【STT3962NE公司Bauelemente2.3A ， 60V ，RDS （ ON）0.153N沟】,IC型号STT3962NE,STT3962NE PDF资料,STT3962NE经销商,ic,电子元器件-51电子网

STT3962NE

公司Bauelemente

2.3A ， 60V ，R

DS （ ON）

0.153

N沟道增强型MOSFET

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素和无铅

描述

这些微型表面贴装MOSFET采用高

细胞密度沟槽过程中提供低R

DS （ ON）

并

保证最小的功率损耗和散热。

TSOP-6

特点

低R

DS （ ON）

提供更高的效率和扩展

电池寿命

低热阻抗的铜引线框架TSOP- 6

节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

应用

的DC- DC转换器和电源管理在便携式

和电池供电的产品，如计算机，打印机，

PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.60

3.00

1.40

1.80

1.10最大。

1.90 REF 。

0.30

0.50

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.10

0.60参考。

0.12 REF 。

0°

10°

0.95 REF 。

包装信息

包

TSOP-6

MPQ

负责人尺寸

7寸

ESD

保护二极管

2KV

绝对最大额定值

(

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

符号

=25°

=70°

=25°

=70°

评级

±20

2.3

单位

1.9

1.05

1.15

0.7

-55~150

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结存储温度范围

TJ ， TSTG

热阻率

最大结到环境

≦

10秒

稳定状态

100

166

° /W

注意事项：

1.表面装在1 “×1” FR4板。

2.脉冲宽度有限的最高结温。

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

4月- 2011版本A

第1页2

STT3962NE

公司Bauelemente

2.3A ， 60V ，R

DS （ ON）

0.153

N沟道增强型MOSFET

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

栅极阈值电压

门体漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

乳头条件

, I

=250uA

=0, V

=20V

=48V, V

=0, T

=55°C

STATIC

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

0.8

100

0.153

0.185

=5V, V

=10V

= 10V ，我

=2.3A

= 4.5V ，我

=2.1A

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

DS （ ON）

= 5V ，我

=2.3A

= 1.05A ，V

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

0.6

=15V,

=4.5V,

=2.3A

=15V,

=4.5V,

根

=15 ,

=1A

注意事项：

1.脉冲测试： PW

≦

300US占空比

≦

2%.

2.设计保证，不受生产测试。

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

4月- 2011版本A

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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进口原装大量现货

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原装正品假一赔百！

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