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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第862页 > STT500GK14
STT500
可控硅晶闸管模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
STT500GK08
STT500GK12
STT500GK14
STT500GK16
STT500GK18
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T
VJ
=T
VJM
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
F = 50Hz的，T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=1A
di
G
/dt=1A/us
测试条件
最大额定值
785
500
单位
A
I
TSM
, I
FSM
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
重复的，我
T
=960A
15000
16000
13000
14400
1125000
1062000
845000
813000
100
A
i
2
dt
A
2
s
（ di / dt的）
cr
A /美
非重复性的，我
T
=I
TAVM
500
1000
120
60
20
10
-40...+140
140
-40...+125
V /美
W
W
V
o
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
=T
VJM
;
V
DR
=2/3V
DRM
R
GK
= ;方法1 （线性电压升高）
T
VJ
=T
VJM
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
=500us
C
50 / 60赫兹， RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
3000
3600
4.5-7/40-60
11-13/97-115
940
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M6 ）
终端连接扭矩（ M8 ）
典型的包括螺钉
STT500
可控硅晶闸管模块
符号
I
RRM
V
T
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
T
= 1200A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=T
VJM
)
测试条件
特征值
40
1.3
0.8
0.38
2
3
300
400
0.25
10
400
300
2
典型值。
350
0.072
0.096
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 30US ; V
D
=6V
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
T
= 500A ;吨
p
= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 50V / us的; V
D
=2/3V
DRM
直流电流
直流电流
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
与铜基板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*电机控制，软起动器
*电源转换器
*热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
*照明控制
*固态开关
优势
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
STT500
可控硅晶闸管模块
14000
10
7
1000
V
R
= 0V
I
TSM
12000
A
10000
8000
It
50赫兹
80 % V
RRM
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 140°C
A
2
s
2
I
TAVM
A
900
800
700
600
DC
180 °罪
120°
60°
30°
10
6
6000
T
VJ
= 45°C
500
400
T
VJ
= 140°C
4000
2000
300
200
100
0
0.001
10
5
0.01
0.1
0
1
1
t
ms
0
0
25
50
75
100
T
C
s
t
1
125 °C 150
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
1200
P
合计
W
图。 2我
2
dt的随时间的变化（1-10毫秒）
图。 3最大正向电流
在外壳温度
10
1: I
GT
, T
VJ
= 140°C
R
thKA
K / W
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
3
2
1
5
4
6
1000
800
0.03
0.07
0.12
0.2
0.3
0.4
0.6
DC
180 °罪
120°
60°
30°
600
1
400
200
I
GD
, T
VJ
= 140°C
0
0
200
400
600
800 A
0
25
50
75
100
I
TAVM
/ I
FAVM
125
°C
T
A
150
0.1
10
-3
10
-2
10
-1
4: P
GM
= 20 W
5: P
GM
= 60 W
6: P
GM
= 120 W
10
0
I
G
10
1
A
10
2
图。 4功耗与通态电流和环境温度
5000
W
4500
4000
P
合计
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
300
600
900
1200 1500 A 0
I
DAVM
25
50
75
100
°C
125
T
A
150
电路
B6
3× STT500
3xMTC500
图。 5门极触发特性
100
T
VJ
= 25° C
R
thKA
K / W
s
t
gd
典型值。
极限
0.01
0.02
0.03
0.045
0.06
0.08
0.12
10
1
0.01
0.1
1
I
G
A
10
图。 6三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 7门极触发延迟时间
STT500
可控硅晶闸管模块
5000
W
4500
P
合计
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
300
600
900
1200 A
I
RMS
0
25
50
75
100
125 °C 150
T
A
电路
W3
3xMTC500
3× STT500
R
thKA
K / W
0.01
0.02
0.03
0.045
0.06
0.08
0.12
图。 8三相交流控制器：
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
0.12
K / W
0.10
图。 9瞬态热阻抗
结到外壳（每晶闸管）
R
thJC
各种导通角D：
Z
thJC
0.08
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.072
0.0768
0.081
0.092
0.111
0.06
30°
60°
120°
180°
DC
0.04
0.02
常量Z的
thJC
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0186
0.0432
0.0067
t
i
(s)
0.0054
0.098
0.54
12
1
2
3
4
0.00
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
s
10
2
0.14
K / W
0.12
Z
thJK
图10瞬态热阻抗
交界处（每晶闸管）散热器
R
thJK
各种导通角D：
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
10
-3
30°
60°
120°
180°
DC
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
（K / W）
0.096
0.1
0.105
0.116
0.135
常量Z的
thJK
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0186
0.0432
0.0067
0.024
t
i
(s)
0.0054
0.098
0.54
12
12
1
2
3
4
5
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
s
10
2
STT500
可控硅晶闸管模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
STT500GK08
STT500GK12
STT500GK14
STT500GK16
STT500GK18
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T
VJ
=T
VJM
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
F = 50Hz的，T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=1A
di
G
/dt=1A/us
测试条件
最大额定值
785
500
单位
A
I
TSM
, I
FSM
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
重复的，我
T
=960A
15000
16000
13000
14400
1125000
1062000
845000
813000
100
A
i
2
dt
A
2
s
（ di / dt的）
cr
A /美
非重复性的，我
T
=I
TAVM
500
1000
120
60
20
10
-40...+140
140
-40...+125
V /美
W
W
V
o
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
=T
VJM
;
V
DR
=2/3V
DRM
R
GK
= ;方法1 （线性电压升高）
T
VJ
=T
VJM
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
=500us
C
50 / 60赫兹， RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
3000
3600
4.5-7/40-60
11-13/97-115
940
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M6 ）
终端连接扭矩（ M8 ）
典型的包括螺钉
STT500
可控硅晶闸管模块
符号
I
RRM
V
T
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
T
= 1200A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=T
VJM
)
测试条件
特征值
40
1.3
0.8
0.38
2
3
300
400
0.25
10
400
300
2
典型值。
350
0.072
0.096
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 30US ; V
D
=6V
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
T
= 500A ;吨
p
= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 50V / us的; V
D
=2/3V
DRM
直流电流
直流电流
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
与铜基板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*电机控制，软起动器
*电源转换器
*热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
*照明控制
*固态开关
优势
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
STT500
可控硅晶闸管模块
14000
10
7
1000
V
R
= 0V
I
TSM
12000
A
10000
8000
It
50赫兹
80 % V
RRM
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 140°C
A
2
s
2
I
TAVM
A
900
800
700
600
DC
180 °罪
120°
60°
30°
10
6
6000
T
VJ
= 45°C
500
400
T
VJ
= 140°C
4000
2000
300
200
100
0
0.001
10
5
0.01
0.1
0
1
1
t
ms
0
0
25
50
75
100
T
C
s
t
1
125 °C 150
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
1200
P
合计
W
图。 2我
2
dt的随时间的变化（1-10毫秒）
图。 3最大正向电流
在外壳温度
10
1: I
GT
, T
VJ
= 140°C
R
thKA
K / W
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
3
2
1
5
4
6
1000
800
0.03
0.07
0.12
0.2
0.3
0.4
0.6
DC
180 °罪
120°
60°
30°
600
1
400
200
I
GD
, T
VJ
= 140°C
0
0
200
400
600
800 A
0
25
50
75
100
I
TAVM
/ I
FAVM
125
°C
T
A
150
0.1
10
-3
10
-2
10
-1
4: P
GM
= 20 W
5: P
GM
= 60 W
6: P
GM
= 120 W
10
0
I
G
10
1
A
10
2
图。 4功耗与通态电流和环境温度
5000
W
4500
4000
P
合计
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
300
600
900
1200 1500 A 0
I
DAVM
25
50
75
100
°C
125
T
A
150
电路
B6
3× STT500
3xMTC500
图。 5门极触发特性
100
T
VJ
= 25° C
R
thKA
K / W
s
t
gd
典型值。
极限
0.01
0.02
0.03
0.045
0.06
0.08
0.12
10
1
0.01
0.1
1
I
G
A
10
图。 6三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 7门极触发延迟时间
STT500
可控硅晶闸管模块
5000
W
4500
P
合计
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
300
600
900
1200 A
I
RMS
0
25
50
75
100
125 °C 150
T
A
电路
W3
3xMTC500
3× STT500
R
thKA
K / W
0.01
0.02
0.03
0.045
0.06
0.08
0.12
图。 8三相交流控制器：
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
0.12
K / W
0.10
图。 9瞬态热阻抗
结到外壳（每晶闸管）
R
thJC
各种导通角D：
Z
thJC
0.08
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.072
0.0768
0.081
0.092
0.111
0.06
30°
60°
120°
180°
DC
0.04
0.02
常量Z的
thJC
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0186
0.0432
0.0067
t
i
(s)
0.0054
0.098
0.54
12
1
2
3
4
0.00
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
s
10
2
0.14
K / W
0.12
Z
thJK
图10瞬态热阻抗
交界处（每晶闸管）散热器
R
thJK
各种导通角D：
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
10
-3
30°
60°
120°
180°
DC
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
（K / W）
0.096
0.1
0.105
0.116
0.135
常量Z的
thJK
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0186
0.0432
0.0067
0.024
t
i
(s)
0.0054
0.098
0.54
12
12
1
2
3
4
5
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
s
10
2
STT500
可控硅晶闸管模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
STT500GK08
STT500GK12
STT500GK14
STT500GK16
STT500GK18
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T
VJ
=T
VJM
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
F = 50Hz的，T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=1A
di
G
/dt=1A/us
测试条件
最大额定值
785
500
单位
A
I
TSM
, I
FSM
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
重复的，我
T
=960A
15000
16000
13000
14400
1125000
1062000
845000
813000
100
A
i
2
dt
A
2
s
（ di / dt的）
cr
A /美
非重复性的，我
T
=I
TAVM
500
1000
120
60
20
10
-40...+140
140
-40...+125
V /美
W
W
V
o
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
=T
VJM
;
V
DR
=2/3V
DRM
R
GK
= ;方法1 （线性电压升高）
T
VJ
=T
VJM
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
=500us
C
50 / 60赫兹， RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
3000
3600
4.5-7/40-60
11-13/97-115
940
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M6 ）
终端连接扭矩（ M8 ）
典型的包括螺钉
STT500
可控硅晶闸管模块
符号
I
RRM
V
T
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
I
T
= 1200A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=T
VJM
)
测试条件
特征值
40
1.3
0.8
0.38
2
3
300
400
0.25
10
400
300
2
典型值。
350
0.072
0.096
12.7
9.6
50
单位
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 30US ; V
D
=6V
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
T
= 500A ;吨
p
= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 50V / us的; V
D
=2/3V
DRM
直流电流
直流电流
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
最大允许的加速度
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
与铜基板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*电机控制，软起动器
*电源转换器
*热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
*照明控制
*固态开关
优势
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
STT500
可控硅晶闸管模块
14000
10
7
1000
V
R
= 0V
I
TSM
12000
A
10000
8000
It
50赫兹
80 % V
RRM
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 140°C
A
2
s
2
I
TAVM
A
900
800
700
600
DC
180 °罪
120°
60°
30°
10
6
6000
T
VJ
= 45°C
500
400
T
VJ
= 140°C
4000
2000
300
200
100
0
0.001
10
5
0.01
0.1
0
1
1
t
ms
0
0
25
50
75
100
T
C
s
t
1
125 °C 150
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
1200
P
合计
W
图。 2我
2
dt的随时间的变化（1-10毫秒）
图。 3最大正向电流
在外壳温度
10
1: I
GT
, T
VJ
= 140°C
R
thKA
K / W
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
3
2
1
5
4
6
1000
800
0.03
0.07
0.12
0.2
0.3
0.4
0.6
DC
180 °罪
120°
60°
30°
600
1
400
200
I
GD
, T
VJ
= 140°C
0
0
200
400
600
800 A
0
25
50
75
100
I
TAVM
/ I
FAVM
125
°C
T
A
150
0.1
10
-3
10
-2
10
-1
4: P
GM
= 20 W
5: P
GM
= 60 W
6: P
GM
= 120 W
10
0
I
G
10
1
A
10
2
图。 4功耗与通态电流和环境温度
5000
W
4500
4000
P
合计
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
300
600
900
1200 1500 A 0
I
DAVM
25
50
75
100
°C
125
T
A
150
电路
B6
3× STT500
3xMTC500
图。 5门极触发特性
100
T
VJ
= 25° C
R
thKA
K / W
s
t
gd
典型值。
极限
0.01
0.02
0.03
0.045
0.06
0.08
0.12
10
1
0.01
0.1
1
I
G
A
10
图。 6三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 7门极触发延迟时间
STT500
可控硅晶闸管模块
5000
W
4500
P
合计
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
300
600
900
1200 A
I
RMS
0
25
50
75
100
125 °C 150
T
A
电路
W3
3xMTC500
3× STT500
R
thKA
K / W
0.01
0.02
0.03
0.045
0.06
0.08
0.12
图。 8三相交流控制器：
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
0.12
K / W
0.10
图。 9瞬态热阻抗
结到外壳（每晶闸管）
R
thJC
各种导通角D：
Z
thJC
0.08
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.072
0.0768
0.081
0.092
0.111
0.06
30°
60°
120°
180°
DC
0.04
0.02
常量Z的
thJC
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0186
0.0432
0.0067
t
i
(s)
0.0054
0.098
0.54
12
1
2
3
4
0.00
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
s
10
2
0.14
K / W
0.12
Z
thJK
图10瞬态热阻抗
交界处（每晶闸管）散热器
R
thJK
各种导通角D：
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
10
-3
30°
60°
120°
180°
DC
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJK
（K / W）
0.096
0.1
0.105
0.116
0.135
常量Z的
thJK
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0186
0.0432
0.0067
0.024
t
i
(s)
0.0054
0.098
0.54
12
12
1
2
3
4
5
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
s
10
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