STSJ2NM60
N沟道600V - 2.8Ω - 2A PowerSO - 8
齐纳保护的MDmesh 功率MOSFET
TYPE
STSJ2NM60
s
s
s
s
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
< 3.2
I
D
2A
s
s
典型
DS
（上） = 2.8
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
改进的ESD能力
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
严格的流程控制和高
MANUFACTORING产额
PowerSO-8
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH 水平
布局。由此产生的产品具有出色的低
导通电阻，令人印象深刻的高dv / dt和优良
雪崩特性。采用的
公司的专有技术，带整体产生
动态性能比显著更好
这类似completition的产品。
内部原理图
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高电压转换器的功率密度允许 -
荷兰国际集团系统的小型化和更高的效率。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
A
= 25°C (1)
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
总功耗在T
A
= 25°C (1)
降额因子（ 1 ）
dv / dt的（ 3 ）
T
英镑
T
j
2002年8月
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
漏接触另在背面
价值
600
600
± 30
2
0.37
1.26
8
70
3
0.02
15
- 65 150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W / ℃，
V / ns的
°C
I
DM
(2)
P
合计
P
合计
1/8
STSJ2NM60
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 1 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 480 V，I
D
= 2 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
13
8
6
1.8
3.3
8.4
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480 V，I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
12
25
30
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(4)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
注： 1 。
2.
3.
4.
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
2
8
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
I
SD
= 2 A，V
GS
= 0
I
SD
= 2的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 2的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
516
516
2
808
890
2.2
1.5
当安装在1inch FR4板，铜2盎司，T
≤
10秒。
脉冲宽度有限的安全工作区
I
SD
<3.3A ，二/ dt<400A / μs的，V
DD
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, T
J
＆ LT ;吨
JMAX
脉冲：脉冲宽度= 400微秒，占空比1.5 ％
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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