【STS8DNH3LL双N沟道30 V - 0.018- 8 A - SO- 8低栅电荷的STrip】,IC型号STS8DNH3LL,STS8DNH3LL PDF资料,STS8DNH3LL经销商,ic,电子元器件-51电子网

STS8DNH3LL

双N沟道30 V - 0.018

- 8 A - SO- 8

低栅电荷的STripFET III功率MOSFET

特点

TYPE

STS8DNH3LL

■

DSS

30 V

DS （ ON）

最大

< 0.022

最优

DS （ ON）

X的Qg权衡@ 4.5 V

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

S0-8

应用

■

切换应用程序

描述

本产品采用了最新的先进设计

意法半导体独有的STripFET 技术规则

其适用于最苛刻的DC-DC

变频器应用中的高效率

所需。

图1 。

内部原理图

表1中。

设备简介

订货编号

记号

8DH3LL

包

SO-8

包装

磁带&卷轴

STS8DNH3LL

2008年6月

REV 2

1/12

www.st.com

STS8DNH3LL

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

.......................... 6

测试电路

................................................ 8

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 9

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

2/12

STS8DNH3LL

电气额定值

表2中。

符号

糖尿病（1）

合计

AS(2)

绝对最大额定值

参数

漏源电压（V

= 0)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

单脉冲雪崩能量

价值

±16

100

单位

1.脉冲宽度有限的安全工作区

2.起始物为

= 25 ° C，I

= 6 A

表3中。

符号

THJ -一（1）

英镑

热数据

参数

热阻结到环境最大

热工作结到环境

储存温度

价值

62.5

150

-55到150

单位

° C / W

°C

1.当安装在1英寸2 FR-4板， 2盎司铜，，T

≤

10s

3/12

电气特性

STS8DNH3LL

电气特性

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表4 。

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

开/关状态

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值@ 125°C

= ± 16 V

= V

= 250 A

= 10 V，I

= 4 A

= 4.5 V，I

= 4 A

0.018

0.020

0.022

0.025

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

表5 。

符号

国际空间站

OSS

RSS

动态

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 25 V ， F = 1MHz时，

= 0

测试条件

= 15 V，I

= 4 A

分钟。

典型值。

8.5

857

147

= 15 V，I

= 8 A,

= 4.5 V

（参见图14）

2.5

2.3

马克斯。

单位

4/12

STS8DNH3LL

表6 。

符号

D（上）

D（关闭）

电气特性

开关时间

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 15 V，I

= 4 A，R

=4.7

= 4.5 V

（参见图16）

= 15 V，I

= 4 A，R

=4.7

= 4.5 V

（参见图16）

分钟。

典型值。

14.5

马克斯。

单位

表7中。

符号

SDM （1）

的SD （2）

RRM

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

测试条件

= 15 V，I

= 4 A，R

=4.7

= 4.5 V

= 15 V，I

= 4A

=4.7

=4.5 V

= 8 A，V

= 0

5.7

0.76

民

典型值。

最大

1.5

单位

= 8 A，V

= 15 V

反向恢复时间

的di / dt = 100 A / μs的，

反向恢复电荷

T = 150℃

反向恢复电流

（参见图15）

1.脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

5/12

STS8DNH3LL

双N沟道30V - 0.018

- 8A SO- 8

低栅电荷的STripFET III功率MOSFET

TYPE

STS8DNH3LL

■

DSS

30 V

DS （ ON）

<0.022

典型

（上） = 0.018

最优

（上） X的Qg权衡@ 4.5V

传导损耗而有所降低

开关损耗而有所降低

描述

此应用程序特定的MOSFET是第三代

的STMicroelectronis独特"Single特征大小 "

条形基础的过程。由此产生的晶体管显示了

导通电阻和栅极电荷之间的最佳折衷。

当降压稳压器用于高端和低端，它

给出在两个传导方面的最佳性能

和开关损耗。这是极其重要的

其中，主板快速开关和高效率

是非常重要的。

SO-8

内部原理图

应用

■

专门设计和优化

高效率的CPU CORE DC / DC

转换器，用于移动PC

订购信息

销售类型

STS8DNH3LL

记号

S8DNH3LL

包

SO-8

包装

磁带&卷轴

绝对最大额定值

符号

DGR

(

)

合计

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k

)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

价值

± 16

Rev.0.2

单位

(

)

脉冲宽度有限的安全工作区。

2004年6月

1/9

STS8DNH3LL

表1热数据

Rthj - AMB

英镑

电阻结到环境

最大工作结温

储存温度

(*)

热

最大

62.5

150

-55到150

° C / W

°C

(*)

当安装在1英寸

FR-4板， 2盎司的Cu，吨

≤

10s

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

TAB.2

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值牛逼

= 125°C

= ± 16 V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

GSS

TAB.3

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 4.5 V

= 250 A

= 4 A

分钟。

0.018

0.020

0.022

0.025

典型值。

马克斯。

单位

TAB.4

动态

符号

飞秒（*）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

=15 V

= 4 A

分钟。

典型值。

8.5

857

147

马克斯。

单位

= 25V ， F = 1兆赫，V

= 0

2/9

STS8DNH3LL

电气特性

（续）

TAB.5开启

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 4 A

= 15 V

= 10 V

= 4.7

（阻性负载，图1 ）

= 15 V I

= 8 A V

= 4.5 V

（见测试电路，图2 ）

分钟。

典型值。

14.5

7.0

2.5

2.3

马克斯。

单位

TAB.6关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 15 V

= 4 A

= 10 V

= 4.7

（阻性负载，图1 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

TAB.7源漏二极管

符号

SDM （

)

SD （*）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

1.5 %.

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

= 4 A

= 0

5.7

0.76

1.5

= 8 A

的di / dt = 100A / μs的

= 150°C

= 15 V

（见测试电路，图3 ）

(*)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比

(

)

脉冲宽度有限的安全工作区。

安全工作区

热阻抗

3/9

STS8DNH3LL

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/9

STS8DNH3LL

归栅极阈值电压与温度

归

在电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压温度

5/9