
1000
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
100
V
R
(V)
10
1
10
100
1000
4/5
STTH1506DPI
包装机械数据
DOP3I
尺寸
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
N
P
R
4.4
1.45
14.35
0.5
2.7
15.8
20.4
15.1
3.4
4.08
10.8
1.20
马克斯。
4.6
1.55
15.60
0.7
2.9
16.5
21.1
15.5
3.65
4.17
11.3
1.40
英寸
分钟。
0.173
0.057
0.565
0.020
0.106
0.622
0.815
0.594
0.134
0.161
0.425
0.047
马克斯。
0.181
0.061
0.614
0.028
0.114
0.650
0.831
0.610
0.144
0.164
0.444
0.055
4.60 （典型值） 。
0.181 （典型值） 。
订购代码
STTH1506DPI
s
记号
STTH1506DPI
包
DOP3I
重量
4.46 g.
基地数量
30
配送方式
管
环氧符合UL94 ， V0
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品不非盟
授权的使用的未经明确的书面意法半导体的批准，在生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
所有其他名称均为其各自所有者的财产。
2003意法半导体 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 比利时 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 捷克 - 芬兰 - 法国 - 德国 -
香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 -
瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
www.st.com
5/5
STTH1506DPI
串联600V超快的升压二极管
产品主要特点
I
F（ AV ）
V
RRM
Tj max的
V
F
（最大）
I
RM
（典型值）。
t
rr
（典型值）。
15 A
600 V
150 °C
2.4 V
4.8 A
16纳秒
1
2
1
2
特点和优点
尤其适合如boost二极管
连续模式功率因数
校正和硬开关
条件
专为高di / dt操作。
超快恢复电流TO
高下SiC器件。允许
瘦身MOSFET和散热器
内部的陶瓷绝缘设备，
以同等热性条件
BOTH 300V二极管
绝缘
(2500V
RMS
)
允许
放置在散热片SAME AS
MOSFET和灵活的散热ON
共同的或单独的散热片
静态和动态均衡
内部二极管是由担保条款
设计
封装电容： C = 16pF的
s
s
s
s
s
s
DOP3I
（绝缘）
描述
该TURBOSWITCH “H”是一种超高
在性能上的二极管由两个骰子300V
系列。 TURBOSWITCH “H ”家庭大幅削减
在运行时，在相关联的MOSFET损耗
高di
F
/ DT 。
绝对额定值
（限制值）
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
FSM
IPEAK
T
英镑
Tj
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
浪涌不重复正向电流
峰值电流波形
存储温度范围
最大工作结温
TP = 10 ms的正弦
δ
= 0.15 =锝120℃
价值
600
26
130
35
-65 +150
+ 150
单位
V
A
A
A
°C
°C
2003年10月 - 埃德： 2A
1/5
STTH1506DPI
热能与动力数据
符号
R
日（J -C ）
参数
结到外壳
测试条件
价值
1.6
单位
° C / W
静态电气特性
（对于这两个二极管）
符号
I
R
*
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
V
R
= V
RRM
TJ = 25°C
TJ = 125°C
I
F
= 15 A
TJ = 25°C
TJ = 150℃
脉冲测试： * TP = 100ms时，
δ
＆ LT ; 2 ％
** TP = 380μs ，
δ
＆ LT ; 2 ％
分钟。
典型值。
马克斯。
20
单位
A
30
200
3.6
V
V
F
**
1.95
2.4
为了评估损失使用下面的方程的最大导通：
P = 1.7 ×1
F（ AV ）
+ 0.047 ×1
F2(RMS)
恢复特性
符号
t
rr
参数
反向恢复
时间
测试条件
I
F
= 0.5 A IRR = 0.25A
I
R
= 1 A
I
F
= 1二
F
/ DT = - 50A / μs的
V
R
= 30 V
I
RM
S
Q
rr
反向恢复
当前
反向恢复
软化系数
反向恢复
收费
V
R
= 400 V I
F
= 15 A
dI
F
/ DT = -200 A / μs的
TJ = 125°C
4.8
0.4
80
TJ = 25°C
分钟。
典型值。
16
35
6.0
A
-
nC
马克斯。
单位
ns
开启开关特性
符号
t
fr
V
FP
参数
前锋
恢复时间
前锋
恢复电压
测试条件
I
F
= 15二
F
/ DT = 100A / μs的，
V
FR
= 1.1× V
F
最大
I
F
= 15二
F
/ DT = 100 A / μs的
TJ = 25°C
TJ = 25°C
分钟。
典型值。
马克斯。
200
6
单位
ns
V
2/5
STTH1506DPI
图。 1 ：
导通损耗与平均电流。
图。 2 ：
正向压降与前进
电流。
I
FM
(A)
δ
= 0.1
δ
= 0.05
δ
=1
δ
= 0.2
130
P（ W）的
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
δ
= 0.5
120
110
100
90
80
70
60
50
40
T
j
=25°C
（最大值）
T
j
=125°C
（典型值）
T
j
=125°C
（最大值）
T
30
20
I
F（ AV ）
(A)
δ
= TP / T
tp
10
0
0
1
2
3
4
V
FM
(V)
5
6
7
8
图。 3 ：
热阻抗的相对变化
结到外壳与脉冲持续时间。
Z
日（J -C ）
/R
日（J -C ）
1.0
0.9
0.8
0.7
δ
= 0.5
图。 4 ：
峰值反向恢复电流对的dI
F
/ DT
（典型值）。
I
RM
(A)
20
18
16
14
12
10
I
F
= 0.5 ×1
F（ AV ）
V
R
=400V
T
j
=125°C
I
F
=I
F（ AV ）
I
F
= 2×我
F（ AV ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
单脉冲
δ
= 0.2
δ
= 0.1
I
F
= 0.25 ×1
F（ AV ）
8
6
T
4
2
0
0.1
0.0
1.E-03
t
p
(s)
1.E-02
1.E-01
δ
= TP / T
tp
1.E+00
dI
F
/ DT （ A / μs）内
0
200
400
600
800
1000
图。 5 ：
反向恢复时间对的dI
F
/ DT
（典型值）。
t
rr
（纳秒）
70
V
R
=400V
T
j
=125°C
图。 6 ：
反向恢复电荷对的dI
F/
dt
（典型值）。
Q
rr
（ NC ）
240
I
F
= 2×我
F（ AV ）
220
200
180
60
50
I
F
= 2×我
F（ AV ）
V
R
=400V
T
j
=125°C
I
F
=I
F（ AV ）
160
I
F
=I
F（ AV ）
I
F
= 0.5 ×1
F（ AV ）
40
30
20
10
140
120
100
80
60
40
I
F
= 0.5 ×1
F（ AV ）
dI
F
/ DT （ A / μs）内
0
0
200
400
600
800
1000
20
0
0
200
dI
F
/ DT （ A / μs）内
400
600
800
1000
3/5
STTH1506DPI
图。 7 ：
软化系数对的dI
F
/ DT （典型
值）。
S
0.80
I
F
=I
F（ AV ）
V
R
=400V
T
j
=125°C
图。 8 ：
动态参数的相对变化
随结温。
2.50
2.25
2.00
S
I
F
=I
F（ AV ）
V
R
=400V
参考文献：T已
j
=125°C
0.70
1.75
0.60
1.50
1.25
1.00
0.50
0.40
0.75
0.50
I
RM
0.30
0.25
dI
F
/ DT （ A / μs）内
0.20
0
200
400
600
800
1000
T
j
(°C)
25
50
75
100
125
0.00
图。 9 ：
瞬态峰值正向电压随
dI
F
/ DT （典型值） 。
V
FP
(V)
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
=I
F（ AV ）
T
j
=125°C
图。 10 ：
正向恢复时间相对的dI
F
/ DT
（典型值）。
t
fr
（纳秒）
350
300
250
200
150
100
50
I
F
=I
F（ AV ）
V
FR
= 1.1× V
F
马克斯。
T
j
=125°C
dI
F
/ DT （ A / μs）内
0
0
100
dI
F
/ DT （ A / μs）内
200
300
400
500
图。 11 ：
结电容与反向
电压施加（典型值）。
C（ pF）的
1000
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
100
V
R
(V)
10
1
10
100
1000
4/5
STTH1506DPI
包装机械数据
DOP3I
尺寸
REF 。
MILLIMETERS
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
N
P
R
4.4
1.45
14.35
0.5
2.7
15.8
20.4
15.1
3.4
4.08
10.8
1.20
马克斯。
4.6
1.55
15.60
0.7
2.9
16.5
21.1
15.5
3.65
4.17
11.3
1.40
英寸
分钟。
0.173
0.057
0.565
0.020
0.106
0.622
0.815
0.594
0.134
0.161
0.425
0.047
马克斯。
0.181
0.061
0.614
0.028
0.114
0.650
0.831
0.610
0.144
0.164
0.444
0.055
4.60 （典型值） 。
0.181 （典型值） 。
订购代码
STTH1506DPI
s
记号
STTH1506DPI
包
DOP3I
重量
4.46 g.
基地数量
30
配送方式
管
环氧符合UL94 ， V0
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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