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STT60GKxxB
可控硅晶闸管模块
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
公差： + 0.5毫米
-
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
STT60GK08B
STT60GK12B
STT60GK14B
STT60GK16B
STT60GK18B
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T =T
VJM
VJ
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
I
TSM
, I
FSM
T =45
o
C
VJ
V
R
=0
T =T
VJM
VJ
V
R
=0
T =45
o
C
VJ
V
R
=0
T =T
VJM
VJ
V
R
=0
T =T
VJM
VJ
F = 50Hz的，T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=0.45A
di
G
/dt=0.45A/us
测试条件
最大额定值
94
60
单位
A
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
重复的，我
T
=150A
非重复性的，我
T
=I
TAVM
1500
1600
1350
1450
11200
10750
9100
8830
150
500
1000
10
5
0.5
10
-40...+125
125
-40...+125
A
i
2
dt
A
2
s
（ di / dt的）
cr
A /美
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
T =T
VJM
;
VJ
V
DR
=2/3V
DRM
R = ;方法1 （线性电压升高）
GK
T =T
VJM
VJ
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
=300us
V /美
W
W
V
o
C
50 / 60赫兹， RMS
_
I
SOL
<1mA
I
t=1min
t=1s
3000
3600
2.5-4.0/22-35
2.5-4.0/22-35
110
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M5 ）
终端连接扭矩（ M5 ）
重量
典型值。
STT60GKxxB
可控硅晶闸管模块
符号
V
TM
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 10us的; V
D
=6V
I
G
= 0.45A ;迪
G
/dt=0.45A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 0.45A ;迪
G
/dt=0.45A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
T
= 150A ;吨
p
= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 20V / us的; V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=T
VJM
; I
T
, I
F
= 50A ; -di / DT = 3A /美
典型值。
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
I
TM
= 180A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=125
o
C)
测试条件
特征值
5
1.65
0.85
3.7
1.5
最大
1.6
最大
100
200
0.2
10
450
200
2
150
100
24
0.45
0.225
0.65
0.325
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
I
RRM
, I
DRM
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
特点
*国际标准套餐
*铜底板
*玻璃钝化芯片
*隔离电压3600 V
* UL文件NO.310749
*符合RoHS标准
应用
*直流电机控制
*软启动交流电机控制器
*光，热，温
控制
优势
*空间和减轻重量
*安装简单用两个螺丝
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
STT60GKxxB
可控硅晶闸管模块
100
W
75
60
30
.
1/2
.
1/2
STT60B
STD60B
90
120
评说。
罪。
180
180
100
W
75
1.2
1.4
1
0.8
0.6 0.5
R
号（j -a）的
续。
1.7
2
50
评说。
15
50
2.5
3
3.5
4
5
6
8
K / W
25
P
TAV
0
0 I
TAV
25
50
A
75
25
P
TAV
0
0
T
a
50
100
O
C
150
每个晶闸管与Fig.1L功耗通态电流
每个晶闸管Fig.1R功耗与环境温度
200
W
150
.
1
.
1
200
STT60B
STD60B
W
150
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1
1.2
1.5
0.2
0.1
R
TH（ C-A ）
65
T
c
75
85
95
105
O
100
100
50
PVTOT
0
0 I
RMS
50
100
A
150
50
PVTOT
0
2
3
4
K / W
115
125
150
C
0
T
a
50
100
O
C
每个模块与电流有效值Fig.2L功耗
每个模块Fig.2R功耗与温度的情况下
400
W
300
.
2
.
2
400
STT60B
STD60B
R
L
W
300
0.15
0.2
0.25
0.3
0.4
0.1
0.05
R
TH（ C-A ）
T
c
65
75
85
95
105
200
200
0.5
0.6
0.7
0.8
100
PVTOT
0
100
PVTOT
0
0
25
50
75
100
125 A 150
1.2
2
1
1.5
115
O
K / W
I
D
两个模块与直流Fig.3L功耗
0
T
a
50
100
O
C
150
125
C
两个模块与外壳温度Fig.3R功耗
STT60GKxxB
可控硅晶闸管模块
600
W
500
400
300
200
100
PVTOT
0
0 I
D
I
RMS
50
.
3
.
3
600
STT60B
STD60B
W
500
0.1 0.08 0.06 0.04
0.12
0.15
R
TH（ C-A ）
61
72
82
93
T
c
w
3
B
6
400
300
200
100
PVTOT
0.2
0.25
0.3
0.4
0.5
0.6
0.8
1
1.5
104
114
O
K / W
C
0
100
150
A
200
0
T
a
50
100
O
C
125
150
的Fig.4L功耗三个模块与直接和RMS电流
三个模块与外壳温度Fig.4R功耗
1000
uC
.
1/2
.
1/2
STT60B
STD60B
I
TM ...
100A
50A
20A
10A
5A
K / W
0.8
.
1/2
1/2
.
STT60B
STD60B
第Z （ J- S）
第Z （J -C ）
100
0.4
TVJ = 125℃
o
ZTH
0
0.001
t
0.01
0.1
1
10
s 100
10
0
10
A /我们100
图5恢复电荷与电流下降
图6瞬态热阻抗随时间变化
250
A
200
.
1/2
.
1/2
STT60B
STD60B
典型值。
马克斯。
2
I
T（ OV ）
I
TSM
1.6
1.4
1.2
.
1/2
1/2
.
STT60B
STD60B
I
TSM （ 25℃ ） = 1500A
I
TSM （ 125℃ ） = 1250A
O
O
150
100
1
0.8
_
.
0.5
.
V
1
.
V
0 V
RRM
RRM
RRM
50
I
T
0
0
Vt
0.5
1
Tvj=25
O
C
O
－　－
TVJ = 125℃
2
V2.5
0.6
0.4
1
t
10
100
MS 1000
1.5
图7在状态charactristics
图8浪涌过载电流与时间的关系
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