公司Bauelemente
3.5 A ， 20V ， RDS （ ON ） 75米
Ω
-2.5 A， -20V ， RDS （ ON ） 160米
Ω
N和P沟道增强型电源Mos.FET
STT3585
描述
该STT3585为设计人员提供快速的最佳组合
切换，低导通电阻和成本效益。
采用SOT -26封装普遍用于所有的商业，工业
表面贴装应用。
特点
*符合RoHS标准
*低栅极电荷
*低导通电阻
D
1
6
D1
D2
S
1
5
D
2
4
REF 。
A
A1
A2
c
D
E
E1
日期代码
G1
S1
G2
3585
S2
1
G
1
2
S
2
3
G
2
毫米
分钟。
马克斯。
1.10最大。
0
0.10
0.70
1.00
0.12 REF 。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
REF 。
L
L1
b
e
e1
毫米
分钟。
马克斯。
0.45 REF 。
0.60参考。
0°
10°
0.30
0.50
0.95 REF 。
1.90 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
3
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
o
o
评级
20
±12
3.5
2.8
10
1.14
0.01
单位
-20
±12
-2.5
-1.97
-10
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
T
otal功耗
线性
降额因子
操作
结温和存储温度范围
TJ ， TSTG
-55~+150
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
Symbo
马克斯。
Rthj -A
评级
110
o
单位
C / W
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
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第1页
7
公司Bauelemente
3.5 A ， 20V ， RDS （ ON ） 75米
Ω
-2.5 A， -20V ， RDS （ ON ） 160米
Ω
N和P沟道增强型电源Mos.FET
STT3585
N沟道电气特性（ TJ = 25
C
除非另有规定编）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
C
)
静态漏源导通电阻
2
o
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
20
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
± 12
V
V
DS
=20V,V
GS
=0
V
DS
=16V,V
GS
=0
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1.2A
o
0.02
_
_
_
_
0.5
_
_
_
_
1.2
±
100
1
10
75
125
7
_
_
_
_
4
0.7
2
6
8
10
3
230
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
Rg
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
栅极电阻
2
nC
I
D
=3A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
_
_
_
_
V
DS
=15V
I
D
=1A
nS
V
GS
=5V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=15
Ω
370
_
_
55
40
7
1.1
pF
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
_
_
_
S
Ω
V
DS
= 5V ，我
D
=3A
f=1.0MHz
1.7
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
DS
TRR
QRR
分钟。
_
典型值。
_
16
8
马克斯。
1.2
单位
V
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V.
是= 3A ，V
GS
=0V
dl/dt=100A/us
反向恢复时间
反向恢复电荷
_
_
_
_
nS
nC
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
O
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 1
≦5sec;180
安装在分当C / W 。铜垫。
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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公司Bauelemente
3.5 A ， 20V ， RDS （ ON ） 75米
Ω
-2.5 A， -20V ， RDS （ ON ） 160米
Ω
N和P沟道增强型电源Mos.FET
o
STT3585
P沟道电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
o
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
C
)
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
- 20
_
_
_
_
_
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V/
o
C
V
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25
o
C，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±12
V
V
DS
=-20V,V
GS
=0
V
DS
=-16V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.8A
-0.01
_
_
_
_
-
1.2
±
100
-1
-25
120
160
300
8
_
_
_
_
_
_
430
_
_
_
_
_
5
1
2
6
17
16
5
270
70
55
4
静态漏源导通电阻
2
R
DS （ ON）
_
_
m
Ω
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2A
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
nC
I
D
=-2A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-10V
I
D
=-1A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=3.3
Ω
R
D
=10
Ω
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-20V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -5V ，我
D
=-2A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
符号
V
DS
TRR
QRR
分钟。
_
典型值。
_
马克斯。
-1.2
单位
V
测试条件
I
S
=-1.2A,V
GS
=0V.
是= -2A ，V
GS
=0V
dl/dt=100A/uS
_
_
20
15
_
_
nS
nC
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
O
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 1
≦5sec;180
安装在分当C / W 。铜垫。
TTP ： //www.SeCoSGmbH.com/
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公司Bauelemente
3.5 A ， 20V ， RDS （ ON ） 75米
Ω
-2.5 A， -20V ， RDS （ ON ） 160米
Ω
N和P沟道增强型电源Mos.FET
STT3585
特性曲线N沟道
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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公司Bauelemente
3.5 A ， 20V ， RDS （ ON ） 75米
Ω
-2.5 A， -20V ， RDS （ ON ） 160米
Ω
N和P沟道增强型电源Mos.FET
STT3585
N沟道
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
180
/W
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.传输特性
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图12.栅极电荷波形
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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STT3585
公司Bauelemente
3.5A ， 20V ，R
DS （ ON）
75m
-2.5A ， -20V ，R
DS （ ON）
160m
N和P沟道增强型功率MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
该STT3585为设计者提供了最佳组合
快速开关，低导通电阻和成本效益。
该TSOP -6封装普遍用于所有
商业，工业表面贴装应用。
A
E
6
5
4
TSOP-6
L
特点
B
低栅电荷
低导通电阻
F
DG
1
2
3
C
K
H
J
标识代码
3585
½
=日期代码
REF 。
A
B
C
D
E
F
包装信息
包
TSOP-6
MPQ
3K
负责人尺寸
7寸
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
1.10最大。
1.90 REF 。
0.30
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0
0.10
0.60参考。
0.12 REF 。
0°
10°
0.95 REF 。
顶视图
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
功耗
最大结到环境
3
线性降额因子
工作结&存储温度范围
T
J
, T
英镑
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
20
±12
3.5
2.8
10
评级
N沟道
P沟道
单位
-20
±12
-2.5
V
V
A
A
W
C / W
W / ℃，
°C
-1.97
-10
1.14
110
0.01
-55~150
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
03 -JAN- 2012版本C
第1页7
STT3585
公司Bauelemente
3.5A ， 20V ，R
DS （ ON）
75m
-2.5A ， -20V ，R
DS （ ON）
160m
N和P沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源击穿
电压
击穿电压温度。
系数
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
漏极 - 源极漏电流
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
漏源导通电阻
1
P沟道
N沟道
P沟道
总栅极电荷
1
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
1
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
R
DS （ ON）
I
DSS
符号
分钟。
典型值。
STATIC
20
-20
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.02
-0.01
-
-
7
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
5
0.7
1
2
2
6
6
8
17
10
16
3
5
430
630
55
50
40
40
1.4
7
马克斯。
-
-
-
-
1.2
-1.2
-
-
±100
单位
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250μA
V
GS
=0, I
D
= -250μA
参考至25℃ ， n = 1毫安
参考至25℃ ， n = -1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= 5V ，我
D
=3A
V
DS
= -5V ，我
D
= -2A
V
GS
= ±12V
V
GS
= ±12V
V
DS
=20 V, V
GS
=0
V
DS
= -20 V, V
GS
=0
V
DS
=16V, V
GS
=0
V
DS
= -16V, V
GS
=0
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2A
N沟道
V
DS
=16V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
BV
DSS
ΔBV
DSS
/△T
J
V
GS （ TH）
g
fs
I
GSS
V
V /°C的
V
S
nA
±
100
1
-1
10
-25
75
160
125
300
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
520
750
-
-
-
-
1.7
10
μA
m
nC
P沟道
V
DS
= -16V, V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2A
N沟道
V
DS
= 15V ，R
G
=3.3,R
D
=15
V
GS
= 5V ，我
D
=1A
nS
P沟道
V
DS
= -10V ，R
G
=3.3,R
D
=10
V
GS
= -10V ，我
D
= -1A
N沟道
V
GS
=0, V
DS
= 20V ， F = 1.0MHz的
pF
P沟道
V
GS
=0, V
DS
= -20V ， F = 1.0MHz的
f=1.0MHz
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
03 -JAN- 2012版本C
第2 7
STT3585
公司Bauelemente
3.5A ， 20V ，R
DS （ ON）
75m
-2.5A ， -20V ，R
DS （ ON）
160m
N和P沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
16
20
8
15
马克斯。
1.2
-1.2
-
-
-
-
单位
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0
I
S
= 3A ，V
GS
= 0 ，的di / dt = 100A / μs的
I
S
= -2A ，V
GS
= 0 ，的di / dt = 100A / μs的
I
S
= 3A ，V
GS
= 0 ，的di / dt = 100A / μs的
I
S
= -2A ，V
GS
= 0 ，的di / dt = 100A / μs的
源极 - 漏极二极管
正向电压上
1
V
SD
V
反向恢复时间
T
RR
ns
反向恢复电荷
Q
rr
nC
注意事项：
1脉冲宽度有限的最大。结温。
2脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 2 ％ 。
2
3表面安装在1 FR4电路板的铜垫;吨≦ 5秒。安装在最小的时候180 ° C / W 。铜垫。
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03 -JAN- 2012版本C
第3页7
STT3585
公司Bauelemente
3.5A ， 20V ，R
DS （ ON）
75m
-2.5A ， -20V ，R
DS （ ON）
160m
N和P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线（ N沟道）
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
03 -JAN- 2012版本C
第4 7
STT3585
公司Bauelemente
3.5A ， 20V ，R
DS （ ON）
75m
-2.5A ， -20V ，R
DS （ ON）
160m
N和P沟道增强型功率MOSFET
特性曲线（ N沟道）
http://www.SeCoSGmbH.com/
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03 -JAN- 2012版本C
第5页第7
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