N沟道30V - 0.016
- 9A SO- 8
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS9NF3LL
s
s
s
s
STS9NF3LL
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
<0.019
I
D
9A
典型
DS
(上) = 0.016
最优
DS
(上) X的Qg权衡@ 4.5V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是第二
代STMicroelectronis独特"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的晶体管
显示导通电阻和栅极之间的最佳平衡点
费。当高侧和低侧降压使用
稳压器,它提供了在这两个方面的性能最佳
传导和开关损耗。这是非常
对主板重要,因为快速切换和
高效率是非常重要的。
SO-8
内部原理图
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器,用于移动PC
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
价值
30
30
± 16
9
5.6
36
2.5
单位
V
V
V
A
A
A
W
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2001年11月
.
1/8
STS9NF3LL
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 4.5 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
(阻性负载,图1 )
V
DD
= 15 V I
D
= 9 A V
GS
= 5 V
(见测试电路,图2 )
分钟。
典型值。
18
32
12.5
3.2
4.5
17
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 4.5 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 4.5 V
(阻性负载,图3 )
分钟。
典型值。
21
11
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM (
)
V
SD (*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 9 A
V
GS
= 0
23
17
1.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
9
36
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 9 A
V
DD
= 15 V
T
j
= 150°C
(见测试电路,图3 )
(*)
脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8