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STT3998N

公司Bauelemente

双N沟道增强模式Mos.FET

3.7 A， 20 V ，R

DS （ ON）

58 m

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素和无铅

描述

这些微型表面贴装MOSFET采用高细胞密度

地沟过程中提供低R

DS （ ON）

并保证最小的功率

损耗和散热。典型的应用是DC-DC变换器

和电源管理在便携式和电池供电产品

如计算机，打印机，PCMCIA卡，蜂窝和无绳

电话。

TSOP-6

特点

低R

DS （ ON）

提供更高的效率，并延长了电池

生活。

低热阻抗的铜引线框架TSOP- 6省

电路板空间。

快速开关速度。

高性能沟道技术。

REF 。

产品概述

(V)

（上）（ m

58@V

= 4.5V

82@V

= 2.5V

(A)

3.7

3.1

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.60

3.00

1.40

1.80

1.10最大。

1.90 REF 。

0.30

0.50

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.10

0.60参考。

0.12 REF 。

0°

10°

0.95 REF 。

绝对最大额定值（T

=25

°C

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结存储温度范围

= 25

°C

= 70

°C

= 25

°C

= 70

°C

符号

TJ ， TSTG

评级

最大

单位

°C

±12

3.7

2.9

1.05

1.15

0.7

-55 ~ 150

热电阻额定值

参数

最大结到环境

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温。

规范的任何更改将不个别通知。

符号

≦

10秒

稳定状态

典型值。

130

马克斯。

110

150

单位

°C

/ W

θJA

http://www.SeCoSGmbH.com/

27月- 2010版本A

第1页2

STT3998N

公司Bauelemente

双N沟道增强模式Mos.FET

3.7 A， 20 V ，R

DS （ ON）

58 m

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

符号最小值。

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

0.7

典型值。马克斯。

0.8

0.1

单位

测试条件

, I

= 250uA

= 0V, V

= 12V

= 16V, V

= 0V

= 16V, V

= 0V ，T

= 55°C

= 5V, V

= 4.5V

= 4.5V ，我

= 3.7A

= 2.5V ，我

= 2.7A

= 10V ，我

= 6.8A

= 1.05A ，V

= 0V

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

笔记

脉冲测试： PW

≦

300我们占空比

≦

2%.

通过设计保证，不受生产测试。

D（上）

D（关闭）

7.5

0.6

1.0

= 10V, V

= 4.5V,

根

= 15, I

= 1A

= 10V, V

= 4.5V,

= 3.7A

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

27月- 2010版本A

第2页2

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