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STSJ60NH3LL
N沟道30V - 0.004Ω - 15A - PowerSO - 8
的STripFET 功率MOSFET的DC- DC转换器
一般特点
TYPE
STSJ60NH3LL
■
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0057
I
D
15A
(2)
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5 V
传导损耗而有所降低
改进的结外壳热阻
低阈值设备
PowerSO-8
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这个过程加上独特的金属化
技术，实现了最先进的低
在电压功率MOSFET的SO - 8生产过。
暴露蛞蝓减少Rthj -C的改进
的电流能力。
内部原理图
应用
■
开关应用
漏接触另在背面
订购代码
产品型号
STSJ60NH3LL
记号
60H3LL-
包
PowerSO-8
包装
磁带&卷轴
2006年4月
REV 1
1/12
www.st.com
12
目录
STSJ60NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STSJ60NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D
I
D(2)
I
D
I
DM （3）
P
TOT （1）
P
TOT （2）
T
英镑
Tj
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
-55到150
工作结温
°C
价值
30
± 16
60
37.5
15
9.4
60
50
3
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
1.该值是根据Rthj -C额定
2.该值是根据Rthj -的pcb额定
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件（漏）最大
热阻结到环境最大
价值
2.5
42
单位
° C / W
° C / W
3/12
电气特性
STSJ60NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
试验性条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7.5A
1
0.004
0.005
0.0057
0.0075
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
试验性条件
分钟。
典型值。
1810
565
41
18
4.8
5.3
0.5
1.5
24
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
= 0
V
DD
= 15V ，我
D
=15A
V
GS
=4.5V
（参见图13）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
门输入电阻
3
4/12
STSJ60NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 7.5A
R
G
= 4.7 , V
GS
= 10V
（参见图12）
V
DD
= 15V ，我
D
= 7.5A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
（参见图12）
分钟。
典型值。
8
65
38
20
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD（1 ）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 15A ，V
GS
= 0
I
SD
= 15A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 15V ，T
j
= 25°C
（参见图17）
22
32
1.9
试验性条件
民
典型值。
最大
15
60
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
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