STS8C5H30L
N沟道30V - 0.018Ω - 8A SO- 8
P沟道30V - 0.045Ω - 5A SO- 8
低栅电荷的STripFET III MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STS8C5H30L （ N沟道）
STS8C5H30L （ P沟道）
s
s
s
s
s
s
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.022
< 0.055
I
D
8A
5A
V
DSS
30 V
30 V
典型
DS （ ON）
（ N通道）= 0.018
典型
DS （ ON）
（ P沟道）= 0.045
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值DRIVE
标准大纲EASY
自动化表面贴装
SO-8
描述
这种MOSFET是STMi-的最新发展
croelectronics独特的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
图2 ：内部原理图
应用
s
DC / DC转换器
s
电池管理游牧
设备
s
电源管理CELLULAR
手机
s
直流电机驱动
表2 ：订购代码
产品型号
STS8C5H30L
记号
S8C5H30L
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
第2版
2004年9月
1/11
STS8C5H30L
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25 ° C单操作
工作结温
储存温度
± 16
8
6.4
32
1.6
2
150
-55到150
价值
N沟道
30
30
± 16
4.2
3.1
16.8
P沟道
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
注意：对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
表4 ：热数据
Rthj外壳热阻结案件单人操作
双操作
T
l
最大无铅焊接温度的目的
62.5
78
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 16V
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
V
GS
=
10 V，I
D
= 4 A
10 V，I
D
= 2.5 A
4.5 V，I
D
= 4 A
4.5 V，I
D
= 2.5 A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
1
1
1.6
0.018
0.045
0.020
0.070
分钟。
30
30
1
10
±100
±100
2.5
0.022
0.055
0.025
0.075
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
nA
V
V
表6 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 4 A
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 2.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
8.5
10
857
1350
147
490
20
130
马克斯。
单位
S
S
pF
pF
pF
pF
pF
pF
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2/11
STS8C5H30L
电气特性（续）
表7 ：接通
符号
t
D（上）
t
r
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
P沟道
V
DD
= 15 V，I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载参见图28 ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 24 V，I
D
= 8 A,
V
GS
= 5 V
P沟道
V
DD
= 24 V，I
D
= 4 A,
V
GS
= 5 V
（参见图31 ）
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
12
25
马克斯。
单位
ns
ns
N沟道
P沟道
14.5
35
ns
ns
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
7
12.5
2.5
5
2.3
3
10
16
nC
nC
nC
nC
nC
nC
表8 ：关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
P沟道
V
DD
= 15 V，I
D
= 2.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
（阻性负载参见图28 ）
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
23
125
马克斯。
单位
ns
ns
N沟道
P沟道
8
35
ns
ns
表9 ：源极 - 漏极Diodef
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 8 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
P沟道
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图29 ）
测试条件
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
15
45
5.7
36
0.76
1.6
分钟。
典型值。
马克斯。
8
5
32
20
1.5
1.2
单位
A
A
A
A
V
V
ns
ns
nC
nC
A
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
(3) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为Coss而当VDS的增大，从0至80％ VDSS
3/11
STS8C5H30L
图9 ：栅极电荷VS栅源电压
N沟道
图12 ：电容变化的n沟道
图10 ：归一门Thereshold电压
年龄与温度n沟道
图13 ：归在电阻与温
perature n沟道
图11 ：源极 - 漏极转发Characteris-
抽动n沟道
图14 ：归BVDSS与温度
N沟道
5/11
STS8C5H30L
N沟道30V - 0.018
- 图8A / P沟道30V - 0.045
- 5A - SO- 8
低栅电荷的STripFET III MOSFET
特点
TYPE
STS8C5H30L(N-channel)
STS8C5H30L(P-channel)
■
■
■
■
V
DSS
30V
30V
R
DS （ ON）
<0.022
<0.056
I
D
8A
5A
S0-8
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值DRIVE
标准大纲，便于自动化表面
安装组件
SO-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
图1 。
内部原理图
应用
■
开关应用
表1中。
设备简介
产品型号
记号
S8C5H30L
包
SO-8
包装
磁带&卷轴
STS8C5H30L
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
2007年7月
转4
1/14
www.st.com
14
目录
STS8C5H30L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STS8C5H30L
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
N沟道
漏源电压（V
gs
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25 ° C单操作
储存温度
工作结温
±16
8
6.4
32
1.6
2
-55到150
150
30
±16
4.2
3.1
16.8
P沟道
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
单位
1.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
热数据
热阻结到环境的单
操作
热阻结到环境的双重
操作
最大无铅焊接温度的目的
62.5
78
300
° C / W
° C / W
°C
R
THJ -A
T
l
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
3/14
电气特性
STS8C5H30L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
V
GS
= ±16V
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
1
1
1.6
0.018
0.045
0.020
0.070
分钟。
30
30
1
10
±100
±100
2.5
0.022
0.055
0.025
0.075
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
nA
nA
V
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DD
= 24V I
D
=8A
V
GS
=5V
P沟道
V
DD
= 24V I
D
= 4A
V
GS
= 5V
（参见图27）
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 4A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
8.5
10
857
1350
147
490
20
130
7
12.5
2.5
5
2.3
3
10
16
马克斯。
单位
S
S
pF
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 。
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须
反转
4/14
STS8C5H30L
表6 。
符号
电气特性
开关时间
参数
测试条件
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 4A
,
R
G
=4.7
V
GS
= 4.5V
P沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 2A
,
R
G
=4.7
V
GS
= 4.5V
（参见图26）
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 4A
,
R
G
=4.7
V
GS
= 4.5V
P沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 2A
,
R
G
=4.7
V
GS
= 4.5V
（参见图26）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
t
r
导通延迟时间
上升时间
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
12
25
14.5
35
ns
ns
ns
ns
t
D（关闭）
t
f
打开-O FF延迟时间
下降时间
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
23
125
8
35
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 8A ，V
GS
= 0
I
SD
= 5A ，V
GS
= 0
N沟道
I
SD
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 15 V ，T
j
=150
o
C
P沟道
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
-15 V，T
j
=150
o
C
（参见图28）
测试条件
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
15
45
5.7
36
0.76
1.6
民
典型值。
最大
8
5
32
20
1.5
1.2
单位
A
A
A
A
V
V
ns
ns
nC
nC
A
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/14
目录
STS8C5H30L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STS8C5H30L
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
价值
N沟道
P沟道
30
±16
8
6.4
32
1.6
2
-55到150
150
±16
4.2
3.1
16.8
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压（V
gs
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
单人操作
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
单人操作
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C双操作
总功耗在T
C
= 25 ° C单操作
储存温度
工作结温
1.脉冲宽度有限的安全工作区
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
表2中。
R
THJ -A
热数据
热阻结到环境的单
操作
热阻结到环境的双重
操作
最大无铅焊接温度的目的
62.5
78
300
° C / W
° C / W
°C
T
l
3/14
电气特性
STS8C5H30L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
V
GS
= ±16V
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
1
1
1.6
0.018
0.045
0.020
0.070
分钟。
30
30
1
10
±100
±100
2.5
0.022
0.055
0.025
0.075
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
nA
nA
V
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
静态漏源
阻力
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DD
= 24V I
D
=8A
V
GS
=5V
P沟道
V
DD
= 24V I
D
= 4A
V
GS
= 5V
（参见图26）
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 4A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
典型值。
8.5
10
857
1350
147
490
20
130
7
12.5
2.5
5
2.3
3
10
16
马克斯。
单位
S
S
pF
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 。
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STS8C5H30L
表5 。
符号
电气特性
开关时间
参数
测试条件
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 4A
,
R
G
=4.7
V
GS
= 4.5V
P沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 2A
,
R
G
=4.7
V
GS
= 4.5V
（参见图25）
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 4A
,
R
G
=4.7
V
GS
= 4.5V
P沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 2A
,
R
G
=4.7
V
GS
= 4.5V
（参见图25）
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
t
D（上）
t
r
导通延迟时间
上升时间
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
12
25
14.5
35
ns
ns
ns
ns
t
D（关闭）
t
f
打开-O FF延迟时间
下降时间
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
23
125
8
35
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 8A ，V
GS
= 0
I
SD
= 5A ，V
GS
= 0
N沟道
I
SD
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 15 V ，T
j
=150
o
C
P沟道
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
-15 V，T
j
=150
o
C
（参见图27）
测试条件
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
15
45
5.7
36
0.76
1.6
民
典型值。
最大
8
5
32
20
1.5
1.2
单位
A
A
A
A
V
V
ns
ns
nC
nC
A
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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