STT3463P
公司Bauelemente
-3 A ， -60 V ，R
DS （ ON）
155 m
P沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
描述
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证最低
功率损耗并节省能源，使该装置
非常适用于电源管理电路使用。
A
E
6
5
4
TSOP-6
L
特点
B
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和扩展
电池寿命。
微型TSOP - 6表面贴装封装保存
电路板空间。
高功率和电流处理能力。
扩展V
GS
范围（± 25），用于电池组
应用程序。
F
DG
1
2
3
C
K
H
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
应用
PWMDC -DC转换器，电源管理
在便携式及电池供电的产品，如计算机，
打印机，电池充电器，通信电源系统，
和电话电源系统。
D
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.60
3.00
1.40
1.80
1.10最大。
1.90 REF 。
0.30
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0
0.10
0.60参考。
0.12 REF 。
0°
10°
0.95 REF 。
D
包装信息
包
TSOP-6
MPQ
3K
负责人尺寸
7'寸
D
D
G
S
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（二极管传导）
1
功耗
1
工作结存储温度范围
T
A
= 25
°C
T
A
= 70
°C
T
A
= 25
°C
T
A
= 70
°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
TJ ， TSTG
评级
-60
±20
-3.0
-2.4
-15
-1.7
2.0
1.3
-55 ~ 150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
热电阻额定值
最大结到环境
1
t
≦
5秒
R
θJA
62.5
110
°C
/ W
注意事项：
1.表面装在1 “×1” FR4板。
2.脉冲宽度有限的最高结温。
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规范的任何更改将不个别通知。
08 -APR- 2011版本A
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STT3463P
公司Bauelemente
-3 A ， -60 V ，R
DS （ ON）
155 m
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
正向跨导
1
二极管的正向电压
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
分钟。
-1
-
-
-
-20
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
8
-
马克斯。
-
±100
-1
-10
-
155
230
-
-1.2
单位
V
nA
μA
A
m
S
V
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
=0, V
GS
= ±20V
V
DS
= -48V, V
GS
=0
V
DS
= -48V, V
GS
=0, T
J
= 55°C
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -10V ，我
D
= -3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -3.0A
I
S
= -2.5A ，V
GS
=0
STATIC
动态
2
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
-
-
-
-
-
-
-
18
5
2
8
10
35
12
-
-
-
-
-
-
-
nS
nC
V
DS
= -30V,
V
GS
= -4.5V,
I
D
= -3A
V
DD
= -30V,
V
根
= -10V,
R
L
=30,
I
D
= -1A,
R
G
=6
注意事项：
1.脉冲测试： PW
≦
300我们占空比
≦
2%.
2.设计保证，不受生产测试。
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规范的任何更改将不个别通知。
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