【STS7PF30LP沟道30V - 0.016Ω - 7A SO- 8的STripFET II功率M】,IC型号STS7PF30L,STS7PF30L PDF资料,STS7PF30L经销商,ic,电子元器件-51电子网

STS7PF30L

P沟道30V - 0.016Ω - 7A SO- 8

的STripFET II功率MOSFET

初步数据

TYPE

STS7PF30L

DSS

30 V

DS （ ON）

< 0.021

典型

（上） = 0.016Ω

标准大纲EASY

自动化表面贴装

低阈值DRIVE

SO-8

描述

这是功率MOSFET ST-的最新发展

微电子独有的“单一特征尺寸

”

条形基础的过程。由此产生的晶体管显示

极高的堆积密度低的导通电阻

tance ，坚固耐用的雪崩特性和更少

因此，严格的对准步骤的显着MAN-

ufacturing重复性。

内部原理图

应用

电池管理游牧

设备

电源管理CELLULAR

手机

绝对最大额定值

符号

DGR

合计

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

价值

±20

4.4

2.5

单位

(

）脉冲宽度有限的安全工作区

注意：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性和

电流具有被逆转

2002年12月

1/6

STS7PF30L

热数据

Rthj - AMB （＃）

英镑

热阻结到环境最大

最大无铅焊接温度的目的典型值

储存温度

150

-55到150

° C / W

°C

（＃）当安装在1英寸

FR4板， 2盎司铜和t

≤

10s

电气特性

= 25°C除非OTHERRWISE指定）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250 μA ，V

= 0

=最大额定值

=最大额定值，T

= 125 °C

= ± 20V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

为ON（1 ）

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

, I

= 250A

= 10V ，我

= 3.5A

= 4.5V ，我

= 3.5A

分钟。

0.011

0.016

典型值。

1.6

0.016

0.022

马克斯。

2.5

0.021

0.028

单位

动态

符号

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

= 10V ，我

= 3.5A

= 25 V ， F = 1兆赫，V

= 0

分钟。

典型值。

2600

523

174

马克斯。

单位

2/6

STS7PF30L

电气特性

（续）

切换为ON（ 2）

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 15V ，我

= 3.5A

= 4.7 V

= 4.5 V

（阻性负载，图3 ）

= 15 V，I

= 7 A,

= 4.5V

分钟。

典型值。

8.8

马克斯。

单位

关闭（ 2 ）

符号

D（关闭）

参数

关断延迟时间

下降时间

测试条件

= 15 V，I

= 3.5 A,

= 4.7, V

= 4.5 V

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源极漏极二极管（ 2 ）

符号

SDM

(1)

(2)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 7 A，V

= 0

= 7A ，的di / dt = 100A / μs的，

= 24 V ，T

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

2.3

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

2.脉冲宽度有限的安全工作区。

3/6

STS7PF30L

图。 1 ：

非钳位电感负载测试电路

图。 2 ：

非钳位感应波形

图。 3 ：

开关时间测试电路

阻性负载

图。 4 ：

栅极电荷测试电路

图。 5 ：

测试电路感应负载开关

和二极管恢复时间

4/6

STS7PF30L

SO- 8机械数据

DIM 。

分钟。

3.8

0.4

4.8

5.8

1.27

3.81

4.0

1.27

0.6

图8（最大）

0.14

0.015

5.0

6.2

0.65

0.35

0.19

0.25

0.1

典型值。

马克斯。

1.75

0.25

1.65

0.85

0.48

0.25

0.5

45 （典型值）。

0.188

0.228

0.050

0.150

0.157

0.050

0.023

0.196

0.244

0.025

0.013

0.007

0.010

0.003

分钟。

寸

典型值。

马克斯。

0.068

0.009

0.064

0.033

0.018

0.010

0.019

0016023

5/6

STS7PF30L

P沟道30V - 0.16Ω - 7A - SO- 8

的STripFET II功率MOSFET

一般特点

TYPE

STS7PF30L

■

DSS

30V

DS （ ON）

<0.021Ω

标准大纲EASY

自动化表面贴装

装配

低阈值DRIVE

SO-8

■

描述

这是功率MOSFET的最新发展

意法半导体独有的“单一特征

尺寸 “带为基础的进程。由此产生的

晶体管显示了极高的包装densisty

对于低导通电阻，崎岖雪崩

特点和不太重要的调整措施，

因此

卓越

制造业

重现。

内部原理图

应用

■

电池管理游牧

设备。

电池管理游牧

设备

■

订购代码

销售类型

STS7PF30L

记号

S7PF30L

包

SO-8

包装

磁带&卷轴

2005年11月

第5版

1/11

www.st.com

1电气额定值

STS7PF30L

表1中。

电气额定值

绝对最大额定值

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20kΩ)

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

价值

± 20

4.4

2.5

单位

符号

DGR

记

合计

表2中。

Rthj - AMB

记

英镑

热数据

热阻结到环境

工作结温

存储温度范围

150

-55到150

° C / W

°C

2/11

STS7PF30L

2电气特性

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

表3中。

符号

（ BR ） DSS

DSS

开/关状态

参数

漏源击穿

电压

零栅压漏

电流（V

= 0)

门体漏电流

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 250μA ，V

= 0

=最大额定值，

=最大额定值，T

=125°C

= ± 16V

= V

, I

= 250A

= 10 V，I

= 3.5A

= 4.5 V，I

= 3.5A

0.011

0.016

1.6

0.016

0.022

分钟。

±100

2.5

0.021

0.028

典型值。

马克斯。

单位

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

表4 。

符号

记

国际空间站

OSS

RSS

动态

参数

正向跨导

测试条件

= 20V

= 3.5A

分钟。

典型值。

2600

523

174

8.75

12.35

马克斯。

单位

输入电容

= 25V ， F = 1MHz时， V

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 15V ，我

= 7A,

= 4.5V

表5 。

符号

D（上）

D（关闭）

开关时间

参数

导通延迟时间

上升时间

测试条件

= 15V ，我

= 3.5A

= 4.7Ω, V

= 4.5V,

（参见图13）

= 15V ，我

= 3.5A

= 4.7Ω, V

= 4.5V,

（参见图13）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

打开-O FF延迟时间

下降时间

3/11

2电气特性

STS7PF30L

表6 。

符号

源极 - 漏极二极管

参数

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

= 7A ，V

= 0

= 7A ，的di / dt = 100A / μs的

= 15V ，T

= 150°C

（参见图15）

2.3

1.2

单位

源极 - 漏极电流

SDM

记

1源 - 漏电流（脉冲）

RRM

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

（ 1 ）脉冲受限于安全工作区

（2）当安装在1inch FR-4板（叔

≤

10s)

（ 3 ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％

注意：

对于P沟道MOSFET的电压与电流的极性已被反转

4/11

STS7PF30L

2电气特性

2.1

电特性（曲线）

安全工作区

图2中。

热阻抗

图1 。

网络连接gure 3 。

输出特性

图4中。

传输特性

图5中。

跨

图6 。

静态漏源导通电阻

5/11