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STT3962N
公司Bauelemente
N沟道增强模式Mos.FET
2.3 A， 60 V ，R
DS （ ON）
0.153
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET采用高密度
流程。低R
DS （ ON）
保证最小的功率损耗并节省
能源，使该器件非常适用于电源管理应用
电路。典型的应用是DC-DC转换器，电源
管理在便携式及电池供电的产品如
计算机，打印机，PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。
A
E
6
5
4
TSOP-6
L
B
特点
F
DG
1
2
3
C
K
H
J
低R
DS （ ON）
提供更高的效率，并延长电池寿命。
微型TSOP - 6表面贴装封装可节省电路板空间。
产品概述
产品概述
V
DS
(V)
60
R
DS
（上） （
0.153@V
GS
= 10V
0.185@V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
2.3
2.1
G
S
G
D
S
D
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
1.10最大。
1.90 REF 。
0.30
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0
0.10
0.60参考。
0.12 REF 。
0°
10°
0.95 REF 。
绝对最大额定值（T
A
=25
°C
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
I
S
P
D
@T
A
=25℃
P
D
@T
A
=70℃
TJ ， TSTG
评级
最大
单位
V
V
A
A
A
W
°C
60
±20
2.3
1.9
8
1.05
1.15
0.7
-55 ~ 150
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
笔记
a.
b.
表面装在1 “×1” FR4板。
脉冲宽度有限的最高结温。
t
≦
10秒
稳定状态
符号
R
θJA
最大
100
166
单位
°C
/ W
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
8月20日， 2010版本B
第1页4
STT3962N
公司Bauelemente
N沟道增强模式Mos.FET
2.3 A， 60 V ，R
DS （ ON）
0.153
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
栅极阈值电压
门体漏电流
符号最小值。
V
GS （ TH）
I
GSS
1
-
-
典型值。马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
10
0.80
-
100
1
单位
V
uA
测试条件
V
DS
=V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 0V, V
GS
= 20V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
10
-
0.153
uA
V
DS
= 48V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
A
V
DS
= 5V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.3A
-
0.185
-
-
S
V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.1A
V
DS
= 5V ，我
D
= 2.3A
I
S
= 1.05A ，V
GS
= 0V
通态漏电流
a
I
D（上）
5
-
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
-
-
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
笔记
a.
b.
脉冲测试： PW
≦
300我们占空比
≦
2%.
通过设计保证，不受生产测试。
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
-
-
-
-
-
-
-
3
0.6
1.0
5
12
13
7
-
-
-
-
-
nS
-
-
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V,
R
根
= 15, I
D
= 1A
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V,
I
D
= 2.3A
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规范的任何更改将不个别通知。
8月20日， 2010版本B
第2页4
STT3962N
公司Bauelemente
N沟道增强模式Mos.FET
2.3 A， 60 V ，R
DS （ ON）
0.153
特性曲线
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8月20日， 2010版本B
第3页4
STT3962N
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N沟道增强模式Mos.FET
2.3 A， 60 V ，R
DS （ ON）
0.153
特性曲线
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8月20日， 2010版本B
第4页4
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