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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1443页 > STT200GK14
STT200
可控硅晶闸管模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
STT200GK08
STT200GK12
STT200GK14
STT200GK16
STT200GK18
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T
VJ
=T
VJM
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
F = 50Hz的，T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=1A
di
G
/dt=1A/us
测试条件
最大额定值
314
200
单位
A
I
TSM
, I
FSM
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
重复的，我
T
=750A
8000
8500
7000
7600
38000
34000
30000
27000
250
800
A
i
2
dt
A
2
s
（ di / dt的）
cr
A /美
非重复性的，我
T
=200A
1000
120
60
20
10
-40...+130
125
-40...+130
V /美
W
W
V
o
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
=T
VJM
;
V
DR
=2/3V
DRM
R
GK
= ;方法1 （线性电压升高）
T
VJ
=T
VJM
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
=500us
C
50 / 60赫兹， RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
3000
3600
2.5-5/22-44
12-15/106-132
320
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M5 ）
终端连接扭矩（ M8 ）
典型的包括螺钉
STT200
可控硅晶闸管模块
符号
I
RRM
I
DRM
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 30US ; V
D
=6V
I
G
= 0.45A ;迪
G
/dt=0.45A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
T
= 300A ;吨
p
= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 50V / us的; V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=125
o
℃;我
T
, I
F
= 400A ; -di / DT = 50A /美
典型值。
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
I
T
, I
F
= 600A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=140
o
C)
测试条件
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
特征值
70
40
1.50
0.95
1.0
2
3
150
200
0.25
10
300
150
2
200
760
275
0.140
0.070
0.180
0.090
12.7
9.6
50
单位
mA
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*电机控制
*电源转换器
*热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
*照明控制
*非接触式开关
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
STT200
可控硅晶闸管模块
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
吨随时间的变化（1-10毫秒）
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与通态电流和环境温度
（每晶闸管或二极管）
图。 4门极触发特性
3× STT200
图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 6门极触发延迟时间
STT200
可控硅晶闸管模块
图。 7三相交流控制器：
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
3× STT200
0.15
K / W
30°
DC
图。 8瞬态热阻抗
结到外壳（每晶闸管或
二极管）
R
thJC
各种导通角D：
Z
thJC
0.10
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.129
0.131
0.131
0.132
0.132
0.05
常量Z的
thJC
计算方法：
i
0.00
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
10
2
R
THI
（K / W）
0.0035
0.0165
0.1091
t
i
(s)
0.099
0.168
0.456
t
1
2
3
0.20
K / W
30°
DC
0.15
Z
thJK
图。 9瞬态热阻抗
结到散热器（每晶闸管
或二极管）
R
thJK
各种导通角D：
d
R
thJK
（K / W）
0.169
0.171
0.172
0.172
0.173
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
0.10
0.05
常量Z的
thJK
计算方法：
3× STT200
i
10
0
10
1
s
10
2
R
THI
（K / W）
0.0033
0.0159
0.1053
0.04
t
i
(s)
0.099
0.168
0.456
1.36
0.00
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
2
3
4
STT200
可控硅晶闸管模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
STT200GK08
STT200GK12
STT200GK14
STT200GK16
STT200GK18
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T
VJ
=T
VJM
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
F = 50Hz的，T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=1A
di
G
/dt=1A/us
测试条件
最大额定值
314
200
单位
A
I
TSM
, I
FSM
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
T = 10ms的（ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3ms的（ 60赫兹） ，正弦
重复的，我
T
=750A
8000
8500
7000
7600
38000
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30000
27000
250
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A
i
2
dt
A
2
s
（ di / dt的）
cr
A /美
非重复性的，我
T
=200A
1000
120
60
20
10
-40...+130
125
-40...+130
V /美
W
W
V
o
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
=T
VJM
;
V
DR
=2/3V
DRM
R
GK
= ;方法1 （线性电压升高）
T
VJ
=T
VJM
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
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C
50 / 60赫兹， RMS
_
I
ISOL
<1mA
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t=1s
3000
3600
2.5-5/22-44
12-15/106-132
320
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩（ M5 ）
终端连接扭矩（ M8 ）
典型的包括螺钉
STT200
可控硅晶闸管模块
符号
I
RRM
I
DRM
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 30US ; V
D
=6V
I
G
= 0.45A ;迪
G
/dt=0.45A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ;
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
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R
= 100V ;的dv / dt = 50V / us的; V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=125
o
℃;我
T
, I
F
= 400A ; -di / DT = 50A /美
典型值。
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
I
T
, I
F
= 600A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
=140
o
C)
测试条件
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
特征值
70
40
1.50
0.95
1.0
2
3
150
200
0.25
10
300
150
2
200
760
275
0.140
0.070
0.180
0.090
12.7
9.6
50
单位
mA
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V
应用
*电机控制
*电源转换器
*热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
*照明控制
*非接触式开关
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
STT200
可控硅晶闸管模块
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
吨随时间的变化（1-10毫秒）
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
图。 3功耗与通态电流和环境温度
（每晶闸管或二极管）
图。 4门极触发特性
3× STT200
图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 6门极触发延迟时间
STT200
可控硅晶闸管模块
图。 7三相交流控制器：
功耗与RMS
输出电流和环境
温度
3× STT200
0.15
K / W
30°
DC
图。 8瞬态热阻抗
结到外壳（每晶闸管或
二极管）
R
thJC
各种导通角D：
Z
thJC
0.10
d
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
R
thJC
（K / W）
0.129
0.131
0.131
0.132
0.132
0.05
常量Z的
thJC
计算方法：
i
0.00
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s
10
2
R
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（K / W）
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i
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0.456
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3
0.20
K / W
30°
DC
0.15
Z
thJK
图。 9瞬态热阻抗
结到散热器（每晶闸管
或二极管）
R
thJK
各种导通角D：
d
R
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（K / W）
0.169
0.171
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0.172
0.173
DC
180
o
C
120
o
C
60
o
C
30
o
C
0.10
0.05
常量Z的
thJK
计算方法：
3× STT200
i
10
0
10
1
s
10
2
R
THI
（K / W）
0.0033
0.0159
0.1053
0.04
t
i
(s)
0.099
0.168
0.456
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0.00
10
-3
10
-2
10
-1
t
1
2
3
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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