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N沟道150V - 0.075
- 5A SO- 8
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STS5NS150
s
s
s
s
STS5NS150
V
DSS
150 V
R
DS （ ON）
<0.1
I
D
5A
典型
DS
（上） = 0.075
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
面向应用
表征
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
以减少输入电容和栅极电荷。这是
因此适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离型DC- DC转换器
电信和计算机应用。它也意
与低栅极驱动要求的任何应用程序。
SO-8
内部原理图
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
2002年5月
.
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
工作结温
价值
150
150
± 20
5
3
20
2.5
0.02
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
1/8
STS5NS150
热数据
Rthj - AMB
(*)
热
电阻结到环境
最大
50
° C / W
(*)
当安装在FR-4板与0.5平方英寸垫的Cu。
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
5
500
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
分钟。
150
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 A
I
D
= 2.5 A
分钟。
2
典型值。
3
0.075
马克斯。
4
0.1
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
V
GS
= 4 V
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5
990
175
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/8
STS5NS150
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图1 ）
V
DD
= 120V我
D
= 5A V
GS
= 10V
（见测试电路，图2 ）
分钟。
典型值。
12
2.8
65
5.5
2.7
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
交叉时间
测试条件
I
D
= 2.5 A
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图1 ）
I
D
= 5 A
V
钳
= 120 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（感性负载，图5）
分钟。
典型值。
50
12
11
17
36
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A
V
GS
= 0
150
712
9.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5
20
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 5 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图3 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
STS5NS150
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STS5NS150
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压温度
.
.
5/8
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