STS9NH3LL
N沟道30V - 0.018Ω - 9A - SO- 8
低栅电荷的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STS9NH3LL
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
0.022
I
D
9A
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
SO-8
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
第三代意法半导体独有的
“单一特征尺寸 ”带为基础的进程。该
导致晶体管显示出最佳的权衡
之间的导通电阻和栅极电荷。当
在降压稳压器用于高端和低端，它
给出了在两个方面的最佳性能
传导和开关损耗。这是
对于主板在那里快速极其重要
开关和高效率是至
重要性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STS9NH3LL
记号
S9NH3LL
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
2006年7月
REV 1
1/12
www.st.com
12
目录
STS9NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STS9NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=25°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
价值
30
±16
9
6
36
2.5
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
R
thj-amb(1)
热数据
参数
热阻结到环境最大
价值
50
单位
° C / W
1.当安装在1英寸2 FR-4板， 2盎司铜（ t<10sec ）。
3/12
电气特性
STS9NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.5A
1
0.018
0.020
0.022
0.025
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 4.5A
分钟。
典型值。
8.5
857
147
20
7.0
2.5
2.3
10
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
DD
= 15V ，我
D
= 9A
V
GS
= 4.5V,
（参见图14）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/12
STS9NH3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 4.5A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图13）
V
DD
= 15V ，我
D
= 4.5A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（参见图13）
分钟。
典型值。
12
14.5
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
23
8
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4.5A ，V
GS
=0
I
SD
= 9A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ， TJ = 150℃
（参见图18）
15
5.7
0.76
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
9
36
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/12
STS9NH3LL
N沟道30 V - 0.018
- 9 A - SO- 8
低栅电荷的STripFET III功率MOSFET
特点
TYPE
STS9NH3LL
■
■
■
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
0.022
I
D
9A
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5 V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
SO-8
应用
■
切换应用程序
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
第三代意法半导体独有的
“单一的功能尺寸”带为基础的进程。该
导致晶体管显示出最佳的权衡
之间的导通电阻和栅极电荷。当
在降压稳压器用于高端和低端，它
给出了在两个方面的最佳性能
传导和开关损耗。这是
对于主板在那里快速极其重要
开关和高效率是至
重要性。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
S9NH3LL
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
订货编号
STS9NH3LL
2007年12月
REV 3
1/13
www.st.com
13
目录
STS9NH3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/13
STS9NH3LL
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
E
AS （2）
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
30
±16
9
6
36
2.5
100
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
mJ
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= 6 A.
表3中。
符号
R
thj-amb(1)
热数据
参数
热阻结到环境最大
价值
50
单位
° C / W
1.当安装在1英寸2 FR- 4电路板， 2盎司铜（T < 10秒。 ）
3/13
电气特性
STS9NH3LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±16 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.5 A
1
0.018
0.020
0.022
0.025
分钟。
30
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10 V，I
D
= 4.5 A
分钟。
典型值。
8.5
857
147
20
7.0
2.5
2.3
10
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 15 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V,
（参见图16）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
4/13
STS9NH3LL
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 4.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
（参见图15）
V
DD
= 15 V，I
D
= 4.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
（参见图15）
分钟。
典型值。
12
14.5
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
23
8
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4.5 A，V
GS
=0
I
SD
= 9 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 15 V ， TJ = 150℃
（参见图17）
15
5.7
0.76
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
9
36
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/13
QQ：2881677436 复制
