STT6601
公司Bauelemente
（ N沟道） 2.8 A， 30 V ， RDS （ ON ） 68毫欧
（ P沟道） -2.8 A， -30 V， RDS （ ON ） 120毫欧
& P沟道增强模式Mos.FET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
描述
该STT6601是采用高细胞密度的N和P沟道增强型功率场效应管制作， DMOS沟
技术。这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻，提供出色的开关
性能。这些装置特别适用于低电压应用，例如笔记本电脑的电源管理
和其它电池供电的电路，在需要高侧开关，低线功率损耗和抗瞬变。
特点
N沟道
30V / 2.8A ，R
DS （ ON）
= 68mΩ @ VGS = 10V
30V / 2.3A ，R
DS （ ON）
= 78mΩ @ VGS = 4.5 V
30V / 1.5A ，R
DS （ ON）
= 108mΩ @ VGS = 2.5 V
P沟道
-30V / -2.8A ，R
DS （ ON）
= 105mΩ @ VGS = 10V
-30V / -2.5A ，R
DS （ ON）
= 120MΩ @ VGS = 4.5 V
-30V / -1.5A ，R
DS （ ON）
= 150mΩ @ VGS = 2.5 V
超高密度电池设计极低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流能力
TSOP- 6P包装设计
应用
电池供电系统
便携式设备
电源管理在NB
DC到DC转换器，负载开关，DSC
液晶显示器逆变器
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF
0.60 REF
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF
1.90 REF
星期代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(TJ=150℃)
漏电流脉冲
功耗
连续源电流（二极管传导）
热电阻 - 结到环境
T
≦
10秒
稳定状态
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
P
D
@T
A
=70℃
I
S
RΘJA
TJ ， TSTG
评级
N沟道
P沟道
单位
V
V
A
A
W
A
℃/W
℃
30
±12
2.8
2.3
10
1.15
0.75
-30
±12
-2.8
-2.1
-8
工作结存储温度范围
1.25
-1.4
50
52
90
90
-55 ~ +150
01月- 2007版本C
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STT6601
公司Bauelemente
（ N沟道） 2.8 A， 30 V ， RDS （ ON ） 68毫欧
（ P沟道） -2.8 A， -30 V， RDS （ ON ） 120毫欧
& P沟道增强模式Mos.FET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
零栅极电压漏极电流
P沟道
(Tj=25
℃
)
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
分钟。
30
-30
0.8
-0.4
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
-
-
1.6
-1.0
单位
V
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
V
GS
=0, I
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= 4.5V ，我
D
=-6.0A
V
DS
= -10V ，我
D
=-2.8A
V
DS
= 0 V, V
GS
=±12 V
V
DS
= 0 V, V
GS
=±12 V
V
DS
=24 V, V
GS
=0 V
V
DS
=-24V, V
GS
=0 V
V
DS
=24V, V
GS
= 0 V ，T
J
=55
℃
V
DS
=-24V, V
GS
= 0 V ，T
J
=55
℃
V
DS
≧
5V, V
GS
=10 V
V
DS
≦
-
5V, V
GS
= -10 V
V
GS
= 10V ，我
D
=2.8A
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.5A
V
正向跨导
4.6
4
-
-
-
-
-
-
-
-
0.048
0.077
0.054
0.092
0.079
0.118
4.2
5.8
0.6
0.8
1.5
1.5
2.5
6
2.5
3.9
20
40
4
15
-
-
±100
±100
1
-1
10
-10
-
-
0.068
0.105
0.078
0.120
0.108
0.150
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
栅极漏电流
nA
N沟道
P沟道
I
DSS
-
-
-
uA
通态漏电流
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
D（上）
6
-6
-
-
A
漏源导通电阻
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
R
DS （ ON）
-
-
-
-
总栅极电荷
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
栅极 - 源电荷
nC
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.0A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.0A
栅极 - 漏极电荷
开启时间
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
ns
打开-O FF时间
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
V
DD
=15V
R
L
=10Ω
V
根
=10V
R
G
=3Ω
P沟道
V
DD
=-15V
R
L
=15Ω
V
根
=-10V
R
G
=3Ω
01月- 2007版本C
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（ N沟道） 2.8 A， 30 V ， RDS （ ON ） 68毫欧
（ P沟道） -2.8 A， -30 V， RDS （ ON ） 120毫欧
& P沟道增强模式Mos.FET
特性曲线（ N沟道）
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（ N沟道） 2.8 A， 30 V ， RDS （ ON ） 68毫欧
（ P沟道） -2.8 A， -30 V， RDS （ ON ） 120毫欧
& P沟道增强模式Mos.FET
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（ N沟道） 2.8 A， 30 V ， RDS （ ON ） 68毫欧
（ P沟道） -2.8 A， -30 V， RDS （ ON ） 120毫欧
& P沟道增强模式Mos.FET
特性曲线（ N沟道）
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