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STT6405
公司Bauelemente
-5.0 A， -30 V ，R
DS （ ON）
50 mΩ
P沟道增强模式Mos.FET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
描述
该STT6405采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻与低栅极变化。该装置是
适合用作负载开关或PWM应用。
特点
N沟道
低栅极电荷
小尺寸&薄型封装
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF
0.60 REF
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF
1.90 REF
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(TJ=150℃)
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
TJ ， TSTG
符号
RΘJA
评级
-30
±12
-5.0
-4.2
-20
2
0.016
-55 ~ +150
评级
62.5
单位
V
V
A
A
W
W/℃
℃
参数
热电阻 - 结到环境
3最大。
单位
℃/W
01月， 2005年修订版A
第1页4
STT6405
公司Bauelemente
-5.0 A， -30 V ，R
DS （ ON）
50 mΩ
P沟道增强模式Mos.FET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25℃时）
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 55 ℃ ）
符号最小值
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-30
-1.0
-
-
-
-
TYP MAX
-
-
-
-
-
-
-
-3.0
±100
-1
-5
50
75
单位
V
V
nA
uA
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= -250微安
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250微安
V
GS
= ±20 V
V
DS
= -30 V, V
GS
= 0
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0
V
GS
= -10 V，I
D
= -5.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -4.0 A
V
DS
= -5V ，我
D
= -5.0A
I
D
= -5.0 A
V
DS
= -15 V
V
GS
= -10 V
V
DS
= -15 V
V
GS
= -10 V
R
G
= 3
Ω
R
L
= 3
Ω
静态漏源导通电阻
2
正向跨导
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
R
DS （ ON）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
西塞
科斯
CRSS
R
g
m
S
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.6
14.7
2
3.8
8.3
5
29
14
700
120
75
10
-
18
-
-
-
-
-
-
840
-
-
-
nC
ns
pF
V
GS
= 0 V
V
D
S
= -15 V
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项：
符号最小值
V
SD
T
rr
Q
rr
-
-
-
TYP MAX
-
23.5
13.4
-1.0
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= -1.0 A，V
GS
= -0 V
I
S
= -5.0A ，V
GS
= 0V ，分升/ dt的=
100A/us
1.脉冲宽度有限的最大。结温。
2.脉冲宽度≦ 300US ，占空比≦ 2 ％ 。
2
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫; 156 ℃ / W安装在最小的时候。铜垫。
01月， 2005年修订版A
第2页4
STT6405
公司Bauelemente
-5.0 A， -30 V ，R
DS （ ON）
50 mΩ
P沟道增强模式Mos.FET
特性曲线
01月， 2005年修订版A
第3页4
STT6405
公司Bauelemente
-5.0 A， -30 V ，R
DS （ ON）
50 mΩ
P沟道增强模式Mos.FET
特性曲线
01月， 2005年修订版A
第4页4
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