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STS5DNF20V
N沟道20V - 0.030Ω - 5A SO- 8
2.7V - 驱动器的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STS5DNF20V
V
DSS
20V
R
DS ( ON)
<0.040Ω ( @ ) 4.5 )
<0.045Ω (@) 2.7)
I
D
5A
超低门槛栅极驱动器( 2.7 V )
标准大纲,便于自动化表面
安装组件
S0-8
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
内部原理图
应用
开关应用
订购代码
产品型号
STS5DNF20V
记号
S5DNF20V
SO-8
包装
磁带&卷轴
2006年11月
第5版
1/12
www.st.com
12
目录
STS5DNF20V
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STS5DNF20V
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
gs
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
双操作
总功耗在T
C
= 25°C
单人操作
价值
20
±12
5
3
20
1.6
2
单位
V
V
A
A
A
W
W
1.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
热数据
热阻结到环境
单人操作
热阻结到环境
双操作
马克斯。工作结温
储存温度
62.5
78
-55到150
-55到150
° C / W
° C / W
°C
°C
R
THJ -A
T
J
T
英镑
3/12
电气特性
STS5DNF20V
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,
T
C
=125°C
V
GS
= ± 12V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 2.5A
V
GS
= 2.7V ,我
D
= 2.5A
0.6
0.030
0.037
0.040
0.045
分钟。
20
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
=2.5 A
分钟。
典型值。
10
460
200
50
V
DD
= 16V ,我
D
= 5A,
V
GS
= 4.5V
(参见图13)
8.5
1.8
2.4
11.5
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 。
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10 V,I
D
=2.5A,
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
(参见图12)
V
DD
= 10 V,I
D
= 2.5A
R
G
=4.7, V
GS
= 4.5V
(参见图12)
分钟。
典型值。
7
33
27
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/12
STS5DNF20V
表6 。
符号
I
SD
I
SDM (1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5A ,V
GS
= 0
I
SD
= 5A ,V
DD
= 10V
的di / dt = 100A / μs的,
T
j
= 150°C
(参见图14)
26
13
1
测试条件
典型值。
最大
5
20
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
5/12
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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